Auger 電子的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和資訊懶人包

20XX年革命家設計課──夢想、推測、思辨，藝術家打造未來社會的實踐之路

為了解決Auger 電子的問題，作者長谷川愛 這樣論述：

【夢想推薦】（依姓氏筆畫順序排列） 何樵暐︱Digital Medicine Lab創辦人 張鐵志︱VERSE社長暨總編輯 彭星凱 ︱臺北設計與藝術指導協會創辦人 鄭宇婷︱荷蘭安荷芬理工大學工業設計博士候選人與【推測居民】主編 從事藝術與設計工作的你，想過要為世界設計「另一種未來」嗎？ 長谷川愛於英國皇家藝術學院就學期間，參加了知名設計雙人團體Dunne & Raby的工作坊，徹底打開了視野。畢業後，長谷川愛於麻省理工學院擔任研究員，後又於東京大學執掌教職，此書是以她獨樹一格的授課內容為基礎而編撰。書中結合了作者自身學習分享、國際著名案例分析，以及來自印尼、臺

灣、中國及日本的精彩專文和訪談，附上紮實的課程學習單，以及幫助將想像化為現實的工具組：「革命家卡片」。 長谷川愛將「革命」精神帶入藝術、設計領域，師法對藝術下戰帖的杜象、從零創造文化價值的茶聖千利休、重新定義時尚的香奈兒等，一路來到COVID-19疫情籠罩的晦暗此刻，娓娓道出百年來的藝術家與設計師們如何透過對當下的執疑，想像出不一樣的未來──同性伴侶能否生下帶有兩人基因的孩子？人類可不可以選擇和動物繁衍下一代、共組家庭？大數據演算法之下，不斷加深的偏見是否能夠被突破？行動藝術家怎麼向大眾揭示真相、激發思辨？ 循著批判者的腳步，結合源自英國的「Speculative design」（推測／思

辨設計）練習，以及科幻作品中對未來的想像；作者將獨創的「20XX革命家設計課」獻給現代的設計師、藝術家們，讓善於質疑、推翻、突破的革命靈魂悄悄甦醒，徹底翻轉創作時的思考角度，看見新世界與新觀點的契機，用不同於以往的眼光構思作品。 「建立社會的是人，改變的也是人。長谷川愛稱為『夢想』的Speculative design態度，以人的痛苦與疑惑為開端，從掙扎著擺脫現狀的人們微小而轉瞬即逝的夢想中，凝聚、誕生。傾注於當下世界、幻想各種事物，就是社會革命的第一步。希望本書傳達的勇氣，能夠存在於每個人的心裡。」──塚田有那︱科學藝術媒體「Bound Baw」編集長 「推測設計為我們帶來忐忑的創作方法

。在談革命前，實踐者要先具備坦誠自身價值體系與信念的勇氣，批判長久以來將掩飾真實視為美德的設計觀。 長谷川愛以女性身份為基礎，於書中主導與關注的作品多聚焦性別、生育、權力與社會倫理關係；涉及方法時，則提供客觀開放的條件，並輔以專欄，讓讀者看到更多元而全面的觀點，理解設計如何能誠實、刺探、且發人深省。」──彭星凱︱臺北設計與藝術指導協會創辦人 「非常適合新手的入門書，從長谷川愛的作品中學習和反思：別具『臺味』的革命種子和推測思辨力又會是什麼呢？」──鄭宇婷︱荷蘭安荷芬理工大學工業設計博士候選人與【推測居民】主編 【審訂者簡介】 林沛瑩 清華大學生命科學系學士、輔系資工學系與人文社會學系。英國

皇家藝術學院設計互動系碩士。曾與友人共同創立台灣生物藝術社群與藝術團體㗊機體。曾得到STARTS Prize 2020年榮譽獎、Ars Electronica 2015年Hybrid Arts榮譽獎、2016年BioArt and Design Award、2015年Core 77 Speculative Concepts專業組設計獎。作品獲斯洛維尼亞建築與設計博物館永久收藏。

半導體製程概論(第四版)

為了解決Auger 電子的問題，作者李克駿,李克慧,李明逵 這樣論述：

　　全書分為五篇，第一篇(1～3章)探討半導體材料之基本特性，從矽半導體晶體結構開始，到半導體物理之物理概念與能帶做完整的解說。第二篇(4～9章)說明積體電路使用的基礎元件與先進奈米元件。第三篇(10～24章)說明積體電路的製程。第四篇(25～26章)說明積體電路的故障與檢測。第五篇(27～28章)說明積體電路製程潔淨控制與安全。全書通用於大專院校電子、電機科系「半導體製程」或「半導體製程技術」課程作為教材。 本書特色 　　1.深入淺出說明半導體元件物理和積體電路結構、原理及製程。 　　2.從矽導體之物理概念開始，一直到半導體結構、能帶作完整的解說，使讀者學習到全盤知識

。 　　3.圖片清晰，使讀者一目瞭然更容易理解。 　　4.適用於大學、科大電子、電機系「半導體製程」或「半導體製程技術」課程或相關業界人士及有興趣之讀者。

基於超薄氧化鋅通道以及金屬吸光層之紅外光偵測元件

為了解決Auger 電子的問題，作者陳鈺琅 這樣論述：

本論文旨在設計出可在室溫下操作的矽基(Silicon-based)熱載子式紅外光偵測器，同時也可作為熱載子種類之檢測平台。本論文中以超薄氧化鋅作為傳導電流的通道，以超薄摻鎵氧化鋅作為電極，並以銀作為收光材料。矽基光偵測器因結構簡單而備受關注，但若入射光子的能量小於矽的能隙，將無法貢獻有效的光電流，因此在收光材料的選擇上需做出相對應的改變。藉由金屬照光會產生熱載子的機制，本論文選擇銀作為吸收紅外光的材料，使得矽基之光偵測器可操作於光子能量小於矽塊材能隙的1550nm波段，此波段在光通訊中扮演關鍵的角色。相較於其他傳統的薄膜沉積技術，原子層沉積技術(Atomic layer deposition

, ALD)因為在每一個製程循環僅會形成一個原子層厚度的薄膜，可以達到極為精準的厚度控制，並且因為成長過程被侷限在基板表面，就算在具有結構的表面也能得到很好的覆蓋率與均勻性。由於本論文在光學及電學特性方面對薄膜厚度的變化十分敏感，故選擇原子層沉積法及臨場摻雜技術作為本論文的製程方法。實驗結果顯示，金屬照光後會有部分熱載子躍過蕭特基位障，被橫向電場收集，形成有效的光電流，而光電流的大小則與金屬厚度有關。在1 V的偏壓下，厚度為10 nm的銀薄膜在照射波長1550 nm、功率0.5 mW的紅外光雷射後，會有大約206.63 nA的過量電流產生，其響應度約為41.59 μA/W；在相同偏壓條件下，厚

度為5 nm的銀薄膜則可產生大約228.05 nA的過量電流，其響應度約為45.61 μA/W。另外，從IR開關測試的實驗結果可以判斷金屬照光後產生的熱載子種類，根據本論文的量測結果可以推論出銀在照射1550 nm紅外光後產生的熱載子種類為電子。