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電阻值計算的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和資訊懶人包
電阻值計算的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦（美）貝克寫的 CMOS集成電路設計手冊(第3版·基礎篇) 可以從中找到所需的評價。
另外網站铜、铝导线在线计算电阻 - OSGeo中国也說明：铜导线铝导线电阻计算器. 电阻率/1米. 铜线=0.0172. 铝线=0.0282. 康铜=0.48. 锰铜=0.43. 请 登陆 后进行评论. Submit. 评论列表( 0 ).
國立高雄科技大學 電子工程系 張簡嘉壬所指導 陳世仁的 設施接地類型與電阻探討 （2021），提出電阻值計算關鍵因素是什麼，來自於接地。
而第二篇論文國立雲林科技大學 電子工程系 李蒼松所指導 洪劭慶的 互補金氧半混合交換電容直流-直流轉換器之研究 （2019），提出因為有 電源管理電路、直流-直流轉換器、混合交換電容、共振交換電容、軟充電交換電容、似共振交換電容的重點而找出了 電阻值計算的解答。
最後網站【iOS APP】ResistorColor 色碼電阻計算器則補充：這是一款色碼電阻計算器，選擇色碼顏色就會幫你自動計算電阻器的電阻值與誤差範圍，電容和電感也可用相同方式標示其容值及誤差範圍，在相關專業方面是一款方便的小工具 ...
CMOS集成電路設計手冊(第3版·基礎篇)
為了解決電阻值計算 的問題，作者（美）貝克 這樣論述：
討論了CMOS電路設計的工藝、設計流程、EDA工具手段以及數字、模擬集成電路設計，並給出了一些相關設計實例，內容介紹由淺入深。該著作涵蓋了從模型到器件，從電路到系統的全面內容，是一本權威、綜合的CMOS電路設計的工具書及參考書。 《CMOS集成電路設計手冊》英文原版書是作者近30年教學、科研經驗的結晶，是CMOS集成電路設計領域的一本力作。《CMOS集成電路設計手冊》已經過兩次修訂，目前為第3版，內容較第2版有了改進，補充了CMOS電路設計領域的一些新知識，使得本書較前一版內容更加詳實。 為了方便讀者有選擇性地學習，此次將《CMOS集成電路設計手冊》分成3冊出版，分別為基礎篇、數字電路篇和
模擬電路篇。本書作為基礎篇，介紹了CMOS電路設計的工藝及基本電參數知識。本書可以作為CMOS基礎知識的重要參考書，對工程師、科研人員及高校師生都有着較為重要的參考意義。 第1章 CMOS設計概述 1 1.1 CMOS集成電路的設計流程 1 制造 2 1.2 CMOS背景 6 1.3 SPICE概述 8第2章 阱 33 2.1 圖形轉移 34 n阱的圖形轉移 37 2.2 n阱版圖設計 37 n阱的設計規則 38 2.3 電阻值計算 39 n阱電阻 40 2.4 n阱/襯底二極管 41 2.4.1 PN結物理學簡介 41 2.4.2 耗盡層電容 45 2.4.
3 存儲或擴散電容 47 2.4.4 SPICE建模 49 2.5 n阱的RC延遲 51 2.6 雙阱工藝 54第3章 金屬層 61 3.1 焊盤 61 焊盤版圖設計 61 3.2 金屬層的版圖設計 64 3.2.1 metal1和via1 64 3.2.2 金屬層的寄生效應 66 3.2.3 載流極限 69 3.2.4 金屬層設計規則 70 3.2.5 觸點電阻 71 3.3 串擾和地彈 72 3.3.1 串擾 72 3.3.2 地彈 73 3.4 版圖舉例 75 3.4.1 焊盤版圖II 76 3.4.2 金屬層測試結構版圖設計 78第4章 有源層和多晶硅層 83 4
.1 使用有源層和多晶硅層進行版圖設計 83工藝流程 89 4.2 導線與多晶硅層和有源層的連接 92 4.3 靜電放電(ESD)保護 100第5章 電阻、電容、MOSFET 105 5.1 電阻 105 5.2 電容 113 5.3 MOSFET 116 5.4 版圖實例 124第6章 MOSFET工作原理 131 6.1 MOSFET的電容回顧 131 6.2 閾值電壓 135 6.3 MOSFET的IV特性 140 6.3.1 工作在線性區的MOSFET 140 6.3.2 飽和區 142 6.4 MOSFET的SPICE模型 145 6.4.1 SPICE仿真實例 149 6
.4.2 亞閾值電流 150 6.5 短溝道MOSFET 152 6.5.1 MOSFET縮比 153 6.5.2 短溝道效應 154 6.5.3 短溝道CMOS工藝的SPICE模型 155第7章 CMOS制備 165 7.1 CMOS單元工藝步驟 165 7.1.1 晶圓的制造 165 7.1.2 熱氧化 167 7.1.3 摻雜工藝 168 7.1.4 光刻 171 7.1.5 薄膜去除 174 7.1.6 薄膜沉積 177 7.2 CMOS工藝集成 181 7.2.1 前道工藝集成 183 7.2.2 后道工藝集成 202 7.3 后端工藝 213 7.4 總結 2
15第8章 電噪聲概述 217 8.1 信號 217 8.1.1 功率和能量 217 8.1.2 功率譜密度 219 8.2 電路噪聲 222 8.2.1 電路噪聲的計算和建模 223 8.2.2 熱噪聲 228 8.2.3 信噪比 234 8.2.4 散粒噪聲 247 8.2.5 閃爍噪聲 250 8.2.6 其他噪聲源 257 8.3 討論 259 8.3.1 相關性 259 8.3.2 噪聲與反饋 264 8.3.3 有關符號的一些最后說明 267第9章 模擬設計模型 275 9.1 長溝道MOSFET 275 9.1.1 平方律方程 277 9.1.2 小信號
模型 284 9.1.3 溫度效應 300 9.2 短溝道MOSFET 304 9.2.1 通用設計(起始點) 304 9.2.2 專用設計(討論) 308 9.3 MOSFET噪聲模型 310第10章 數字設計模型 319 10.1 數字MOSFET模型 320 10.1.1 電容效應 323 10.1.2 工藝特征時間常數 324 10.1.3 延遲時間與躍遷時間 325 10.1.4 通用數字設計 328 10.2 MOSFET單管傳輸門電路 329 10.2.1 單管傳輸門的延遲時間 331 10.2.2 級聯的單管傳輸門的延遲時間 333 10.3 關於測量的最后說
明 334附錄 339
設施接地類型與電阻探討
為了解決電阻值計算 的問題，作者陳世仁 這樣論述：
接地作業研究主要說明大地接地與土壤化學成分含量多寡、含水量、土壤平均電阻係數關聯性以及材料規格、接地極設置數量及形式的應用等，通常在新建或改建工程裡，接地作業通常是建築物基礎開挖後，先行施作的機電工項，其作業流程依序為基礎開挖、接地極埋設、導線連結、測試維護等，依設置形式區分單支金屬接地極、多支金屬接地極(或是銅板)配合金屬導線及其配件形成接地網、離子式接地，依系統可區分為避雷、電力、弱電、設備、靜電及金屬接地等，當然兩處以上設備系統或與兩處以上金屬接地會使用接地匯流排連接至接地網，接地匯流排至接地網等之連結導線距離是接地匯流排電位的參考依據。接地電阻量測值超過設計規定值應加設置接地極使其並
聯以便降低電阻。通常選用金屬物體作為導線及接地極為最普遍，因為金屬物體本身有自由電子且為熱與電的良導體，能迅速將故障、感應電流及累積電荷，藉由金屬接地系統將其電流導入土壤形成地回電路，使電氣設備系統等機具正常運轉。而設置接地系統是防止工作人員因誤觸漏電設備時，因感應電流造成損傷。當建築物完成設置接地系統時，會因接地極長時間使用產生金屬鏽蝕而增加接地電阻值，對於接地系統應定時測試及維護作業。關鍵字：接地、土壤、導線*指導教授
互補金氧半混合交換電容直流-直流轉換器之研究
為了解決電阻值計算 的問題，作者洪劭慶 這樣論述：
本論文提出一以系統封裝的晶片上閉迴路調節降壓型兩相位完全積體化直流-直流轉換器，其中電感使用了一般用途整合被動元件(GIPD)製程。本論文根據代表性電容技術、CMOS元件參數及GIPD螺旋電感技術，探討2：1降壓型共振交換電容架構的設計和最佳化。一CMOS/GIPD共振交換電容被提出，該轉換器在1.28mW/mm2產生超過600μW的功率且效率為80.8%。 此兩相位2:1轉換器提供輸入電壓從3.2V至3.3V，且以TSMC 0.18μm CMOS製程搭配GIPD技術實現。