1k電阻的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和資訊懶人包

電子束蒸鍍沉積Mg-Sn薄膜之熱電性質與顯微結構研究

為了解決1k電阻的問題，作者周靖霖 這樣論述：

熱電提供了一種從廢熱中回收發電的機制。Mg2Sn由於熱電性能媲美於當今效能最好的低溫型熱電材料Bi2Te3，並兼具環境相容性及低材料成本等優點，近年來極受矚目。利用缺陷控制與摻雜改質於提升Mg2Sn塊材的熱電性能雖有大幅進展，然而針對Mg2Sn薄膜熱電效能的改善尚處於萌芽階段。本研究利用電子束蒸鍍方式製備Mg-Sn合金熱電薄膜，並探討單一電子束蒸鍍、電子束共蒸鍍與離子束輔助蒸鍍等製程條件對合金薄膜之化學成分、化學結構、微結構及熱電性質的影響。在300 oC、1小時的熱處理過程除了能有效改善Mg-Sn合金薄膜的結晶性與導電性之外，更可使未反應完全之元素Mg或Sn充分反應形成Mg2Sn合金相。研

究結果顯示，薄膜的Mg/Sn成分比、電性、材料結構及顯微結構在電子束共蒸鍍過程中均能獲得最佳控制。我們發現當薄膜內的Sn百分比控制在38 % 附近時，薄膜具有面心立方結構(平衡相)與三角晶結構(非平衡相)的混合相共存，此時薄膜的載子濃度為3.6×1019 cm-3，Seebeck係數為210 μV/K、Power factor可高達882 μW/m-K2。Mg2Sn薄膜具有面心立方結構與三角晶結構的雙相共存及載子濃度控制在1019 cm-3範圍是具備優良熱電性能的關鍵。研究也發現，透過離子束輔助（IBAD）電子束共蒸鍍沉積Mg-Sn薄膜時，適當的離子束能量(60 V、0.2 ~0.4 A)不僅

有助於控制雙相結構的產生，更可微調載子濃度以獲得最佳的熱電性能。

神經電極阻抗頻譜量測之積體電路設計

為了解決1k電阻的問題，作者陳宜睿 這樣論述：

許多神經疾病是由於腦中神經細胞產生障礙或退化，導致神經功能運作不正常而影響病患行動或言語。疾病無法有效地以藥物治療，取而代之的是以電訊號來刺激疾病相關腦區。由於要精準地給予相關腦區進行適量的電訊號刺激，神經電極的阻抗頻譜圖是必須要知道的，本論文因應本實驗室所做之DBS神經電極大小進而估算出預計量測之阻抗範圍，進而進行後續的電路設計。在傳統的生物電極阻抗量測中，電流驅動量測法是主要的方式，原因為一般的待測物以電阻性居多，而且電流驅動量測法的方式是以電阻取代電容可以相對地減少其面積上的消耗。本論文使用一個以電壓輸入量測阻抗的方式，原因為所需量測電極之等效電阻過大的關係，無法輕易的以電流打入待測物

，。本論文之電路包括了以下幾個部分:由數位類比轉換器組成之訊號產生器、低聲噪放大器、數位回授控制器、連續近似類比數位轉換器以及輸入漏電補償電路，設計上可量測範圍為25f法拉至1.5n法拉，利用數位類比轉換器組成之訊號產生器製作一正弦波打入待測物後觀察低聲噪放大器之輸出端放大倍率來得出待測物之阻抗，若超出一定量值後可利用數位回授控制器來更改低聲噪放大器之回授電容，若在可量測範圍內，則會透過數位類比轉換器轉成數位訊號輸出。