鋁合金密度的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和資訊懶人包

中外金屬材料手冊（第二版）

為了解決鋁合金密度的問題，作者鄭舒丹，郭強，王軍（主編） 這樣論述：

本手冊彙集國內外資料，詳細介紹了常用金屬材料的牌號、化學成分、規格、性能、用途、尺寸、理論品質、熱處理規範以及中外牌號對照等資料。在第一版基礎上，更新了多個鋼號，增補了多個鋼種和鈦合金等有色金屬牌號，並新增了金屬材料速查速算等內容。標準新、資料准、查閱方便是本手冊的特色。 本手冊適宜從事機械、冶金、化工、航空航太、國防等行業產品設計和材料購銷人員使用。

鋁合金密度進入發燒排行的影片

發泡鋁合金注氣製程技術研究

為了解決鋁合金密度的問題，作者楊人澍 這樣論述：

輕型材料一直是世界各國研發的重點，多孔材料中如高分子材料、玻璃材料、陶瓷材料與金屬材料等，因其具有降低密度並保留部分原材料之特性受到廣泛的研究與討論。其中多孔金屬材更是近年深受矚目的輕量化材料。在多孔金屬材中，發泡鋁合金材料因其具有成本低、與優良吸音、散熱、耐衝擊、電磁屏蔽等特性，在航太、汽車與建築等行業，市場需求相當高，是可廣泛應用之多孔金屬材料。以閉孔式發泡鋁合金材來說，注氣發泡法是將氣體注入熔融金屬中，使其形成多孔洞結構，是目前生產多孔金屬材料，生產成本最具競爭力的方法。但在製程方面，因高溫熔融鋁合金之鋁液黏稠度、流動性、孔洞發泡速率與凝固特性較難控制，而導致鋁合金孔洞之直徑大小與分佈

均質性不佳，也就是發泡鋁合金之內部品質會不穩定，因此攪拌設備的葉輪及注氣管須經特殊設計才能產生足夠細小的氣泡，在鋁湯中需要添加適當比例黏稠劑使氣體能停留在液態金屬中，使孔洞結構相對穩定，再經由溫度控制、攪拌轉速等多重因素交互影響下，得以製造出孔洞品質穩定的發泡鋁材。本研究利用前置實驗得出使用碳化矽(SiC)作為黏稠劑能獲得較佳的發泡效果，在正式實驗中利用注氣方式(A)、碳化矽(SiC)添加比例(B)、粉末細度(C)、矽(Si)添加比例(D)、攪拌時間(E)、持溫溫度(F)、注氣流量(G)、注氣轉速(H)等八組控制因子作為實驗參數。透過田口設計探討控制參數對發泡鋁合金注氣製程之影響，最後將主成分

分析與田口方法進行結合，進行多目標最佳化，獲得發泡品質穩定的注氣發泡製程參數。

SiC/GaN功率半導體封裝和可靠性評估技術

為了解決鋁合金密度的問題，作者（日）菅沼克昭 這樣論述：

本書重點介紹全球功率半導體行業發展潮流中的寬禁帶功率半導體封裝的基本原理和器件可靠性評價技術。書中以封裝為核心，由熟悉各個領域前沿的專家詳細解釋當前的狀況和問題。   主要章節為寬禁帶功率半導體的現狀和封裝、模組結構和可靠性問題、引線鍵合技術、晶片貼裝技術、模塑樹脂技術、絕緣基板技術、冷卻散熱技術、可靠性評估和檢查技術等。儘管極端環境中的材料退化機制尚未明晰，書中還是總結設計了新的封裝材料和結構設計，以儘量闡明未來的發展方向。   本書對於我國寬禁帶（國內也稱為第三代）半導體產業的發展有積極意義，適合相關的器件設計、工藝設備、應用、產業規劃和投資領域人士閱讀。 序 原書前

言 作者名單 第1章緒言 1.1電力變換和功率半導體 1.2功率半導體封裝及可靠性問題 參考文獻 第2章寬禁帶半導體功率器件的現狀與封裝 2.1電力電子學的概念 2.2寬禁帶半導體的特性和功率器件 2.3功率器件的性能指數 2.4其他寬禁帶半導體功率器件的現狀 2.5寬禁帶半導體封裝技術的挑戰 參考文獻 第3章SiC/GaN功率半導體的發展 3.1SiC和GaN功率器件的概念 3.2SiC器件的特徵（低導通電阻、高溫、高速運行） 3.3SiC肖特基勢壘二極體 3.4SiC電晶體 3.5SiC模組 3.6GaN功率器件的特徵 3.7GaN功率器件的特性 3.8GaN功率器件的應用 參考文獻

第4章引線鍵合技術 4.1引線鍵合技術的概念 4.2引線鍵合的種類 4.2.1引線鍵合方法 4.2.2鍵合機制 4.3引線鍵合處的可靠性 4.3.1功率模組疲勞破壞 4.3.2鍵合處的破壞現象 4.3.3鍵合處的裂紋擴展 4.3.4影響接頭破壞的因素 4.4鍵合線材料 4.4.1鋁合金線 4.4.2銅鍵合線 4.4.3銀和鎳材料作為鍵合線的適用性評估 4.4.4包層引線 4.5替代引線鍵合的其他連接技術 4.5.1鋁帶連接4.5.2引線框焊接 4.6結論 參考文獻 第5章晶片貼裝技術 5.1晶片貼裝 5.2無鉛高溫焊料 5.3TLP鍵合 5.4金屬燒結鍵合 5.5固相鍵合和應力遷移鍵合

5.6空洞 5.7未來展望 參考文獻 第6章模塑樹脂技術 6.1半導體封裝的概念 6.2功率模組結構和適用材料 6.2.1殼裝型功率模組 6.2.2模塑型 6.2.3功率模組封裝的演變 6.3密封材料的特性要求 6.3.1絕緣性 6.3.2低熱應力 6.3.3黏附性 6.3.4抗氧化性 6.3.5高散熱 6.3.6流動性和成型性 6.3.7耐濕性和可靠性測試 6.4高耐熱技術的發展現狀 6.4.1高耐熱矽酮樹脂 6.4.2高耐熱環氧樹脂 6.4.3熱固性醯亞胺樹脂 6.4.4高耐熱納米複合材料 參考文獻 第7章基板技術 7.1功率模組的演變和適用基板 7.2基板概要 7.2.1基板種類和分

類 7.2.2陶瓷基板 7.2.3金屬基底基板 7.3散熱板/金屬陶瓷複合材料 7.4SiC/GaN功率半導體基板的特性要求 7.5未來基板技術趨勢 參考文獻 第8章散熱技術 8.1散熱（冷卻）技術的概念 8.2SiC/GaN功率半導體的特性以及與其散熱相關的問題 8.2.1高溫工況的應對方法 8.2.2針對發熱密度增加的應對方法 8.3電氣和電子設備的散熱技術基礎 8.4功率半導體散熱應考慮的要求 8.5下一代功率半導體的散熱理念 8.6有望應用於寬禁帶半導體的散熱技術 8.6.1導熱路徑的進步：直冷式冷卻器 8.6.2散熱結構的進步：雙面散熱模型 8.6.3熱傳導的進步：液體冷卻用高性能

翅片 8.7導熱介面材料 8.7.1導熱介面材料的概念 8.7.2下一代半導體的導熱介面材料 8.7.3TIM所需的特性和問題 8.7.4高熱導率填料系統 8.8實現高溫工況 參考文獻 第9章可靠性評估/檢查技術 9.1功率半導體可靠性試驗 9.2典型環境試驗 9.2.1存儲試驗（高溫低溫） 9.2.2存儲試驗（高溫高濕） 9.2.3溫度迴圈試驗 9.2.4高溫工作壽命試驗（高溫反偏試驗） 9.2.5高溫高濕反偏壽命試驗 9.3其他環境試驗 9.3.1低壓試驗 9.3.2鹽霧試驗 9.3.3加濕+封裝應力系列試驗 9.4功率迴圈試驗 9.4.1功率迴圈試驗的種類 9.4.2功率迴圈試驗的載入

方式 9.4.3熱阻 9.4.4試驗裝置所需的性能規格 9.5功率器件可靠性試驗的檢查方法 9.5.1X射線透射分析 9.5.2超聲成像系統 9.5.3橫截面觀察 9.5.4鎖相紅外熱分析 9.6材料熱阻的評估 9.6.1包括介面熱阻的導熱特性（有效熱導率） 9.6.2熱特性評估系統的配置和測量原理 9.6.3熱性能測量示例 9.7小結參考文獻 220章編後記 參考文獻

三價鉻封孔程序對鋁合金硼硫酸陽極化之影響

為了解決鋁合金密度的問題，作者黃冠傑 這樣論述：

鋁合金密度小、強度高以及優良的加工性能使其被廣泛應用於航太產業，在飛機機體中為最主要的結構材料，一般用量可達到60%以上。然而，鋁合金本身亦存在不少缺點，如硬度低、耐磨性較差，且容易與其他不同金屬產生異電位腐蝕，如此性能遠不能滿足航太產業需求。因此鋁合金於使用前必須經過特定的表面處理以改變其表面之機械性能，其中，陽極處理最為廣泛使用。鋁合金雖然於一般環境下表面會自然生成氧化物，但此氧化物厚度較薄且無實際效益，透過陽極化處理所生成之多孔性奈米結構，可增加後續有機塗層的附著性與金屬抗蝕性，進而提升鋁合金整體性能。目前市面上較常見的兩種陽極處理分別為鉻酸陽極化與硫酸陽極化，鉻酸陽極化膜層較緻密且六

價鉻防蝕效果優異，但由於六價鉻本身所含之高致癌性與生物毒性，已逐漸被多國所禁用；硫酸陽極化雖然不會造成環境汙染，但因其膜層較硬故會降低材料抗疲勞性能。近期發展之硼硫酸陽極化(Boric Acid-Sulfuric Acid Anodizing)，克服上述兩種缺點，環保亦不會降低材料之疲勞性，已於近年來逐漸被用來取代鉻酸陽極處理。而為了進一步提升陽極化本身之抗蝕能力，封孔技術被應用於陽極化製程之後處理，透過封孔技術之水合反應將鍍層的奈米孔(pores)封住成為沒有吸附性的表面(non-absorptive)，促使整個氧化膜表面形成一緻密氧化膜以滿足航太級抗蝕需求。目前硼硫酸陽極處理後較常使用的封

孔技術有稀鉻酸封孔、重鉻酸鈉封孔等，但此兩種製程皆含有六價鉻，亦逐漸被限制使用。雖市面上尚有熱水封孔與蒸氣封孔等不含鉻之製程，但整個封孔程序必須在較高的溫度下處理，如此高耗能的製程亦不普遍適用於航太產業上。為解決上述六價鉻封孔所衍生之毒化物處理與熱水封孔產生之高耗能問題，三價鉻封孔技術於是於近期被積極發展。本研究主要探討商用型硼硫酸陽極化後，搭配新型三價鉻封孔程序以評估其是否可通過航太級鹽霧腐蝕測試與漆附著性之標準需求。本實驗同時搭配商用型六價鉻封孔程序，並藉由掃描式電子顯微鏡(SEM, Scanning Electron Microscopy)、能量色散X射線譜(EDS, Energy-Di

spersive X-ray Spectroscopy)分析，比較兩種封孔程序其微觀組織差異，藉以評估未來三價鉻封孔取代傳統六價鉻封孔程序之可行性。