sio2中文的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和資訊懶人包

半導體元件物理學第四版（上冊）

為了解決sio2中文的問題，作者施敏,李義明,伍國珏 這樣論述：

最新、最詳細、最完整的半導體元件參考書籍   　　《半導體元件物理學》（Physics of Semiconductor Devices）這本經典著作，一直為主修應用物理、電機與電子工程，以及材料科學的大學研究生主要教科書之一。由於本書包括許多在材料參數及元件物理上的有用資訊，因此也適合研究與發展半導體元件的工程師及科學家們當作主要參考資料。   　　Physics of Semiconductor Devices第三版在2007 年出版後（中譯本上、下冊分別在2008 年及2009 年發行），已有超過1,000,000 篇與半導體元件的相關論文被發表，並且在元件概念及性能上有許多突破，顯

然需要推出更新版以繼續達到本書的功能。在第四版，有超過50% 的材料資訊被校正或更新，並將這些材料資訊全部重新整理。   　　全書共有「半導體物理」、「元件建構區塊」、「電晶體」、「負電阻與功率元件」與「光子元件與感測器」等五大部分：第一部分「半導體物理」包括第一章，總覽半導體的基本特性，作為理解以及計算元件特性的基礎；第二部分「元件建構區塊」包含第二章到第四章，論述基本的元件建構區段，這些基本的區段可以構成所有的半導體元件；第三部分「電晶體」以第五章到第八章來討論電晶體家族；第四部分從第九章到第十一章探討「負電阻與功率元件」；第五部分從第十二章到第十四章介紹「光子元件與感測器」。（中文版上冊

收錄一至七章、下冊收錄八至十四章，下冊預定於2022年12月出版）   第四版特色   　　1.超過50%的材料資訊被校正或更新，完整呈現和修訂最新發展元件的觀念、性能和應用。   　　2.保留了基本的元件物理，加上許多當代感興趣的元件，例如負電容、穿隧場效電晶體、多層單元與三維的快閃記憶體、氮化鎵調變摻雜場效電晶體、中間能帶太陽能電池、發射極關閉晶閘管、晶格—溫度方程式等。   　　3.提供實務範例、表格、圖形和插圖，幫助整合主題的發展，每章附有大量問題集，可作為課堂教學範例。   　　4.每章皆有關鍵性的論文作為參考，以提供進一步的閱讀。

微晶玻璃技術（原著第二版）

為了解決sio2中文的問題，作者（列支）沃爾夫拉姆•霍蘭 這樣論述：

《微晶玻璃技術》先介紹了微晶玻璃的組成及性質特點，然後詳細講述了各種微晶玻璃系統和微晶玻璃的微觀結構控制，很後是微晶玻璃在具體領域的應用。書中有許多微晶玻璃技術實例，全面反映了歐美國家近期新的微晶玻璃生產技術和進展，具有很強的實用性和參考價值。   《微晶玻璃技術》可供從事無機非金屬材料研究的科研人員、生產技術人員參考，也可作為高等院校相關專業的教學參考書。

以金屬氧化物復合材料為基礎之氫氣感測器

為了解決sio2中文的問題，作者SHRISHA 這樣論述：

氫氣(H2)因其高度易燃性而被歸屬於有害氣體，當其於大氣下達4-7重量百分濃度時，即具有相當之危險性，存在爆燃的風險，且由於其無色無味，大大提升檢測管線洩漏之難度，也因此奠定了其感測器存在之必要性及重要性。近年來，金屬氧化物由於其優異的化學和物理性質被廣泛應用於此領域，如：ZnO、WO3、TiO2、SnO2、MoS2等。以金屬鎢為基材之複合材料被廣泛應用於感測器氣敏層相關研究中，因其對多種目標有毒氣體具高度之靈敏性。而三氧化鎢(WO3)應用於氫氣感測器之先例，因此本研究之第一部分將專注於還原氧化鎢(WO2.72)於此領域之應用的研究。以三氧化鎢為原材料，應用鍛燒法合成還原氧化鎢奈米粒子(WO

2.72)，並通過FE-SEM、XRD和Raman光譜進行樣品表徵確認。待合成完成，以旋塗方式完成感氣層於SiO2/Si晶圓之塗佈，並完成叉指式電極之沉積。經測試，WO2.72感測器於室溫條件下之感測能力為27%，且具備於500ppm濃度條件下長期穩定性及重複使用性。同時以電子耗盡層理論說明其機制。儘管銫鎢青銅(CsxWO3)已被廣泛應用於其他領域，但其並無作為氫氣感測器氣敏層材料之先例，因此本研究之第二部分延續對金屬鎢為基材之複合材料的研究，欲開發當前尚無相關研究之鎢青銅(MxWO3)於此領域之應用的研究，CsxWO3感測器之製程，以水熱法先行完成銫鎢青銅奈米棒的合成，並透過多項儀器鑑定其物

理性質以確保結構之型態，並以旋轉塗佈之技術將之形成薄層結構於SiO2/Si晶圓之上，完成感氣層製備，隨後完成橫向多指Pt電極，以利後續性能檢測測試。經測試於不同濃度之氫氣(10ppm至500ppm)，測試結果呈現，銫鎢青銅感測器於室溫下具優異的感測性能(31.3%)，並且優於WO3感測器(4.7%)。選擇性測試亦呈現優異結果，於氨氣及二氧化碳測試中僅有極低之響應。此材料具備可靠性、合成方法簡單、濕度影小及選擇性優異等優勢，大大提升其應用之可行性。且與WO3感測器相比，CsxWO3感測器具更為優異的表面吸附能力及更強的活性O2官能基電誘導能力，因而展現了增強的氣敏性。當前CsxWO3感氣層展現優

異的效能，成功證實MxWO3作為金屬氧化物氣體感應器之可行性。於第三部分研究中，成功以溶劑熱法合成新型CsxWO3/MoS2奈米複合材料，再次採用旋轉塗佈之技術，完成於SiO2/Si晶圓形成感氣薄層結構之操作，並以PVD技術沉積設計之叉指式電極完成感測器製備。經測試，CsxWO3/MoS2感測器可於室溫下展現優異的氫氣感測能力，尤其包含15wt.% MoS2 (15 % CsxWO3/MoS2)之奈米複合材料，其感測性能甚至可達51%。此外，因具有高度循環穩定性，更增添其於實際應用的優勢。於本篇之最後一項研究，預期導入先進技術，以Zirconium-based metallic glass n

anotube arrays為基材，於其上透過實驗參數設定，完成氧化鋅(ZnO)奈米棒之生長，並以此材料做為氫氣感氣層之應用。於具contact-hole陣列(孔徑為2 µm)之光阻劑形成之模板上濺鍍沉積metallic glass (Zr60Cu25Al10Ni5)以得異質Zirconium-based metallic glass nanotube arrays，並沉積ZnO種子層以提供成核位點以利於metallic glass nanotube arrays內部生長奈米棒狀結構，其後採水熱法完成ZnO奈米棒之生長，接著濺鍍Pt電極，以利後續性能檢測測試。經實驗證實，Fabricated

Zirconium-based metallic glass nanotube arrays with ZnO nanorods (Zr-ZnO-nanorods)具優異的氫氣傳感性能。