38mm電線耐電流的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和資訊懶人包

陽極氧化鋁膜/鋁線材微結構對電性之影響

為了解決38mm電線耐電流的問題，作者王聖方 這樣論述：

導線結構大部分為外覆高分子PVC的金屬線，普遍不耐高溫、酸鹼、磨耗以及嚴苛氣候，PVC絕緣外層耐溫僅60℃，隨著PVC老化並脆化，絕緣性降低，陶瓷層優異的材料特性可以解決此高分子的使用限制，用以取代傳統導線，完全不會有過熱燃燒起火問題，本研究使用陽極處理氧化鋁，作為絕緣層，PVC體積電阻 >1012 Ω - cm ，但氧化鋁卻有 >1014 Ω - cm ，相差百倍。以鋁線為芯材，表面用陽極處理生成氧化鋁作為絕緣層，作法如下：鋁線當作陽極，陰極選取石墨板為惰性電極，草酸為電解溶液，通電使鋁線材表面氧化形成氧化鋁薄膜，其化學性穩定，不受酸鹼腐蝕，氧化鋁熔點2,072°C，即使500°C下，體積

電阻率仍有1014 Ω - cm ，介電擊穿電壓有18KV/mm，氧化鋁不可燃、耐酸鹼、幾乎沒有壽命侷限。習知陽極氧化鋁是高密度堆積六角形孔洞，可填塞色料發色，其孔洞緊密排列，且氧化鋁膜緊密附著在鋁基材，可完整均勻包覆鋁線，空氣中當電壓小於10000V時不導電，電阻為無窮大，但電壓大於10000V時，空氣就會被擊穿而導電，設計氧化鋁作為絕緣層，再有孔洞提供的空氣電阻，研究陽極氧化鋁當作導線絕緣層的可行性。以CVD和PVD在金屬上披覆陶瓷，難以避開披覆層剝落問題，本研究選用工業用純鋁，先研磨將鋁表層氧化層去除，再浸泡氫氧化鈉，為了清潔表面，接著浸泡硝酸溶液中和殘留氫氧化鋁，同時表面敏化，再以化學

拋光將表面平整化，以利於進行陽極處理時能平均分布電荷。鋁基材之表面粗糙度與化學拋光後表面粗糙度成正比，2000號砂紙研磨所得粗糙度為0.72μm，足以有利於後續氧化鋁生長，10%草酸50V生成之微結構孔洞小，且可生成厚度35.92μm，此厚度為最佳電阻>2000MΩ。因氧化鋁因成長張應力產生沿線材方向的裂紋，而在裂紋處電擊穿，雖然已達到高絕緣電阻，但裂紋缺陷有擊穿後電阻出現，其氧化鋁膜成長厚度約每增加10V之電壓，厚度增加1倍，使用兩段式陽極處理，第一段使用30V，第二段使用50V，經由第一段10min以上製造緻密表層，再加上第二段加速生長，以達到最佳絕緣，第一段30V陽極處理需要大於10mi

n，而第二段加速生長其需要大於30min才能生長出能抵抗1000V高壓之絕緣電阻，再經由披覆凡力水，先隔絕氧化鋁與大氣接觸吸收水份，並填補應力產生裂紋，達到最高絕緣電阻之導線，製作出來之AAO最高耐電壓1000V下接近∞，並進一步解決具氧化鋁外層導線的彎折裂開問題，撓曲90度仍能抵抗250V直流電壓，工作溫度達450℃。

高功率脈衝磁控濺鍍製備軟性高頻電磁波遮蔽膜

為了解決38mm電線耐電流的問題，作者黃懷萱 這樣論述：

對於新一代5G通信技術而言，如何抑制電磁波干擾(Electromagnetic interference, EMI)以避免訊號傳輸受影響，將成為一重要挑戰。另一方面，在電子元件邁向微型化及可撓曲化之需求下，傳統金屬罩的EMI遮蔽材料將不再可行，其將迫使軟性覆膜式(Conformal) EMI遮蔽膜之需求日益增加。已知高功率脈衝磁控濺鍍(High power impulse magnetron sputtering, HIPIMS)具有高離化率及高離子轟擊能量之電漿特性，故可於低溫下沉積高品質及高附著力之薄膜於高分子基材。因此，本研究遂提出利用HIPIMS製備銅薄膜於聚氨酯(Polyureth

ane, PU)複合材料，藉由系統性製程參數之探討，以評估應用於軟性高頻電磁波遮蔽膜之可能性。研究結果顯示，由於HIPIMS峰值電流增加可以提高瞬間放電功率，因而可有效提升銅薄膜之結晶性與薄膜品質；此外，藉由沉積時間可以控制所得薄膜厚度。為此，本研究HIPIMS-Cu薄膜之最佳參數為峰值電流80 A及沉積時間10 min，其所得薄膜之厚度為200 nm、薄膜電阻為0.25 Ω/sq.，且於X band之平均電磁波遮蔽效率可達-60 dB。接著，藉由靜態撓曲試驗結果可知，HIPIMS-Cu薄膜之撓曲臨界曲率半徑為2.0 mm；進一步於曲率半徑2.5 mm下進行10,000次之動態撓曲試驗後，電阻

仍然保持穩定，並於X band波段之電磁波遮蔽效率仍維持於-58~-60 dB，故具有極佳之撓曲耐用性。此外，導入塗佈醇酸樹脂作為保護膜之設計，亦可使HIPIMS-Cu軟性EMI遮蔽膜成功通過三次耐銲試驗，加上其特性均優於目前市售產品，故驗證HIPIMS-Cu薄膜具有應用於軟性電磁波遮蔽膜之高度潛力。關鍵詞：電磁波遮蔽膜、覆膜式、高功率脈衝磁控濺鍍、銅薄膜、撓曲耐用性