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砷化鎵英文的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和資訊懶人包
砷化鎵英文的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦宮村一夫寫的 元素城市GO!：看圖認識118個化學元素 和(美)唐納德·A.尼曼 著的 半導體物理與器件＝Semiconductor Physics and Devices：Basic Principles，Fourth Edition：英文版都 可以從中找到所需的評價。
這兩本書分別來自八方 和電子工業出版社所出版 。
國立臺北科技大學 管理學院EMBA大上海專班 耿慶瑞所指導 張富隆的 電子級特氣的創新商業模式 （2021），提出砷化鎵英文關鍵因素是什麼，來自於半導體產業發展、電子級特氣、創新商業模式、商業模式九宮格。
而第二篇論文育達科技大學 資訊管理所 張毓騰所指導 許志嘉的 使用資料探勘方法於銀行業的顧客關係管理 （2021），提出因為有 資料探勘、關聯法則、顧客關係管理、資料處理的重點而找出了 砷化鎵英文的解答。
元素城市GO!：看圖認識118個化學元素
為了解決砷化鎵英文 的問題，作者宮村一夫 這樣論述：
元素週期表不用背， 讓孩子自然而然記住！ 還在給你家的寶貝陪讀《白雪公主》、《小紅帽》嗎？ FB創始人祖克柏給他未滿月的女兒讀《寶寶量子物理學》！ 未來世界已知是充滿人工智慧，理科的知識應用將深入人類生活的每一個小細節。那麼，讓孩子從小接觸理科的基本常識，自然親近生物、化學、物理、數學等等，培育孩子的「理科腦」，是爸爸媽媽最聰明的長遠教育方式！ 本書特色 ◎ 收錄最新版118個化學元素。 ◎以超萌人物插畫代表每個元素，擬人化的個人特色或個性，讓讀者立刻記住化學元素的特性。 ◎ 解說簡單清楚，是最快入門的第一堂化學元素課。適合大人小孩親子共讀，以及正要學習
元素表的國、高中生。 ◎書中插畫人物身上皆有英文元素縮寫，元素的中英文一起記！ ◎隨書加贈獨家超萌版元素週期表拉頁。 ＊適讀年齡：10歲以上兒童、一般大眾
電子級特氣的創新商業模式
為了解決砷化鎵英文 的問題，作者張富隆 這樣論述：
經過60多年的發展，全球半導體材料共出現了三次創新的突破。第一代半導體材料主要是Si和Ge的發明，此發明奠定了電腦、網路和工業自動化技術發展的基礎，第二代半導體材料則是砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）此發明奠定了資訊技術的發展基礎。而目前全球正在快速研發的第三代半導體材料碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）等，主要是面向新一代電力電子、微波射頻和光電子應用，在新一代顯示及能源轉換等領域上有廣闊的應用前景，成為全球半導體產業發展的戰略目標。電子氣體屬於半導體八大核心材料之一，全球半導體行業協會（SEMI）調查數據顯示，電子氣體在半導體、晶圓、積體電路生產材料價值佔比13.50%，故 電子氣體
是繼矽片之後的第二大半導體材料。近年來，隨著中國對晶片的大量需求及美國的強勢打壓導致於中國對於積體電路產業的重視與支持，雖近年來中國的晶片產業發展迅速，但是與國際電子氣體巨頭公司目前仍有不小的差距。廣東H氣體股份有限公司 位於珠三角腹地佛山市南海區，創建於1999年，公司以廣東佛山為產品研發與生產基地。公司持有安全生產許可證件可從事包含研發、生產、銷售和各種特種氣體、混合氣體、電子氣體、電子化學品、醫用氣體、標準氣體等，另還有氣體相關設備及重要零件、氣瓶、醫療器械等。H公司從事各種氣體及氣體設備的研發和生產，氣體產品的種類覆蓋了普通工業氣體、電子工業用氣體、電光源氣體、超高純氣體、鐳射氣體、標
準氣體、醫用氣體、食品工業用氣體等十幾個系列共200多個品種，並不斷研發新產品以滿足高端市場需求。生產低溫絕熱氣瓶、汽化器、LNG應急鋼瓶等氣體設備，工程方面則是提供系統化整合設備、管道安裝及測試。本研究目的是以國內外電子特氣業界代表公司的產品及市佔有率來分析此行業，研究個案公司目前所擁有的外部資源與內部優勢。以商業模式九宮格的九個模組來思考與分析，重新制定市場的定位和原本經營策略下的創新商業模式。此研究希望能提供給個案公司在未來的商業策略模式更能符合公司的發展方向，使本研究能夠協助該公司在中國電子特氣市場裏開創新的局面。
半導體物理與器件＝Semiconductor Physics and Devices：Basic Principles，Fourth Edition：英文版
為了解決砷化鎵英文 的問題，作者(美)唐納德·A.尼曼 著 這樣論述：
《國外電子與通信教材系列:半導體物理與器件(第四版)(英文版)》是微電子技術領域的基礎教程。全書涵蓋了量子力學、固體物理、半導體材料物理及半導體器件物理等內容，分成三部分，共15章。第壹部分為半導體材料屬性，主要討論固體晶格結構、量子力學、固體量子理論、平衡半導體、輸運現象、半導體中的非平衡過剩載流子；第二部分為半導體器件基礎，主要討論pn結、pn結二極管、金屬半導體和半導體異質結、金屬氧化物半導體場效應晶體管、雙極晶體管、結型場效應晶體管；第三部分為專用半導體器件，主要介紹光器件、半導體微波器件和功率器件等。書中既講述了半導體基礎知識，也分析討論了小尺寸器件物理問題，具有一定的深度和廣度。另
外，全書各章難點之后均列有例題、自測題，每章末尾均安排有復習要點、重要術語解釋及知識點。美國新墨西哥大學電氣與計算機工程系教授，於新墨西哥大學獲博士學位后，成為Hanscom空軍基地固態科學實驗室電子工程師。1976年加入新墨西哥大學電氣與計算機工程系，從事半導體物理與器件課程和電路課程的教學工作。目前仍為該系的返聘教員。出版過Microelectronics Circuit Analysis and Design, Fourth Edition和An Introduction to Semiconductor Devices兩本教材。 第一部分 半導體材料屬性第1章固體晶
格結構11.0預習11.1半導體材料11.2固體類型21.3空間晶格31.3.1原胞和晶胞31.3.2基本的晶體結構41.3.3晶面和密勒指數61.3.4晶向91.4金剛石結構101.5原子價鍵121.6固體中的缺陷和雜質141.6.1固體中的缺陷141.6.2固體中的雜質161.7半導體材料的生長171.7.1在熔融體中生長171.7.2外延生長191.8小結20重要術語解釋20知識點21復習題21習題21參考文獻24第2章量子力學初步252.0預習252.1量子力學的基本原理252.1.1能量量子化262.1.2波粒二相性272.1.3不確定原理302.2薛定諤波動方程312.2.1波動方
程312.2.2波函數的物理意義322.2.3邊界條件332.3薛定諤波動方程的應用342.3.1自由空間中的電子352.3.2無限深勢阱362.3.3階躍勢函數392.3.4勢壘和隧道效應442.4原子波動理論的延伸462.4.1單電子原子462.4.2周期表502.5小結51重要術語解釋51知識點52復習題52習題52參考文獻57第3章固體量子理論初步583.0預習583.1允帶與禁帶583.1.1能帶的形成593.1.2克龍尼克—潘納模型633.1.3k空間能帶圖673.2固體中電的傳導723.2.1能帶和鍵模型723.2.2漂移電流743.2.3電子的有效質量753.2.4空穴的概念7
83.2.5金屬、絕緣體和半導體803.3三維擴展833.3.1硅和砷化鎵的k空間能帶圖833.3.2有效質量的補充概念853.4狀態密度函數853.4.1數學推導853.4.2擴展到半導體883.5統計力學913.5.1統計規律913.5.2費米—狄拉克概率函數913.5.3分布函數和費米能級933.6小結98重要術語解釋98知識點99復習題99習題100參考文獻104第4章平衡半導體1064.0預習1064.1半導體中的載流子1064.1.1電子和空穴的平衡分布1074.1.2n0方程和p0方程1094.1.3本征載流子濃度1134.1.4本征費米能級位置1164.2摻雜原子與能級1184
.2.1定性描述1184.2.2電離能1204.2.3III—V族半導體1224.3非本征半導體1234.3.1電子和空穴的平衡狀態分布1234.3.2n0和p0的乘積1274.3.3費米—狄拉克積分1284.3.4簡並與非簡並半導體1304.4施主和受主的統計學分布1314.4.1概率函數1314.4.2完全電離與束縛態1324.5電中性狀態1354.5.1補償半導體1354.5.2平衡電子和空穴濃度1364.6費米能級的位置1414.6.1數學推導1424.6.2EF隨摻雜濃度和溫度的變化1444.6.3費米能級的應用1454.7小結147重要術語解釋148知識點148復習題149習題14
9參考文獻154第5章載流子輸運現象1565.0預習1565.1載流子的漂移運動1565.1.1漂移電流密度1565.1.2遷移率1595.1.3電導率1645.1.4飽和速度1695.2載流子擴散1725.2.1擴散電流密度1725.2.2總電流密度1755.3雜質梯度分布1765.3.1感生電場1765.3.2愛因斯坦關系1785.4霍爾效應1805.5小結183重要術語解釋183知識點184復習題184習題184參考文獻191第6章半導體中的非平衡過剩載流子1926.0預習1926.1載流子的產生與復合1936.1.1平衡態半導體1936.1.2過剩載流子的產生與復合1946.2過剩載流
子的性質1986.2.1連續性方程1986.2.2與時間有關的擴散方程1996.3雙極輸運2016.3.1雙極輸運方程的推導2016.3.2摻雜及小注入的約束條件2036.3.3雙極輸運方程的應用2066.3.4介電弛豫時間常數2146.3.5海恩斯—肖克萊實驗2166.4准費米能級2196.5過剩載流子的壽命2216.5.1肖克萊—里德—霍爾復合理論2216.5.2非本征摻雜和小注入的約束條件2256.6表面效應2276.6.1表面態2276.6.2表面復合速度2296.7小結231重要術語解釋231知識點232復習題233習題233參考文獻240第二部分 半導體器件基礎第7章pn結2417
.0預習2417.1pn結的基本結構2417.2零偏2437.2.1內建電勢差2437.2.2電場強度2467.2.3空間電荷區寬度2497.3反偏2517.3.1空間電荷區寬度與電場2517.3.2勢壘電容（結電容）2547.3.3單邊突變結2567.4結擊穿2587.5非均勻摻雜pn結2627.5.1線性緩變結2637.5.2超突變結2657.6小結267重要術語解釋268知識點268復習題269習題269參考文獻275第8章pn結二極管2768.0預習2768.1pn結電流2768.1.1pn結內電荷流動的定性描述2778.1.2理想的電流—電壓關系2788.1.3邊界條件2798.1.
4少數載流子分布2838.1.5理想pn結電流2868.1.6物理學小結2908.1.7溫度效應2928.1.8短二極管2938.2產生—復合電流和高注入級別2958.2.1產生復合電流2968.2.2高級注入3028.3pn結的小信號模型3048.3.1擴散電阻3058.3.2小信號導納3068.3.3等效電路3138.4電荷存儲與二極管瞬態3148.4.1關瞬態3158.4.2開瞬態3178.5隧道二極管3188.6小結321重要術語解釋322知識點322復習題323習題323參考文獻330第9章金屬半導體和半導體異質結3319.0預習3319.1肖特基勢壘二極管3319.1.1性質上的特
征3329.1.2理想結的特性3349.1.3影響肖特基勢壘高度的非理想因素3389.1.4電流—電壓關系3429.1.5肖特基勢壘二極管與pn結二極管的比較3459.2金屬—半導體的歐姆接觸3499.2.1理想非整流接觸勢壘3499.2.2隧道效應3519.2.3比接觸電阻3529.3異質結3549.3.1形成異質結的材料3549.3.2能帶圖3549.3.3二維電子氣3569.3.4靜電平衡態3589.3.5電流—電壓特性3639.4小結363重要術語解釋364知識點364復習題365習題365參考文獻370第10章金屬—氧化物—半導體場效應晶體管基礎37110.0預習37110.1雙端M
OS結構37110.1.1能帶圖37210.1.2耗盡層厚度37610.1.3面電荷密度38010.1.4功函數差38210.1.5平帶電壓38510.1.6閾值電壓38810.2電容—電壓特性39410.2.1理想C—V特性39410.2.2頻率特性39910.2.3固定柵氧化層電荷和界面電荷效應40010.3MOSFET基本工作原理40310.3.1MOSFET結構40310.3.2電流—電壓關系——概念40410.3.3電流—電壓關系——數學推導41010.3.4跨導41810.3.5襯底偏置效應41910.4頻率限制特性42210.4.1小信號等效電路42210.4.2頻率限制因素和截
止頻率42510.5CMOS技術42710.6小結430重要術語解釋431知識點432復習題432習題433參考文獻441第11章金屬—氧化物—半導體場效應晶體管：概念的深入44311.0預習44311.1非理想效應44311.1.1亞閾值電導44411.1.2溝道長度調制效應44611.1.3遷移率變化45011.1.4速度飽和45211.1.5彈道輸運45311.2MOSFET按比例縮小理論45511.2.1恆定電場按比例縮小45511.2.2閾值電壓——一級近似45611.2.3全部按比例縮小理論11.3閾值電壓的修正11.3.1短溝道效應11.3.2窄溝道效應11.4附加電學特性11.
4.1擊穿電壓11.4.2輕摻雜漏晶體管11.4.3通過離子注入進行閾值調整11.5輻射和熱電子效應11.5.1輻射引入的氧化層電荷11.5.2輻射引入的界面態11.5.3熱電子充電效應11.6小結重要術語解釋知識點復習題習題參考文獻第12章雙極晶體管12.0預習12.1雙極晶體管的工作原理12.1.1基本工作原理12.1.2晶體管電流的簡化表達式12.1.3工作模式12.1.4雙極晶體管放大電路12.2少子的分布12.2.1正向有源模式12.2.2其他工作模式12.3低頻共基極電流增益12.3.1有用的因素12.3.2電流增益的數學表達式12.3.3小結12.3.4電流增益的計算12.4非理
想效應12.4.1基區寬度調制效應12.4.2大注入效應12.4.3發射區禁帶變窄12.4.4電流集邊效應12.4.5基區非均勻摻雜的影響12.4.6擊穿電壓12.5等效電路模型12.5.1Ebers—Moll模型12.5.2Gummel—Poon模型12.5.3H—P模型12.6頻率上限12.6.1延時因子12.6.2晶體管截止頻率12.7大信號開關12.7.1開關特性12.7.2肖特基鉗位晶體管12.8其他的雙極晶體管結構12.8.1多晶硅發射區雙極結型晶體管12.8.2SiGe基區晶體管12.8.3異質結雙極晶體管12.9小結重要術語解釋知識點復習題習題參考文獻第13章結型場效應晶體管1
3.0預習13.1JFET概念13.1.1pnJFET的基本工作原理13.1.2MESFET的基本工作原理13.2器件的特性13.2.1內建夾斷電壓、夾斷電壓和漏源飽和電壓13.2.2耗盡型JFET的理想直流I—V特性13.2.3跨導13.2.4MESFET13.3非理想因素13.3.1溝道長度調制效應13.3.2飽和速度影響13.3.3亞閩值特性和柵電流效應13.4等效電路和頻率限制13.4.1小信號等效電路13.4.2頻率限制因子和截止頻率13.5高電子遷移率晶體管13.5.1量子阱結構13.5.2晶體管性能13.6小結重要術語解釋知識點復習題習題參考文獻……第三部分 專用半導體器件附錄A
部分參數符號列表附錄B單位制、單位換算和通用常數附錄C元素周期表附錄D能量單位——電子伏特附錄E薛定諤波動方程的推導附錄F有效質量概念附件G誤差函數附錄H部分習題參考答案索引 出版本書第四版的目的在於將有關半導體器件的特性、工作原理及其局限性的基礎知識介紹給讀者。要想更好地理解這些基礎知識，就必須對半導體材料物理知識進行全面的了解。本書有意將量子力學、固體量子理論、半導體材料物理和半導體器件物理綜合在一起，因為所有這些理論對了解當今半導體器件的工作原理及其未來的發展是非常重要的。
使用資料探勘方法於銀行業的顧客關係管理
為了解決砷化鎵英文 的問題，作者許志嘉 這樣論述：
銀行業的信用卡資料的容量和領域隨時間的推移不斷增長和拓寬，形成了資料庫。如何有效地利用這些銀行業的信用卡領域工作者面臨的一個大問題。傳統的計算機領域中的處理方法是很難處理這樣大規模的銀行業的信用卡資料，因此必須藉助於資料探勘技術。本文首先綜述目前國內外資料探勘技術在銀行業的信用卡資料分析中的研究和應用現狀，闡述了資料探勘技術應用於銀行業的信用卡資料分析中取得的成果。對銀行業的信用卡資料多維資料集進行資料預處理，以提高資料探勘對象。然而，本文主要研究資料探勘技術在銀行業的信用卡資料分析中的應用：利用消費行為分析，發掘了一些異常進行消費行為分析維度值和異常記錄集；採用關聯法做資料探勘，以瞭解銀行
業的信用卡資料的關聯規則。提出了一種基於類輪廓的層次聚類方法，並利用基於類輪廓的層次聚類方法對氣象資料進行了聚類分析，證明了演算法的可行性、有效性和準確性；利用關聯規則分析技術研究銀行業的信用卡資料間頻繁相關的信用卡現象。最後採用主流資料探勘軟件和經典資料探勘模型。運用類型量測值找出明顯規則進行資料探勘。在以上的基礎上，本文探討了資料探勘主流技術應用在銀行業的信用卡資料分析中的重大理論意義和實用價值，並對信用卡資料的探勘得出了一些隱藏的、有用的模式、規則和知識，有效地偵測出顧客的目前行為，讓管理者能發現一些可能的改變，及提供顧客服務避免顧客的流失。因應消費趨勢，管理者做出最有效的運用，訂出不同
顧客群的行銷策略。