光阻塗佈厚度決定因子的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和資訊懶人包

應用田口方法改善Chip on Wafer 製程之薄晶片翹曲研究

為了解決光阻塗佈厚度決定因子的問題，作者葉博偉 這樣論述：

本研究的目的在於分析及改善Chip on Wafer 製程中薄晶片（Thin Wafer）接合（Chip Bonding）之作業。在此作業中會因翹曲問題造成吸取晶片時治具漏真空而失效、晶片壓合時的晶片平坦度不易控制及壓合後晶片內部凸塊斷裂（Bump Crack）造成電性失效等不良影響。因此本研究將針對個案公司之Chip on Wafer製程利用田口方法來找出最小翹曲量的參數組合。本研究以增加晶片厚度、增加原晶片介電層（Polyimide）以及增加原晶片鈍化層（Nitride）厚度等三個影響翹曲量因子為探討方向。各因子給予二個水準並以L8直交表進行實驗配置，再經由TSM（Thermal Sha

dow Moiré）量測模擬晶片結合時溫度變化對應翹曲量變化，後由S/N比及電性測試求解最小翹曲量組合。最後，本研究將以田口方法所求取最小翹曲量之組合應用於實際晶片結合作業進行驗證。驗證結果顯示該組合Chip On Wafer 後電性測試良率達68.7%，確實高於原始直交表中之其他組合，達到改善晶片結合時相關作業失效問題且提升品質良率。

考量影響腐蝕電流密度之因素建立長期腐蝕預測模型

為了解決光阻塗佈厚度決定因子的問題，作者巫孟霖 這樣論述：

現行RC耐震評估規範未針對沿海地區受飛來鹽侵害之結構物老劣化現象進行力學性能之折減，考量其折減所須重要參數為鋼筋有效斷面積折減量，故根據電化學理論可藉由現地量測當下鋼筋腐蝕電流密度值推估其重量減少率，但因無法推估量測當下以前長期腐蝕電流密度之發展，且其中存在諸多問題如電化學理論於RC中之適用性及尚未確認量測儀器、鋼筋號數、腐蝕型態等複雜因子對於腐蝕電流密度之影響，導致對於老劣化RC結構物力學折減之過程受阻。 本研究透過研究群中之裸鋼筋加速腐蝕實驗及混凝土中添加氯鹽加速劣化實驗之後續實驗，來解決目前腐蝕電流密度之相關問題。兩項實驗均在特定齡期取出鋼筋後，以重量損失試驗迴歸分析得各鋼筋合理

之真實腐蝕電流密度值為基準，來建立本研究之目標結構物位址之長期腐蝕電流密度預測模型。其中第二項實驗為藉由實驗配置之2種水灰比及4種氯鹽添加量之真實腐蝕電流密度值，在考量量測儀器、鋼筋號數等對於腐蝕電流密度之影響後建立初步預測模型；而第一項實驗則主要考量不同防鏽塗裝、量測儀器、鋼筋號數及腐蝕型態等因子影響下，對於腐蝕電流密度的影響得到修正係數，再進一步對初步預測模型進行修正。 由修正結果顯示，在防鏽塗裝之選擇上應選用紅丹漆，在#3鋼筋中之腐蝕抑制效率約為95%，在#7鋼筋中之腐蝕抑制效率約為75%；在相同腐蝕條件下，鋼筋號數不影響真實腐蝕電流密度值，但會影響真實之重量減少率；在相同腐蝕條件

下，量測範圍內之腐蝕區域大小不影響腐蝕區域內鋼筋之真實腐蝕電流密度值；對於腐蝕嚴重之鋼筋建議使用GalvaPulse預測真實腐蝕電流密度，恰開始腐蝕之鋼筋則建議採用GalvaPulse及Gecor 8之腐蝕電流密度平均值預測真實腐蝕電流密度。當長期腐蝕電流密度預測模型建置完成後，即可不經現地量測即預測特定結構齡期下之腐蝕電流密度並推算其重量減少率，再導入耐震模型評估結構體老劣化後之耐震餘裕度及改善措施。 由於在設計實驗時不考慮混凝土表面表面披覆材之保護性，故預測模型建置完成後，可得大部分計算得之重量減少率於齡期60年時超出力學折減模型之適用範圍，故若需將該結果應用於一般RC建物，未來須以

位址鄰近目標結構物之結構老劣化為示範例，考量披覆材對預測模型之影響進行修正，以推廣長期腐蝕電流密度預測模型之適用範圍，乃至於將此應用於一般老劣化建物之耐震評估中。