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另外網站光電科技研究所 - 國立臺灣師範大學也說明：... 光罩製作成本，此外電子束. 微影對比黃光微影，優點在於其，製作困難度相對較低、成本相對低 ... 光阻的化學鍵結變鬆散(正光阻)或變堅固(負光阻)，最常使用的紫外.

國立中山大學 電機工程學系研究所 陳英忠所指導 施維哲的 以表面聲波及體聲波元件研製高頻濾波器之特性研究 （2017），提出正光阻 負 光阻 優 缺點關鍵因素是什麼，來自於體聲波、表面聲波、階梯式濾波器、布拉格反射器、指叉式電極。

而第二篇論文國立交通大學 機械工程系所 徐文祥所指導 吳柏翰的 以負光阻SU-8開發雙反摺式疏水結構的部分曝光製程技術 （2016），提出因為有 數位微流體、疏水、超疏水、雙反摺結構、部分曝光的重點而找出了 正光阻 負 光阻 優 缺點的解答。

最後網站半導體、封裝相關製程/設備討論區 - Facebook則補充：物理蝕刻的高選擇性和異向性的優點。 ... 如何探討光罩製程的各個步驟，從塗覆光阻到映像處理 ... 在光罩製程中使用了兩種類型的光阻：正光阻和負光阻(

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以表面聲波及體聲波元件研製高頻濾波器之特性研究

為了解決正光阻 負 光阻 優 缺點的問題，作者施維哲 這樣論述：

本研究以表面聲波及體聲波元件，分別研製成聲波濾波器之應用。由於表面聲波及體聲波元件係由不同的結構所構成，且聲波的傳遞方式也不同，故所製成的聲波濾波器其頻率響應特性也會有所不同。在表面聲波濾波器中，係採用電子束微影法及乾式蝕刻法來製作奈米級IDT電極，以改善傳統黃光微影不易製作奈米級IDT線寬之缺點；且電子束微影法係搭配電子光罩，來進行電子束寫入，故具有不需實體光罩之優點。然而，本研究採用正光阻溶液，若以傳統IDT光罩圖層，則電子束在寫入時間會過長。因此，本研究採用反光罩圖層方式以減少電子束寫入的時間。此外，電子束之曝光量及乾蝕刻的時間皆會影響到完成後IDT之線寬，故在研究中也皆一併找出最佳製

程參數。最後，本研究製作四組IDT線寬以完成SAW濾波器，分別為937 nm、750 nm、562 nm及375 nm，其中心頻率分別為1339 MHz、1801 MHz、2422 MHz及3745 MHz。在體聲波濾波器中，係採用固態堆疊型體聲波元件分別以串並聯方式組成1.5階之階梯式濾波器。由於具有良好特性之共振器，其組成聲波濾波器時，也能獲得較佳的頻率特性。因此，本研究在固態堆疊型體聲波元件中，分別以Ti/Mo及SiO2/Mo來組成布拉格反射器，探討組成結構及表面粗糙度對於固態堆疊型體聲波元件之影響。此外，固態堆疊型體聲波元件之質量負載的不同也會使元件之頻率產生變化，在組成階梯式濾波器時

，可透過質量負載效應方式，將串並聯元件之頻率進行調整，故可形成一濾波器。本研究在質量負載上，將透過不同頂電極之厚度，並計算質量與頻率之變化幅度，以應用於階梯式濾波器。最後，以SiO2/Mo所組成之布拉格反射器能擁有較低的表面粗糙度及明顯的薄膜分界，而在固態堆疊型體聲波元件之頻率特性表現上也較佳；透過質量負載方式，分別將元件組成1.5階之階梯式濾波器，其中心頻率為2452 MHz、3-dB頻寬為84 MHz、插入損失為-14.67 dB。

以負光阻SU-8開發雙反摺式疏水結構的部分曝光製程技術

為了解決正光阻 負 光阻 優 缺點的問題，作者吳柏翰 這樣論述：

數位微流體晶片近年來在生醫應用上已展現許多優勢，其一是可操控微米尺度下的生物檢體，包含氣體、細胞、血清及樣本等等；其二是可與電腦整合，自動化操控，減少檢驗時間。目前數位微流體晶片使用的疏水層多以沉積疏水材料為主，而以沉積疏水材料製作疏水層有以下幾個缺點，如價格昂貴、容易脫落或不均勻，進而影響晶片品質，以及許多生物檢體易與疏水材料產生蛋白質吸附現象，使其失去疏水性能，因而不適用於微流體晶片。本研究在疏水層的文獻中，發現疏水結構有取代疏水材料的潛力；本研究總結了目前已知的疏水結構類型，發現雙反摺結構具備許多適用於微流體晶片的優點，一是無需沉積疏水材料，單純透過結構便將接觸角提升至150度以上；二

是能使相當大範圍內表面張力的液體達超疏水門檻；三為疏水性能較不受蛋白質吸附的影響。目前雙反摺結構在製程上依然有步驟簡化、改善材料的物理及化學性質的目標；應用上則希望材料透光性能更好，可以更彈性地選擇基板。　　本研究以負光阻開發了雙反摺的正向部分曝光製程，相較於現有的雙反摺結構製程，正向部分曝光製程同時具備製程精簡、基板可彈性選擇、透光度佳以及機械與化學性質穩定性高的優點，並成功以此製程做出雙反摺結構，使低表面張力的矽油接觸角自0度提升至146度，展現出雙反摺結構的疏油性能。　　此外，目前尚無討論雙反摺結構高度的文獻，而本研究討論了液珠在雙反摺結構間凹陷的深度，推導出了結構高度與疏水穩定性的理論

模型。由接觸角量測的方式得知，理論所預期的液珠狀態與測試結果相符；以負光阻雙反摺結構為例，在結構角接近垂直的狀況下，間距180um的雙反摺結構陣列，結構高度至少要大於90um，也就是間距的一半，方可成功撐起初始接觸角0度的矽油，而本研究作出高度分別為20um、60um、100um的負光阻雙反摺結構，實地滴油測試，確實只有100um的雙反摺結構方能成功疏油。相信本研究所推導的理論模型，對未來的疏水結構在設計上能有實質的幫助。

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