電子能量損失譜的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和資訊懶人包

石墨烯納米複合材料

為了解決電子能量損失譜的問題，作者楊序綱吳琪琳 這樣論述：

本書涉及聚合物基、陶瓷基和金屬基石墨烯增強納米複合材料，闡述它們的主要製備方法、宏觀力學和微觀力學性能，熱學、燃燒學、遮罩和電學等物理性質。這類複合材料結構和性質的各種表徵方法技術是本書的重要內容，包含在各不同章節中。   本書著重於對聚合物基複合材料的描述，並將潛在應用廣泛的柔性（可穿戴）複合材料單列一章。書中各章節都列出大量參考文獻，可供讀者作延伸閱讀。 本書讀者物件為從事納米碳複合材料研究、生產和應用的科技工作者和高等院校相關專業的師生。 第1章石墨烯001 1.1概述001 1.2石墨烯的結構和基本性質004 1.2.1石墨烯的結構004 1.2.2石墨烯的物理性

質006 1.2.3石墨烯的化學性質008 1.3石墨烯的製備008 1.3.1剝離法008 1.3.2外延生長法009 1.3.3化學氣相沉積法011 1.3.4氧化還原法013 1.4石墨烯的表徵015 1.4.1拉曼光譜術015 1.4.2電子顯微術、電子衍射花樣和電子能量損失譜023 1.4.3原子力顯微術和掃描隧道顯微術026 1.4.4光學顯微術029 1.4.5成分分析030 參考文獻034 第2章氧化石墨烯和功能化石墨烯040 2.1概述040 2.2氧化石墨烯040 2.2.1氧化石墨烯的製備041 2.2.2氧化石墨烯的表徵042 2.2.3氧化石墨烯的性質048 2.3

功能化石墨烯051 2.3.1共價鍵功能化051 2.3.2非共價鍵功能化057 2.3.3無機納米顆粒功能化059 2.3.4納米碳功能化060 2.3.5功能化石墨烯的表徵067 參考文獻082 第3章石墨烯/聚合物納米複合材料的製備與表徵087 3.1概述087 3.2熔融共混法089 3.2.1概述089 3.2.2典型流程和增容劑的作用090 3.2.3橡膠基納米複合材料092 3.3溶液共混法101 3.3.1概述101 3.3.2溶液共混102 3.3.3膠乳共混107 3.3.4功能化石墨烯的使用108 3.4原位聚合法110 3.4.1概述110 3.4.2環氧樹脂基納米複

合材料111 3.4.3聚氨酯基納米複合材料112 3.4.4聚醯胺6基納米複合材料116 3.4.5聚苯乙烯基納米複合材料121 3.4.6聚甲基丙烯酸甲酯基納米複合材料124 參考文獻128 第4章石墨烯/聚合物納米複合材料的力學性能133 4.1概述133 4.2拉伸力學性能134 4.2.1拉伸力學性能的表徵134 4.2.2應力-應變曲線134 4.2.3石墨烯片大小對複合材料力學性能的影響139 4.2.4石墨烯片取向對複合材料力學性能的影響141 4.3力學性能的理論預測147 4.3.1Halpin-Tsai模型147 4.3.2均勻應力-均勻應變模型150 4.3.3Mor

i-Tanaka模型150 4.4動態力學性能151 4.5抗壓曲性能153 4.6斷裂韌性155 4.6.1韌性的定量描述155 4.6.2環氧樹脂基納米複合材料157 4.6.3聚醯胺基納米複合材料161 4.6.4石墨烯/碳納米管/PVA納米複合材料163 4.6.5高強度、高韌性納米複合材料164 4.7增韌機制167 4.7.1裂紋轉向167 4.7.2裂紋釘紮168 4.7.3脫結合和拉出169 4.7.4裂紋搭橋172 4.7.5微開裂和塑性區分支174 4.7.6裂紋尖端的鈍化174 4.7.7斷裂機制的表徵174 4.8疲勞阻抗176 4.8.1疲勞阻抗的表徵176 4.8.

2環氧樹脂基納米複合材料的抗疲勞性能177 4.9抗磨損性能178 參考文獻180 第5章石墨烯/聚合物納米複合材料的介面行為185 5.1概述185 5.2介面行為的表徵技術186 5.2.1介面微結構的表徵技術186 5.2.2介面力學行為的表徵技術191 5.3石墨烯的拉曼峰行為對應變的回應198 5.3.1實驗方法198 5.3.2峰頻移與應變的函數關係199 5.4介面應力傳遞202 5.4.1Cox模型剪切-滯後理論的有效性202 5.4.2應變分佈和介面剪切應力203 5.4.3最佳石墨烯尺寸206 5.4.4應變圖206 5.4.5壓縮負荷下的介面應力傳遞207 5.4.6最

佳石墨烯片層數209 5.5PDMS基納米複合材料的介面應力傳遞215 5.6氧化石墨烯納米複合材料的介面應力傳遞218 參考文獻220 第6章石墨烯/聚合物納米複合材料的物理性質224 6.1熱學性質224 6.1.1導熱性質224 6.1.2熱穩定性230 6.1.3尺寸穩定性240 6.1.4阻燃性240 6.2電學性質247 6.2.1導電性質247 6.2.2介電性質262 6.3遮罩性質264 6.3.1氣體遮罩265 6.3.2液體遮罩271 6.3.3電磁遮罩271 參考文獻271 第7章石墨烯基柔性可穿戴材料277 7.1引言277 7.2柔性感測器277 7.2.1測量

原理及感測器形式277 7.2.2柔性感測器結構組成278 7.2.3柔性電子應變感測器的傳感機制280 7.3石墨烯膜柔性材料的製備方法281 7.3.1石墨烯溶液成膜282 7.3.2CVD法成膜284 7.4石墨烯纖維285 7.4.1石墨烯纖維製備286 7.4.2石墨烯纖維的性能291 7.5應用297 7.5.1觸覺傳感297 7.5.2電子皮膚及人造肌肉298 7.5.3人體健康監測和醫療302 7.5.4表情識別304 7.5.5語音辨識304 7.5.6智能服裝306 參考文獻310 第8章陶瓷基和金屬基納米複合材料315 8.1概述315 8.2石墨烯在陶瓷基體中的分散3

16 8.2.1分散劑及其作用316 8.2.2超聲波分散317 8.2.3球磨分散319 8.2.4攪拌分散322 8.3石墨烯/陶瓷複合材料粉體的製備方法323 8.3.1粉末工藝323 8.3.2膠體工藝326 8.3.3溶膠-凝膠工藝326 8.3.4聚合物衍生陶瓷328 8.3.5分子層級混合330 8.4石墨烯/陶瓷複合材料的燒結332 8.4.1概述332 8.4.2放電等離子體燒結332 8.4.3高頻感應加熱燒結336 8.4.4快速燒結337 8.5幾種典型的製備方法337 8.6石墨烯/陶瓷複合材料的力學性能339 8.6.1概述339 8.6.2斷裂韌性的表徵方法341

8.6.3斷裂韌性和增韌機制343 8.6.4摩擦行為354 8.7石墨烯/陶瓷複合材料的電學性質358 8.8金屬基複合材料360 8.8.1概述360 8.8.2石墨烯/銅複合材料361 8.8.3石墨烯/鋁複合材料364 8.9微觀結構的表徵方法368 8.9.1SEM368 8.9.2TEM370 8.9.3拉曼光譜術372 參考文獻375

電子能量損失譜進入發燒排行的影片

以電子顯微鏡技術解析鍺量子點/矽基薄層與輔助奈米電極製作

為了解決電子能量損失譜的問題，作者彭康平 這樣論述：

本論文運用電子顯微鏡、能量色散X-射線光譜、廣角X射線繞射光譜等相關材料檢測技術，解析鍺、矽、氧原子在中高溫(800至900 度C)熱氧化的過程之中的細微交互作用，以及可以穩定形成球狀鍺量子點/矽基(矽、二氧化矽與氮化矽)奈米殼結構的製程條件空間。尤其是特別製備平面或是超薄的顛倒截面試片，以穿透式電子顯微鏡搭配OneView數位影像系統、電子束球面相差修正器與高角度環型暗場訊號接收器，獲取原子級的影像，可以清楚地觀察直徑590nm鍺量子點崁於非晶態的二氧化矽/氮化矽複合結構中的成長、凝聚、熟化甚至是移動等細微變化。本實驗室長期累積的鍺量子點成長與定位之製程技術，是以選擇性氧化多晶矽鍺為基礎

核心。生成的鍺量子點會自然地內崁於二氧化矽矩陣之中，甚至會移動、鑽入鄰近的氮化矽薄層之中。本文使用電子顯微鏡等相關材料檢測技術，實際觀察“矽、氧、鍺之間的共生關係”以及細微的交互作用。值得一提的是，意外地發現在濕氧化製程中，鍺間隙原子不僅會顯著地催化周遭局部的非晶態的氮化矽(分別以低壓化學氣相或是電漿輔助化學氣相沉積)分解、氧化之外，甚至還進一步協助氮化矽發生了晶態轉變，從原先的非晶態轉變成微結晶態！再以電子能量損失譜、電子繞射圖案、同步輻射中心的廣角X射線繞射光譜加以確認以及驗證之。本論文也使用電子顯微鏡搭配奈米探針系統，直接對剛製備完成的雙鍺量子點結構胚胎(尚無製作實際的電極)進行室溫下的

電氣特性測量。測得單一鍺量子點的庫倫間隙/庫倫震盪電流以及負微分轉導等單電子穿隧的傳輸行為。此外，也嘗試使用雙槍離子束佐以電路修補技術，針對所觀察到的鍺量子點結構，就地製作奈米級的電極。

聚合物電子顯微術

為了解決電子能量損失譜的問題，作者楊序綱 這樣論述：

本書首先闡明與高聚物材料相關的電子顯微術特殊問題，隨后扼要敘述與電鏡成像原理和圖像解析相關的基本概念。主要篇幅用於闡述適用於聚合物材料的透射電子顯微術和掃描電子顯微術，包括各種圖像襯度機理、試樣制備技術以及與圖像和譜圖解析相關的問題。書中包含豐富實例，對聚合物研究人員和電鏡專業人員均有實用參考價值。本書可作為高聚物材料及其相關領域科技人員、高等院校師生和電子顯微鏡實驗室工作人員的參考書，也可作為高等院校相關專業的教材。楊序綱，東華大學材料科學與工程學院教授，長期從事材料分析檢測工作，出版專著《復合材料界面》、《拉曼光譜的分析與應用》、《原子力顯微術及其應用》、《材料表征的近代物理方法》等。

第1章 聚合物電子顯微術的特殊問題11.1概述11.2聚合物的電子束輻照敏感性31.2.1電子束損傷31.2.2減弱電子束損傷的方法51.2.3輻照襯度增強61.3聚合物的低圖像襯度71.4特殊的試樣制備方法8參考文獻8第2章 與成像和圖像解析相關的基本概念102.1高速電子流與固體物質的相互作用102.1.1概述102.1.2透射電子122.1.3二次電子122.1.4背散射電子132.1.5俄歇電子142.1.6吸收電子152.1.7特征X射線152.1.8陰極射線致發光152.2電子透鏡及其像差162.2.1靜電透鏡和磁透鏡162.2.2電子透鏡的像差162.3結構細節

、分辨率和襯度202.3.1放大倍數202.3.2分辨率212.3.3圖像襯度222.3.4結構細節的散失232.4場深和焦深25參考文獻27第3章 透射電子顯微術Ⅰ成像模式和圖像襯度機理283.1概述283.2儀器和工作模式283.2.1儀器的基本組成283.2.2工作模式313.2.3主要附件及其功能323.3圖像及其襯度形成機理333.3.1原子對入射電子的散射343.3.2散射襯度363.3.3衍射襯度393.3.4明場像和暗場像413.3.5相位襯度433.3.6掃描透射像和高角暗場像453.3.7低壓透射電子顯微像463.3.8高壓透射電子顯微像493.3.9原位形變顯微術493.

4影響圖像分辨率的儀器操作因素503.5選區電子衍射523.5.1概述523.5.2晶面間距的測定533.6特征X射線術和電子能量損失譜術553.6.1特征X射線術563.6.2電子能量損失譜術57參考文獻57第4章 透射電子顯微術Ⅱ試樣制備和圖像解釋604.1概述604.2超薄切片術624.2.1對切片的要求624.2.2切片機和切片的形成634.2.3玻璃刀和金剛石刀674.2.4試樣的包埋724.2.5試樣塊的整修764.2.6切片過程及其相關問題814.2.7切片的收集974.2.8冷凍切片1004.2.9復合材料的超薄切片1034.3溶液成膜技術1064.4聚焦離子束技術1104.5

襯度增強技術1144.5.1重金屬染色襯度增強1154.5.2輻照襯度增強1284.5.3應變襯度增強1304.5.4熱效應襯度增強1324.5.5金屬投影襯度增強1334.6復型和投影術1334.6.1復型的適用場合1334.6.2一級復型和二級復型1344.6.3纖維復型術1364.6.4真空鍍膜和金屬投影1384.7粉碎降解術和支持膜1444.7.1粉碎降解術1444.7.2支持膜及其制備1474.8蝕刻法1514.8.1離子蝕刻1514.8.2化學蝕刻1534.9減薄技術1544.10資料的可靠性問題163參考文獻164第5章 掃描電子顯微術Ⅰ成像模式和圖像襯度機理1675.1概述16

75.2儀器和成像原理1695.2.1成像原理1695.2.2掃描電鏡的構成1705.2.3消像散器1725.3掃描電鏡的分辨率和場深1725.3.1分辨率1725.3.2場深1775.4成像模式1785.4.1二次電子像1795.4.2背散射電子像1835.4.3透射掃描電子像1855.4.4吸收電子像1875.4.5陰極射線致發光光譜和像1895.4.6特征X射線譜和像1895.4.7俄歇電子譜和像1935.4.8成像模式的選擇1955.5環境掃描電子顯微鏡1965.5.1儀器及其工作原理1975.5.2靜電積累的避免1985.5.3濕態試樣的成像1985.5.4原位形變的形態學觀察199

參考文獻202第6章 掃描電子顯微術Ⅱ試樣制備和圖像解釋2036.1概述2036.2試樣的安裝2046.3靜電積累的避免2046.3.1導電體試樣2066.3.2非導電體試樣2066.3.3鍍膜材料的選擇2066.3.4真空噴鍍和濺射噴鍍2076.3.5抗靜電劑2126.3.6低加速電壓觀察2146.3.7環境掃描電鏡術2156.4蝕刻術2166.4.1離子蝕刻2166.4.2化學蝕刻2196.5斷裂面觀察術2226.5.1微觀力學研究2226.5.2內部微結構分析2246.5.3冷凍斷裂術2256.6剝離技術2266.7冷凍干燥和臨界點干燥術2276.8復型技術2276.9原位動態觀察228

6.10圖像解釋2326.10.1邊緣效應和斜坡效應2326.10.2靜電積累2336.10.3電子束損傷2346.10.4光學系統像差2356.10.5機械振動和供電的不穩定2366.11應用實例2366.11.1表面形貌觀察2366.11.2內部結構觀察2396.11.3復合材料界面2456.11.4微觀力學研究248參考文獻256

以脈衝雷射剝蝕於FTO-矽氧玻璃上生長黑色非計量氧化鈦薄膜: 微結構、光學與光電化學性質研究

為了解決電子能量損失譜的問題，作者陳建諭 這樣論述：

本實驗通過脈衝雷射剝蝕法將鐵灰色TiO2-x靶材蒸鍍在FTO-矽氧玻璃基材上生長黑色Ti1-xO多晶薄膜，其膜厚約300 nm，平均晶徑約為10 nm。由TEM選區繞射與高分辨晶格影像之鑑定顯示除非晶部份外，該多晶薄膜為岩鹽(Rock-salt)結構立方晶之Ti1-xO，與少部份六方晶(Hexagonal)結構之Ti1-xO，兩者間的晶向關係為(020)_Rock-salt//(1, -1, 0, -1)_Hexagonal; [001]_Rock-salt//[2, -1, -1, 3]_Hexagonal。由XPS與EELS的結果均顯示該Ti1-xO薄膜具Ti2+、Ti3+與Ti4+存在

，以structure refinement後之cell volume代入Birch–Murnaghan equation可得其殘留應力約為4.9-13.2 GPa。由UV-Vis光譜顯示該Ti1-xO薄膜於380-780 nm的可見光吸收範圍大幅度增強並延伸至紅外光範圍。在拉曼光譜中觀察到震動峰明顯產生藍位移，出現寬的震動峰、微小的未知信號與震動峰值偏移可歸因於奈米及類非晶態效應。由螢光光譜分析顯示Ti1-xO薄膜均具極低之螢光強度，電子電洞複合產生光子的效率極低，反而具較佳之光電化學反應效率。電化學系統之循環伏安法結果表明，此薄膜以Xenon lamp照射下各能量功率皆具有一定水準的氧化還

原性質，光電流密度顯示在薄膜(800 mJ/pulse)上蒸鍍金奈米顆粒具最佳光電流響應。