sio2鍍膜的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和資訊懶人包

表面處理與防鏽劑：配方、工藝及設備

為了解決sio2鍍膜的問題，作者唐一梅扈本荃高蘇亞 這樣論述：

本書對表面處理劑及防銹劑的定義、分類、配方類型、發展趨勢等進行了簡單介紹，重點闡述了表面處理技術與工藝、表面處理設備、黑色金屬表面處理與防銹劑配方技術、有色金屬表面處理與防銹劑配方技術、非金屬表面處理劑配方技術等內容。 本書適合從事表面處理劑、防銹劑生產、配方研發、管理的人員使用，同時可供精細化工等專業的師生參考。

sio2鍍膜進入發燒排行的影片

濾藍光鍍膜模擬設計

為了解決sio2鍍膜的問題，作者李普嚴 這樣論述：

本論文以ThinFilmView和TFCalc等薄膜光學模擬軟體來模擬濾藍光薄膜的模擬設計，以1/8-1/4-1/8 設計波長膜厚整數倍之 7 層設計為 Air|0.5HLHLHL0.5H |Quartz與9層設計Air|0.5HLHLHLHL0.5H |Quartz，11層設計為 Air|0.5HLHLHLHL0.5H |Quartz，H 代表高折射率材料 TiO2，L代表低折射率材料 MgF2與SiO2，基板為石英，同時進行入射角 0°~25°的角移效應測試，由此基礎發展出類似長波通波長設計濾藍光薄膜。在二氧化鈦與氟化鎂7層、9層、11層不同的組合中，有害紫藍光區380~420(nm)平

均可反射89.27%、有害藍光區420~450(nm)平均反射率可達56.56%及有益藍綠光區470~500(nm)穿透率平均可達91.94%，平均可濾掉約25~35%的藍光；在二氧化鈦與二氧化矽7層、9層、11層不同的組合中，有害紫藍光區380~420(nm)平均可反射82.34%、有害藍光區420~450(nm)平均反射率可達35.36%及有益藍綠光區470~500(nm)穿透率平均可達96.17%，平均可濾掉約15~22%的藍光。

半導體薄膜技術基礎

為了解決sio2鍍膜的問題，作者李曉干劉勐王奇 這樣論述：

本書對當前主要應用的薄膜技術及相關設備進行了深入淺出的介紹，主要包括作為最重要的半導體襯底的矽單晶材料學、薄膜基礎知識、PVD技術、CVD技術及其他相關的薄膜加工技術，在對各種技術進行介紹的同時，還對各種技術所應用的設備進行簡要介紹。本書提供配套電子課件。本   書作為半導體薄膜技術的入門書籍，既有薄膜技術的基本理論介紹，又提供了大量的設備基本結構知識，可以作為微電子等相關專業學生的教學參考書，對從事薄膜技術的工程技術人員而言，也可以作為相關的參考資料。 李曉幹，博士，畢業于英國里茲大學材料研究所，大連理工大學電子科學與技術系副教授。中國儀器儀錶協會感測器分會理事；全國氣、

濕敏專業委員會委員。主要研究方向為高性能半導體敏感材料，納米材料敏感電子學，感測器元件與檢測系統。 第1章緒論1 本章小結5 習題6 第2章矽單晶材料學7 2.1矽及其化合物的基本性質7 2.2矽的晶體結構13 2.3矽的生長加工方法16 2.4矽材料與器件的關係19 本章小結21 習題22 第3章薄膜基礎知識23 3.1薄膜的定義及應用23 3.2薄膜結構、缺陷及基本性質26 3.2.1薄膜的基本結構及缺陷26 3.2.2薄膜的基本性質29 3.3薄膜襯底材料的一般知識34 3.3.1玻璃襯底34 3.3.2陶瓷襯底35 3.3.3單晶體襯底36 3.3.4襯底清洗37

3.4薄膜的性能檢測簡介40 3.4.1薄膜的厚度檢測40 3.4.2薄膜的可靠性43 本章小結44 習題44 第4章氧化技術46 4.1二氧化矽（SiO2）薄膜簡介47 4.2氧化技術原理49 4.2.1熱氧化技術的基本原理50 4.2.2水汽氧化51 4.2.3濕氧氧化工藝原理52 4.2.4三種熱氧化工藝方法的優缺點53 4.3氧化工藝的一般過程54 4.4氧化膜品質評價58 4.4.1SiO2薄膜表面觀察法58 4.4.2SiO2薄膜厚度的測量58 4.5熱氧化過程中存在的一般問題分析61 4.5.1氧化層厚度不均勻61 4.5.2氧化層表面的斑點61 4.5.3氧化層的針孔62 4.

5.4SiO2氧化層中的鈉離子污染62 本章小結62 習題63 第5章濺射技術64 5.1離子濺射的基本原理64 5.1.1濺射現象64 5.1.2濺射產額及其影響因素65 5.1.3選擇濺射現象70 5.1.4濺射鍍膜工藝70 5.2濺射工藝設備72 5.2.1直流濺射台74 5.2.2射頻濺射台77 5.2.3磁控濺射79 5.3濺射工藝應用及工藝實例80 本章小結83 習題83 第6章真空蒸鍍技術84 6.1真空蒸鍍技術簡介84 6.2真空蒸鍍工藝的相關參數86 6.2.1工藝真空86 6.2.2飽和蒸氣壓88 6.2.3蒸發速率和沉積速率88 6.3真空蒸鍍源89 6.4真空蒸鍍設備9

0 6.4.1熱阻加熱式蒸鍍機（蒸發機）92 6.4.2電子束蒸發台94 本章小結96 習題97 第7章CVD技術98 7.1CVD技術簡介98 7.2常用CVD技術簡介99 7.3低壓化學氣相澱積（LPCVD）103 7.4PECVD107 7.5CVD系統的模型及基本理論115 7.6CVD工藝系統簡介117 7.6.1CVD的氣體源系統118 7.6.2CVD的品質流量控制系統118 7.6.3CVD反應腔室內的熱源119 本章小結119 習題119 第8章其他半導體薄膜加工技術簡介121 8.1外延技術121 8.1.1分子束外延121 8.1.2液相外延（LPE）123 8.1.3氣

相外延（VPE）124 8.1.4選擇外延（SEG）125 8.2離子束沉積和離子鍍126 8.3電鍍技術128 8.4化學鍍131 8.5旋塗技術131 8.6溶膠—凝膠法133 本章小結134 習題134 參考文獻134 矽積體電路無疑是這個時代所創造的奇跡之一，正是這種能將數以千萬計的元器件集成於一塊面積只有幾平方釐米的矽晶片上的能力，造就了今天的資訊時代。矽集成電路技術綜合應用了多種不同領域的科學技術成果。薄膜技術的應用就是人們開發新材料和新器件的研究結晶，通過不同的技術手段，在半導體材料上進行薄膜的生長、腐蝕，形成所需要的各種結構，實現設計器件的功能。半導體薄膜技

術已經成為矽積體電路製造工藝中不可或缺的重要一環。 半導體薄膜技術的發展幾乎涉及所有的前沿學科，而半導體薄膜技術的應用與推廣又滲透到各個學科及應用技術的領域中。為此，許多國家對半導體薄膜技術和薄膜材料的研究開發極為重視。從發展趨勢看，在科學發展日新月異的今天，大量具有各種不同功能的薄膜得到了廣泛的應用，薄膜作為一種重要的材料，在材料領域中佔據著越來越重要的地位。   目前，人們已經設計和開發出了多種不同結構和不同功能的薄膜材料，這些材料在化學分離、化學感測器、人工細胞、人工臟器、水處理等許多領域中，具有重要的潛在應用價值，被認為是21世紀膜科學與技術領域的重要發展方向之一。 本書主要介紹矽

單晶材料學、薄膜基礎知識、氧化技術、蒸發技術、濺射技術（PVD）、化學氣相澱積（CVD）技術及其他一些半導體薄膜加工技術。積體電路晶片的製造過程實際上就是在襯底上多次反復進行薄膜的形成、光刻和摻雜等工藝加工過程的組合。   在半導體工藝中，首要任務是解決薄膜加工工藝問題。積體電路技術的發展，要求製備薄膜的品種不斷增加，對薄膜的性能要求日益提高，新的薄膜製備方法也不斷湧現並逐漸成熟。本書主要介紹積體電路加工工藝過程中常用的薄膜製備技術，在介紹薄膜製備技術之前，對積體電路的發展歷程和今後的發展趨勢進行介紹，對積體電路製造中常用的襯底材料——矽的製備也進行詳細介紹，然後討論薄膜物理學。   在介紹每

一種薄膜製備工藝的過程中，還對各個製備工藝的設備原理進行簡單介紹。通過本書的學習，讀者可以掌握基本的半導體薄膜製備技術，瞭解薄膜製備工藝的特點和應用場所，瞭解不同薄膜製備工藝所製備薄膜的特點及相關測試方法，並對相關製造設備有一定瞭解，同時，還對部分相關設備的生產廠商進行簡要介紹。 …… 我們希望本書不僅成為一本簡單的教材，還可以成為廣大工程技術人員的一本參考手冊。由於半導體薄膜的技術內容非常豐富，本書不可能包含所有的薄膜技術，所以本書是以半導體薄膜技術的基礎研究為目的，在此基礎上再去深入研究各種薄膜製備技術，將不是很困難的事。 本書由李曉幹、王奇、劉猛共同編寫。其中，李曉幹主要編寫了緒論、

薄膜基礎知識、氧化技術和真空鍍膜技術，劉猛編寫了矽單晶材料學、CVD技術和其他半導體薄膜技術，王奇編寫了濺射工藝部分。全書由李曉幹、劉猛進行統稿。 由於半導體薄膜技術的發展日新月異，涉及的科學技術領域繁多，編寫者的水準有限，在編寫中存在錯誤在所難免，歡迎廣大讀者批評指正！ 作者 2018年1月

背接觸電極砷化鎵薄膜太陽能電池製作之研究

為了解決sio2鍍膜的問題，作者林昱成 這樣論述：

對於單接面的太陽能電池而言，砷化鎵是一種極好的材料，由於其材料特性為直接能隙可以有效率的吸光和發光，且擁有良好的輻射硬度及低溫度係數，所以砷化鎵太陽能電池被廣泛的使用在太空應用及聚焦光伏特系統中。理論上在AM1.5G的光譜下單接面砷化鎵太陽能電池的轉換效率高達33.5％。 在過去40年來高效率的背接觸矽太陽能電池已經被廣泛探索且擁有許多背接觸式的設計。主要藉由將全部或部份的正面電極移至元件的後面來降低遮蔽的損失，以提升元件的效率。但不論是一般結構或是背接觸式的矽太陽能電池，由於材料本身是間接能隙且吸光係數低，所以往往需要數百微米厚的作用層來吸光，相較之下，砷化鎵只需幾微米的厚度便能吸收

其吸光波段99%的光，所以砷化鎵太陽能電池更適合薄膜化及背接觸式的設計。 在此研究中，我們先利用程式對背接觸電極砷化鎵太陽能電池進行特性的數值模擬，利用模擬結果去設計磊晶結構及元件的製作流程，然後我們同時結合磊晶剝離(Epitaxial Lift-off)技術將砷化鎵磊晶層從砷化鎵基板上轉移到可撓式的基板，來製作一輕薄且可撓式的薄膜太陽能電池。接著我們藉由量測I-V特性曲線及量子效率來確認太陽能電池的特性，在AM1.5G下，其轉換效率可達到20.904%，電流密度為25.420 mA/cm2。 且在p電極間距及抗反射膜的優化條件下，其轉換效率達21.104%，電流密度25.732 mA/c

m2。由數據顯示出薄膜太陽能電池在背接觸設計下的潛力，且若後續再針對此結構進行優化再配合上砷化鎵基板的再利用製程，將可實現一個低成本且高轉換效率的薄膜太陽能電池。