Metal Sheet的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和資訊懶人包

Primer on Automotive Lightweighting Technologies

為了解決Metal Sheet的問題，作者Echempati, Raghu 這樣論述：

Dr. Raghu Echempati, PI, is a full professor of Mechanical Engineering at Kettering University. He earned his Master’s and Ph.D. in Mechanical Engineering from the Indian Institute of Technology (India) and another Master’s in Engineering Management from Kettering University. He is a registered prof

essional engineer (P.E.). He was an active member of SME and a certified manufacturing engineer also granted by SME. He is an active member and a fellow of ASME, active member and McFarland awardee of SAE, and an active member of ASEE. He participated in several study abroad programs in Germany and

taught design and finite element analysis courses for several semesters in Germany and in India. He secured Fulbright award twice to teach in India and in Thailand. Since 2005, he has been one of the organizers of Body Design and Engineering session of SAE world congress. He is a panel member to rev

iew proposals submitted to NSF, Fulbright and Gilman Foundation (for study abroad). He has published over 130 journal and conference papers and supervised several undergraduate and graduate student theses in the areas of design, finite element analysis and manufacturing. His academic teaching, appli

ed research and consulting experience spans over 25 years. He taught several core and elective courses in the mechanics, design and manufacture areas, including sheet metal forming course that he developed and taught for many years. He published a few papers with his students on formability of alumi

num sheet metal parts. Dr. Echempati worked at GM and other industries as a aculty Intern to understand the better practices followed in bulk and sheet metal forming processes, primarily using steel and to some extent aluminum formed conventionally and by hydroforming operations.

Metal Sheet進入發燒排行的影片

隨機離散摻雜在堆疊式奈米片場效電晶體源極/汲極延伸區的變異性模擬

為了解決Metal Sheet的問題，作者陳彥廷 這樣論述：

近年來，針對電子元件的隨機摻雜擾動，無摻雜通道的採用有效地緩解了此一問題。然而，對於立體結構元件的源極/汲極延伸區，其狹窄的橫切面預期了隨機離散摻雜在源極/汲極延伸區仍會造成元件特性的擾動。在此篇論文中，我們探討了隨機離散摻雜在垂直堆疊式奈米片場效電晶體源極/汲極延伸區造成的變異性，其中我們模擬了堆疊式奈米片場效電晶體在不同層數的通道堆疊下產生的直流特性變異。我們發現臨限電壓的變異性會隨著堆疊層數的增加而放大，並且隨著堆疊層數增加，導通電流與關態電流之間的變異特性有著不同的趨勢。我們發現，除了摻雜體數量變化造成的特性擾動，摻雜體的位置與摻雜體不均勻地分佈在各層通道能顯著地改變關態電流的散佈。

同時，摻雜體在源極延伸區與汲極延伸區對關態電流造成的影響也有統計上的不同，因此，藉由個別地摻雜不同濃度在源極延伸區與汲極延伸區，我們預期關態電流的變異性可以由此降低。

SOLIDWORKS Premium培訓教材

為了解決Metal Sheet的問題，作者實威國際工程部 這樣論述：

　　SOLIDWORKS Premium是組合SOLIDWORKS 3D建模與應用工具的超值版產品，其中包含SOLIDWORKS Toolbox標準零件庫、Costing製作成本分析、CircuitWorks電路設計、設計規範檢查工具、eDrawings電子工程圖、公差分析、影像渲染、3D掃描資料處理、曲面展開、管路與電纜設計⋯等等十餘項具有專業生產力的工具。這些工具的組合也是將SOLIDWORKS 3D模型應用在不同領域重要的接口，對於習慣以SOLIDWORKS為設計工具的使用者來說，會是一項必須了解並熟悉的進階需求，也是提升SOLIDWORKS用戶水平的最佳選擇。

二維材料於邏輯元件與記憶體內運算應用

為了解決Metal Sheet的問題，作者鍾昀晏 這樣論述：

半導體產業在過去半個世紀不斷地發展，塊材材料逐漸面臨電晶體微縮的物理極限，因此我們開始尋找替代方案。由於二維材料天生的原子級材料厚度與其可抑制短通道效應能力，被視為半導體產業極具未來發展性材料。此篇論文為研究二維材料二硫化鉬的N型通道元件之製作技術與其材料的特性與應用。首先，我們使用二階段硫化製程所製備的二硫化鉬沉積高介電材料並使用X-射線能譜儀（XPS）與光致發光譜（PL）進行分析，量測二硫化鉬與四種高介電材料的能帶對準，參考以往製程經驗，可結論二氧化鉿是有潛力介電層材料在二硫化鉬上，並作為我們後續元件的主要閘極介電層。接著使用二階段硫化法製作鈮（Nb）摻雜的二硫化鉬，Ｐ型的鈮摻雜可提升載

子摻雜濃度用以降低金半介面的接觸電阻，透過不同製程方式製作頂部接觸和邊緣接觸的兩種金半介面結構，傳輸線模型(TLM)分析顯示出，邊緣接觸結構比頂部接觸結構的接觸電阻率低了兩個數量級以上，並藉由數值疊代方式得知層間電阻率是導致頂部接觸結構有較高接觸電阻率主因，並指出邊緣接觸之金半介面在二維材料元件的潛在優勢。在電晶體研究上，我們使用化學氣相沉積（CVD）合成的二硫化鉬成功製作出單層Ｎ型通道元件，將此電晶體與記憶體元件相結合，用雙閘極結構將讀（read）與寫（write）分成上下兩個獨立控制的閘極，並輸入適當脈衝訊號以改變儲存在電荷儲存層的載子量，藉由本體效應（Body effect）獲得足夠大的

記憶區間（Memory window），可擁有高導電度比（GMAX/GMIN = 50）與低非線性度（Non-linearity= -0.8/-0.3）和非對稱性（Asymmetry = 0.5），展示出了二維材料在類神經突觸元件記憶體內運算應用上的可能性。除了與記憶體元件結合外，我們亦展示二維材料電晶體作為邏輯閘的應用，將需要至少兩個傳統矽基元件才可表現的邏輯閘特性，可於單一二維材料電晶體上展現出來，並在兩種邏輯閘（NAND/NOR）特性作切換，二維材料的可折疊特性亦具有潛力於電晶體密度提升。我們進一步使用電子束微影系統製作奈米等級短通道元件，首先使用金屬輔助化學氣相沉積 (Metal-as

sisted CVD)方式合成出高品質的二維材料二硫化鎢 (WS2)，並成功製作次臨界擺幅（Subthreshold Swing, S.S.）約為97 mV/dec.且高達106的電流開關比（ION/IOFF ratio）的40奈米通道長度二硫化鎢Ｐ型通道電晶體，其電特性與文獻上的二硫化鉬N型通道電晶體可說是相當，可作為互補式場效電晶體。另一方面，深入了解二維材料其材料特性後，可知在厚度縮薄仍可保持極高的機械強度，有潛力作為奈米片電晶體的通道材料。故於論文最後我們針對如何透過對元件製作優化提供了些許建議。