600V 電源供應器的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和資訊懶人包

超高壓nLDMOS/IGBT-like元件布局強化ESD能力之研究

為了解決600V 電源供應器的問題，作者周昱杰 這樣論述：

隨著電子元件及製程技術的迅速發展，功率半導體元件應用範圍越來越廣，其中以LDMOS 結構適合與CMOS積體電路整合使用。由於開關切換速度優勢，使得元件應用於驅動電路、LED 驅動電路、AC-DC電源電路、電源供應器等對應用領域方面。對於功率 MOSFET元件具備有之優勢，例如高輸入阻抗、較低驅動功率、低導通電阻以及較大的安全工作區間(SOA);對於元件可靠度問題以及抗雜訊能力仍需克服，因此LDMOS元件的抗靜電放電能力以及栓鎖效應抵抗能力為本論文的主軸。與低壓以及高壓元件，超高壓功率元件需要透過較大佈局面積，才能夠達到相同靜電放電防護等級。此外，針對超高壓 LDMOS元件及相似IGBT(In

sulated Gate Bipolar Transistor) 元件，當這些元件發生靜電放電事件時，這些元件架構由於內部寄生NPN(或者含PNP)所形成的一個寄生導通路徑，這些元件可以快速放電。但是這些超高壓元件可使用於輸入/輸出端，並且需要提供負載驅動電流外，作為輸出級外加防護元件遇到靜電放電事件，由於內部電路輸出級閘極浮接導致電位不確定性外部保護元件需要擁有更快速導通速度。本論文針對300V超高壓nLDMOS、相似IGBT-like元件圓形佈局、以及後來所提出的橢圓nLDMOS元件提高保護元件ESD免疫能力。最後並透過HBM測試機台、傳輸線脈衝系統 (Transmission- Line

pulse；TLP)進行量測，得到元件驟回崩潰後形成低阻抗路徑排放物理參數。論文分為四部分元件佈局架構:第一部分、相似IGBT-like元件將汲極端寄生SCR並且由內圈到外圈分為三等份，其中最外圈與其他兩等分分開，並且中間分成(非氧化層隔離/氧化層隔離)。其次該方法相似IGBT-like元件是在體極端/源極端下方嵌入PBL層、延伸DPW層並且將汲極端下方以P-BODY層增加阻抗；第三部分、改善DPW層離散調變將第一等分延伸至P-BODY層，SHPW層在元件漂移區中以離散方式調變。第四部份nLDMOS、IGBT-like元件的汲極端延伸POLY 層分別接上三種電位(VDD、FLOATING、G

ND)，以評估元件電性及抗ESD/Latch-up 可靠度能力有何影響。關鍵字：功率電晶體(Power MOSFET), 靜電放電(Electrostatic Discharge;ESD), 矽控整流器( Silicon Controlled Rectifier; SCR), 二次崩潰電流(It2), 橫向擴散金氧半電晶體(LDMOS), 安全工作區間(SOA), 絕緣閘雙極性電晶體(Insulated Gate Bipolar Transistor; IGBT),傳輸線脈衝系統(Transmission-Line Pulse System), 超高壓(UHV)

使用步階式氣隙電感實現高峰值輸出功率之電源轉換器

為了解決600V 電源供應器的問題，作者吳承叡 這樣論述：

電源轉換器於許多電動機械的應用中如：馬達、發電機、風扇等在設計時皆有高於常規輸出瓦數之規格需求，通常設計規格會為兩倍至三倍的峰值功率下進行設計。基於磁性元件飽和曲線之特性，電源供應器容易因此因素而失去高功率密度之優點。因此本論文以步階式氣隙之鐵氧體磁芯進行設計與分析，並以Maxwell Analysis有限元素模擬分析軟體進行驗證，最終應用於前級之功率因數修正器之中，達成在保持原體積、效率、iTHD的條件下，將設計於最大功率1 kW之功率因數修正器提升至峰值功率2 kW。