砷化鎵半導體的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和資訊懶人包

固態電子學

為了解決砷化鎵半導體的問題，作者李雅明 這樣論述：

　　電子工業在近代科技中佔有非常重要的地位，電子工業的基礎即為電子元件，而電子元件就是從固態物理發展出來的。本書從基本的固態物理出發，介紹電子元件和積體電路的原理和應用，著重在建立固態物理和電子工程的關聯，同時也強調從固態物理發展出來的能帶理論是可以應用到包括金屬、半導體和絕緣體等所有固態材料。

砷化鎵半導體進入發燒排行的影片

空氣柱光子晶體面射型雷射之製程相關議題

為了解決砷化鎵半導體的問題，作者凃思羽 這樣論述：

本論文採用空氣柱式光子晶體面射型雷射之製程，製作出可於室溫操作的電激發光子晶體面射型雷射，其發光波長在905 nm波段，光子晶體的設計採用非對稱雙圓且間隔為a/3的偏移擺放，使其達到破壞晶格對稱性的功效以增加面射出光強度，雷射的斜率效率最高可達0.345 W/A，閾值電流約為120 mA，但元件串聯電阻仍過高，約為2.5 Ω。為了改善元件因具有較高的串聯電阻因而受熱效應所導致出光強度的衰退，我們透過縮短電流橫向行經氧化銦錫薄膜之距離，使得元件的串聯電阻由2.5 Ω下降至1.6 Ω。除此之外，我們試圖藉由設計金屬網格圖形來解決電流擁擠效應之問題，但由實驗結果得知，近場圖形分布的不均勻來自雷射增

益的不均勻分布，推測這是由於氧化銦錫薄膜與其下方半導體接面非為良好的歐姆接觸所致，而非受限於載子於氧化銦錫薄膜上的橫向傳播距離。且當雷射增益分布不均勻時，會使得元件也可能操作於偏離Γ點的能帶平坦區域，因而造成了花瓣狀的遠場圖形，限制了在光達系統上光束掃描的應用。最後，我們針對進行光子晶體面射型雷射元件的製作時需要關注的四大議題 : 光子晶體之製作、氧化銦錫薄膜與其下方砷化鎵半導體之介面、電流注入、邊界效應，分別去做詳細的探討，並給予了未來進行元件製程時應依循的方向。