Polyimide film的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和資訊懶人包

二維材料於邏輯元件與記憶體內運算應用

為了解決Polyimide film的問題，作者鍾昀晏 這樣論述：

半導體產業在過去半個世紀不斷地發展，塊材材料逐漸面臨電晶體微縮的物理極限，因此我們開始尋找替代方案。由於二維材料天生的原子級材料厚度與其可抑制短通道效應能力，被視為半導體產業極具未來發展性材料。此篇論文為研究二維材料二硫化鉬的N型通道元件之製作技術與其材料的特性與應用。首先，我們使用二階段硫化製程所製備的二硫化鉬沉積高介電材料並使用X-射線能譜儀（XPS）與光致發光譜（PL）進行分析，量測二硫化鉬與四種高介電材料的能帶對準，參考以往製程經驗，可結論二氧化鉿是有潛力介電層材料在二硫化鉬上，並作為我們後續元件的主要閘極介電層。接著使用二階段硫化法製作鈮（Nb）摻雜的二硫化鉬，Ｐ型的鈮摻雜可提升載

子摻雜濃度用以降低金半介面的接觸電阻，透過不同製程方式製作頂部接觸和邊緣接觸的兩種金半介面結構，傳輸線模型(TLM)分析顯示出，邊緣接觸結構比頂部接觸結構的接觸電阻率低了兩個數量級以上，並藉由數值疊代方式得知層間電阻率是導致頂部接觸結構有較高接觸電阻率主因，並指出邊緣接觸之金半介面在二維材料元件的潛在優勢。在電晶體研究上，我們使用化學氣相沉積（CVD）合成的二硫化鉬成功製作出單層Ｎ型通道元件，將此電晶體與記憶體元件相結合，用雙閘極結構將讀（read）與寫（write）分成上下兩個獨立控制的閘極，並輸入適當脈衝訊號以改變儲存在電荷儲存層的載子量，藉由本體效應（Body effect）獲得足夠大的

記憶區間（Memory window），可擁有高導電度比（GMAX/GMIN = 50）與低非線性度（Non-linearity= -0.8/-0.3）和非對稱性（Asymmetry = 0.5），展示出了二維材料在類神經突觸元件記憶體內運算應用上的可能性。除了與記憶體元件結合外，我們亦展示二維材料電晶體作為邏輯閘的應用，將需要至少兩個傳統矽基元件才可表現的邏輯閘特性，可於單一二維材料電晶體上展現出來，並在兩種邏輯閘（NAND/NOR）特性作切換，二維材料的可折疊特性亦具有潛力於電晶體密度提升。我們進一步使用電子束微影系統製作奈米等級短通道元件，首先使用金屬輔助化學氣相沉積 (Metal-as

sisted CVD)方式合成出高品質的二維材料二硫化鎢 (WS2)，並成功製作次臨界擺幅（Subthreshold Swing, S.S.）約為97 mV/dec.且高達106的電流開關比（ION/IOFF ratio）的40奈米通道長度二硫化鎢Ｐ型通道電晶體，其電特性與文獻上的二硫化鉬N型通道電晶體可說是相當，可作為互補式場效電晶體。另一方面，深入了解二維材料其材料特性後，可知在厚度縮薄仍可保持極高的機械強度，有潛力作為奈米片電晶體的通道材料。故於論文最後我們針對如何透過對元件製作優化提供了些許建議。

膠凝時間對可能用作柴油吸收劑藻酸鹽氣凝膠吸收率的影響

為了解決Polyimide film的問題，作者葉羅納 這樣論述：

漏油是海洋生態系統及其周邊的嚴重問題之一，已有一些技術可緩解這一問題，其中之一就是吸收。本研究探討使用自然可得的生物質，即海藻酸鈉，作為吸收劑合成的前體。雖然海藻酸鹽吸收劑合成和改性的各種方法已被廣泛研究，但關於凝膠時間對其性質和吸收率的影響所知甚少。本研究使用 1 w/v % 海藻酸鈉與 1 wt% CaCl 交聯 0、3、6 和 12 小時所得之海藻酸鹽氣凝膠(AA)分別稱為 AA-0、AA-3、AA-6、AA-12。凝膠時間對 AA 物理化學性質的影響藉由電感耦合等離子體發射光譜儀 (ICP-OES) 分析、使用壓汞孔隙率計 (MIP) 量測總孔體積和使用萬能測試機（UTM）評估其抗壓

強度；結果顯示凝膠時間越長，表觀密度和鈣含量增加，從而增加了 AA 氣凝膠的最大應力。本研究使用柴油為模型吸收物。在合成的 AA 中，AA-3 具有最高的吸收能力（Q=11.20 g/g）、可重複使用性（最多 29 次循環）和再吸收能力（Q= 4.09 g/g）。通過添加單寧酸和十二烷硫醇進行表面改性，將親水性 AA-3 轉化為更疏水的 AA-3Do。傅里葉變換紅外 (FTIR) 數據證實了在 AA-3Do 中成功地加入了添加劑。 AA-3Do 顯示能極快速吸收柴油，初始速率 ((R_0) 為 1.12E+09 g/g.s，但緩慢地吸收水 (R_0 = 27.6526 g/g.s)，在其動力學

數據中觀察到 2 吸收平衡。擬二級動力學和兩步線性驅動力 (LDF) 模型分別可最佳地描述柴油和水的吸收。本研究還探討了可重複使用性，並證明了 AA-3Do 偏好吸收柴油勝過吸收水。