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國立雲林科技大學 環境與安全衛生工程系 楊茱芳所指導 黃科鈞的 稻稈生物精煉產製氫氣及高價副產物2,5-呋喃二甲酸暨以雙極膜電透析回收2,5-呋喃二甲酸之研究 （2020），提出75酒精稀釋公式關鍵因素是什麼，來自於稀酸熱水解、生物解毒、生物轉化、5-羥甲基糠醛、2,5-呋喃二甲酸、雙極膜電透析、厭氧暗發酵產氫。

而第二篇論文國立彰化師範大學 光電科技研究所 王右武所指導 高志魁的 奈米粒子應用於有機記憶體之研究 （2014），提出因為有 有機記憶體、奈米粒子、有機電阻式記憶體、有機浮動閘極記憶體的重點而找出了 75酒精稀釋公式的解答。

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稻稈生物精煉產製氫氣及高價副產物2,5-呋喃二甲酸暨以雙極膜電透析回收2,5-呋喃二甲酸之研究

為了解決75酒精稀釋公式的問題，作者黃科鈞 這樣論述：

木質纖維素生質物來源多樣化且物料成本低廉，具極大的生質能與綠色平台化合物開發潛能。以稀酸熱水解前處理破壞木質纖維素結構，可釋出醣類供後續發酵或生物轉化程序產出生質燃料及綠色平台化合物，但水解過程中會產生水解抑制物，如5-羥甲基糠醛(5-Hydroxymethylfurfural, 5-HMF)、乙酸與苯酚等，該些水解抑制物會使生質燃料產製效率不佳，故須將水解抑制物加以解毒移除。實驗室分離有5-HMF轉化菌Burkholderia cepacia H-2，除可將5-HMF轉化為具高經濟價值的綠色平台化合物-2,5-呋喃二甲酸(2,5-furan-dicarboxylic acid, FDCA)

，亦具備降解糠醛、甲酸、乙醯丙酸等水解抑制物之能力。利用雙極膜電透析回收FDCA為經濟可行且環境友善之方法，將FDCA分流至酸室後，再進一步回收純化之，鹽室出流水則富含還原醣，可作為厭氧暗發酵產氫基質。本研究於建立稻稈稀酸熱水解條件後，先探討添加酵素對去除稻稈水解液中苯酚之效益，再評估固定化Burkholderia cepacia H-2於不同稀釋倍數稻稈水解液中之5-HMF轉化能力暨解毒能力，隨後以稻稈水解模擬液建立電透析回收FDCA操作條件，並評估自實際經生物轉化暨解毒後稻稈水解液中回收FDCA之可行性，最後比較經不同處理程序後稻稈水解液之產氫效益，及以酸沉澱及有機溶劑萃取法回收雙極膜電透

析酸室出流水中之FDCA。酸水解實驗結果顯示，以5%不經研磨稻稈於5%硫酸、121°C下水解10分鐘，可獲得還原醣濃度與水解效率分別為18.3 g/L與54.6%；酵素添加效益實驗結果指出，添加酵素於低苯酚濃度稻稈水解液之苯酚去除效果不佳，苯酚降解濃度及去除率低於116.6 mg/L及24%，顯示添加酵素解毒的效益不大；生物轉化實驗結果顯示，固定化B. cepacia H-2於2倍稀釋稻稈水解液下，可在24小時內完全轉化1843 mg/L 5-HMF為1532 mg/L FDCA，5-HMF轉化率及殘醣率分別為67.2%及66.2%；以稻稈水解模擬液建立雙極膜電透析系統回收FDCA之最佳條件為

，將進料液pH值調為6後，於電流密度17.86 mA/cm2下操作75分鐘，可獲得最高FDCA回收濃度、FDCA回收率與電流效率及最低能耗，分別為733 mg/L、51.3%、1.26%及694 kWh/kg；隨後以實際經生物轉化暨解毒後之稻稈水解液作為鹽室進料液，以最佳雙極膜電透析回收FDCA操作條件進行實驗，FDCA回收濃度、FDCA回收率、電流效率及能耗分別為590 mg/L、44.6%、1.09%及11012 kWh/kg，顯示以雙極膜電透析回收經生物轉化暨解毒後稻稈水解液中之FDCA具有可行性；厭氧暗發酵產氫實驗結果顯示，經生物轉化暨解毒及電透析回收FDCA之稻稈水解液的產氫表現優於

未經生物解毒之稻稈水解液及經生物轉化暨解毒之稻稈水解液，累積產氫量與氫氣占比分別為20.8 mL與18.2%；FDCA回收純化實驗結果指出，初始FDCA濃度過低將導致FDCA回收率及純度不佳。

奈米粒子應用於有機記憶體之研究

為了解決75酒精稀釋公式的問題，作者高志魁 這樣論述：

本論文主要分兩個部分，第一部分嘗試以氧化鋅及鈉作為電子的捕捉中心，聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate, PMMA)作為上下的量子壁，製作絕緣層/ 金屬（半導體）奈米粒子/ 絕緣層(I/ M(S) NPs/ I)結構的結構，去探討作為有機電阻式記憶體(Organic Resistive random-access memory, ORRAM)的可能性，測試結果以鈉為捕捉中心Ag/ PMMA/ Na/ PMMA/ Ag的記憶元件較為穩定出色，再以鈉蒸鍍的時間為變因，去尋找更進一步的改良，條件分別是60 s，90 s，180 s，270 s，360 s，其中以90

s得到最大的電流操作開關比 ~105，操作偏壓為 -0.3 V～ +0.3 V，甚至只要 -0.2 V～ +0.2 V，即可達成高電阻態與低電阻態的轉換，retention time可以到達103 s。第二部分再以PMMA/ Na/ PMMA的有效結構為出發點，加蓋五環素形成有機浮動閘極記憶體(Organic Floating-gate Non-volatile Semiconductor Memory, OFNSM) Ag/ PMMA/ Na/ PMMA/ Pentacene/ Ag，再藉由降低相鄰半導體層的穿隧量子壁PMMA，以求最大限度地降低寫入與抹除的偏壓大小，實驗條件參考實驗室現有標

準元件作為出發點在做調變，8 wt%為下層，上層為變因，分別是8 wt%，7.5 wt%，7 wt%，6.5 wt%，6 wt%，4 wt%，實驗結果上層8 wt%這組Vwriting/ Verasing= +60 V/ -60 V，記憶窗∆V可達16 V，操作電流開關比 (operation on/off current ratio , OFRoperation)> 103，retention time可以到達103 s，3000 s後仍有4 V的記憶窗，擁有最大的記憶窗，及電流開關比，上層7.5 wt%這組Vwriting/ Verasing= +50 V/ -50 V，記憶窗∆V可達

12 V，操作電流開關比 (operation on/off current ratio , OFRoperation)> 102，retention time可以到達1.5x103 s，4000 s後仍有4 V的記憶窗，擁有最長時間的電荷保存能力，降低上層量子壁結果與預測符合，較薄量子壁對應較小的寫入及抹除外加偏壓，在進一步應用氧化鋅來製作Ag/ PMMA/ ZnO/ PMMA/ Pentacene / Ag結構的浮閘記憶體，調變溶膠凝膠製程中氧化鋅溶液的稀鹽酸的比例與濃度作為變因，其中以HCl(: DI-water=1： 15): (ZnO:Ethanol= 0.1 wt%)= 1: 8此

組表現最佳，Vwriting/ Verasing = +30 V/ -30 V，記憶窗∆V可達14 V，操作電流開關 (operation on/off current ratio , OFRoperation)= 10，retention time可以到達6x102 s。

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