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國立中央大學 光電科學與工程學系 楊宗勳、孫慶成所指導 林倖如的 用於紫外光曝光系統之石英透鏡陣列設計與驗證 （2020），提出euv曝光機原理關鍵因素是什麼，來自於曝光機、不均勻度、光學利用率、透鏡陣列。

而第二篇論文國立中正大學 機械工程系研究所 敖仲寧所指導 邱育慈的 優化直接壓印與嵌入式壓印及金屬蝕刻製程製備Au/PMMA複合光柵之研究 （2017），提出因為有 直接金屬奈米壓印、嵌入式奈米壓印、金光柵、偏振片、PMMA基板、乾式蝕刻、RIE、ICP-RIE的重點而找出了 euv曝光機原理的解答。

最後網站11纳米Arf光刻机将于年内推出，深紫外EUV曝光机仍需2年。則補充：随后依托该技术产业化成立华卓精科向市场推出商用光刻机双工件台产品。另外在EUV曝光系统方面，长春光机所于2002年研制国内第一套EUV光刻原理装置，于2016 ...

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧：

除了euv曝光機原理，大家也想知道這些：

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投資台積電也了解一下台積電的技術護城河在哪裡吧！奈米製程裡用到的EUV技術，極紫外光是什麼呢？雖然三星、Intel英特爾也有EUV光刻機/曝光機，但是最終能夠駕馭這個技術並成功量產的還是 2330 台積電。

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EUV的成果是2330台積電股價可以攀升的原因之一。為什麼呢？因為臺積電在這個製程領先才能在7奈米、5奈米上領先對手三星、Intel，讓訂單持續湧入。臺積電在防塵技術上的突破，就算是一顆奈米級的灰塵也會因此影響半導體廠的生產良率，而EUV光刻機對於防塵的要求又比過去採用DUV光刻機時更高，因此在三星及Intel都還卡在防塵處理這關時，台 積 電 成功改良了光罩防塵技術，就因此讓TSMC成為全球首間導入EUV技術並且達成量產的廠商，在7奈米的訂單上大幅超越死敵三星。

極紫外光大家可以理解為一種波長較短的紫外光，lithography最早是石版印刷的意思，現在也被用來稱呼為光刻技術，所以把他們兩者合起來就是“利用極紫外光來進行雕刻”的意思，那要雕什麼呢？要雕晶圓。

延伸閱讀：
台積電如何在財務數據打趴中芯國際
https://www.stockfeel.com.tw/?p=97264
挑戰晶圓代工霸主(I)─台積電VS聯電
https://www.stockfeel.com.tw/?p=41088
格羅方德退出 7 奈米 台積電笑納 AMD 需求
https://www.stockfeel.com.tw/?p=70550

資料參考：
《一文看懂光刻機》
《晶圓代工爭霸戰：半導體知識(前傳) 》
《拿走英特爾的皇冠、超車三星，台積電贏在一顆奈米級灰塵 》

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台積電拚5奈米關鍵技術！影片直擊極紫外光EUV微影技術是怎麼運作的https://www.bnext.com.tw/article/57392/asml-euv-tsmc-how-to-operation
何謂 EUV 微影？https://www.gigaphoton.com/ct/technology/euv-topics/what-is-euv-lithopgraphy

用於紫外光曝光系統之石英透鏡陣列設計與驗證

為了解決euv曝光機原理的問題，作者林倖如 這樣論述：

曝光機在半導體製程中扮演重要的一環，要將曝光機達到低不均勻度和高光學利用率，不只在光學設計上有難度，在石英光學元件上的製作也不簡單。首先，本論文針對不同石英陣列透鏡參數來分析其光學特性與影響，在考量其光學特性與製成的能力後，選定最符合需求的石英透鏡陣列參數，並以達到市面上曝光機的規格要求進行設計。本論文所設計與驗證之石英透鏡陣列通過市售上曝光機的規格要求，最後完成的有效面積為220 × 220 mm2、最高照度24 mW/cm2、不均勻度3.2 %和曝光系統準直角為1.7˚，且光學利用率達50%。

優化直接壓印與嵌入式壓印及金屬蝕刻製程製備Au/PMMA複合光柵之研究

為了解決euv曝光機原理的問題，作者邱育慈 這樣論述：

本研究突破了傳統光學微影方法的繁複步驟與高昂的曝光機設備，以直接金屬奈米壓印(Direct Metal Nanoimprint)一步到位使金屬光柵成型，結合嵌入式奈米壓印(Insertion Nanoimprint)技術使金光柵圖案嵌入至PMMA軟性透明基板中，最後搭配乾式蝕刻製程去除金屬殘留層(Residual Layer)，即製得可應用於液晶螢幕背光模組中具偏振功能的導光板。 由於直接金屬奈米壓印存在成型性不均的問題，圖案邊緣成型性較好，而圖案中央的成型性較差，因此本研究於壓印前針對金薄膜採取退火軟化熱處理並提升壓印機台的製程溫度極限，以改善金屬材料在壓印階段的流動性，並可

達到最小線寬70 nm之金光柵成型。於嵌入式壓印製程討論抗沾黏層的選用，本研究提出以FDTS作為抗沾黏層，可使嵌入式翻印時金薄膜之脫模有最佳效果。 最後再以乾式蝕刻技術去除金屬殘留層，本研究嘗試了反應式離子蝕刻(Reactive Ion Etching, RIE)與感應耦合電漿體反應式離子蝕刻(Inductively Coupled Plasma RIE, ICP-RIE)，同時比較氟系與氯系兩種蝕刻氣體，得到蝕刻後表面品質最佳且蝕刻製程時間最短的乾式蝕刻製程參數，製得可對可見光有偏振效果之線寬210 nm之Au/PMMA複合光柵偏振片。

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