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矽原子量的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和資訊懶人包
矽原子量的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦齋藤勝裕寫的 圖解高分子化學：全方位解析化學產業基礎的入門書 和日本NewtonPress的 元素大圖鑑：伽利略科學大圖鑑9都 可以從中找到所需的評價。
另外網站精密陶瓷- 翰林雲端學院也說明：材料：氮化矽、氧化矽、碳化矽。 ... 脂肪酸皂化水煤氣硬水汙水處理空氣汙染綠色化學原子經濟奈米材料鹼性同系物定比定律倍比定律氣體化合體積定律平均原子量亞佛加厥 ...
這兩本書分別來自台灣東販 和人人出版所出版 。
國立陽明交通大學 電子研究所 簡昭欣、鄭兆欽所指導 鍾昀晏的 二維材料於邏輯元件與記憶體內運算應用 （2021），提出矽原子量關鍵因素是什麼，來自於二維材料、二硫化鉬、二硫化鎢、二維電晶體、記憶體元件、邏輯閘。
而第二篇論文國立陽明交通大學 電子研究所 林炯源所指導 陳竑任的 以第一原理量子傳輸理論研究在介面處有取代硫處理之二硫化鎢電晶體 （2021），提出因為有 二硫化鎢電晶體、第一原理、量子傳輸、接觸電阻的重點而找出了 矽原子量的解答。
最後網站益智化學續編>內容連載 - 博客來則補充：可是，學生並非化學家，故近年來有些美國的教科書已經不用「原子量」這個名辭而改用「相對原子質量」或「原子 ... 14, 矽, Si, 28.084 -- 28.086.
圖解高分子化學：全方位解析化學產業基礎的入門書
為了解決矽原子量 的問題，作者齋藤勝裕 這樣論述：
一書剖析現代社會不可或缺的化學產業知識 以不同形式活躍於生活當中的科學結晶 活用於建築、日用品以至於醫療領域的高分子全貌 高分子不是只有塑膠。橡膠、合成纖維也是高分子。 我們周遭的多種物質，譬如保麗龍、合成纖維中的聚酯與尼龍、 由橡膠製成的橡皮筋與輪胎，都是高分子。 植物由纖維素、澱粉等組成。這些纖維素、澱粉都屬於高分子。 動物的身體由蛋白質組成，蛋白質也是高分子。 不僅如此，負責遺傳功能的DNA或RNA等核酸，也是典型的高分子。 也就是說，高分子不只包含了由堅硬塑膠製成的櫥櫃、富彈性的橡膠製品， 也包含了各種維持生命、傳承生命的分子。 甚至連隱形眼
鏡、假牙，甚至是人造血管，都是高分子。 到了現代，不僅眼前的世界到處都是高分子，高分子也開始進入了我們的身體「內部」。 人類以化學方式製造出來高分子，稱做合成高分子。 最早的合成高分子「聚乙烯」於19世紀發明。 在這之後，1930年的美國化學家，華萊士．卡羅瑟斯發明了尼龍66後， 各種高分子化合物陸續被合成、開發出來，形成今日的盛況。 但於此同時，高分子也產生了許多過去未曾出現的問題， 其中最讓人頭痛的就是廢棄問題──塑膠公害。 堅固耐用是高分子的一大優點，它們耐熱、耐光、耐化學藥劑。 但這也表示它們遭丟棄後，難以自然分解。 在我們看不到的地方，有許
多遭丟棄塑膠製品仍保持著原本的樣子。 海洋中也漂流著許多細碎的塑膠微粒。 原本以「合成」為主軸的高分子化學，在新時代中可能還需考慮「分解」階段。 本書即是將高分子化學的基礎知識，以簡單明瞭的方式解說。 書中也會提及天然高分子和合成高分子的種類、性質和差異， 高分子所面臨的環境問題的解決方案，以及與SDGs相關的主題。
二維材料於邏輯元件與記憶體內運算應用
為了解決矽原子量 的問題，作者鍾昀晏 這樣論述：
半導體產業在過去半個世紀不斷地發展，塊材材料逐漸面臨電晶體微縮的物理極限，因此我們開始尋找替代方案。由於二維材料天生的原子級材料厚度與其可抑制短通道效應能力，被視為半導體產業極具未來發展性材料。此篇論文為研究二維材料二硫化鉬的N型通道元件之製作技術與其材料的特性與應用。首先，我們使用二階段硫化製程所製備的二硫化鉬沉積高介電材料並使用X-射線能譜儀（XPS）與光致發光譜（PL）進行分析，量測二硫化鉬與四種高介電材料的能帶對準，參考以往製程經驗，可結論二氧化鉿是有潛力介電層材料在二硫化鉬上，並作為我們後續元件的主要閘極介電層。接著使用二階段硫化法製作鈮（Nb）摻雜的二硫化鉬，Ｐ型的鈮摻雜可提升載
子摻雜濃度用以降低金半介面的接觸電阻，透過不同製程方式製作頂部接觸和邊緣接觸的兩種金半介面結構，傳輸線模型(TLM)分析顯示出，邊緣接觸結構比頂部接觸結構的接觸電阻率低了兩個數量級以上，並藉由數值疊代方式得知層間電阻率是導致頂部接觸結構有較高接觸電阻率主因，並指出邊緣接觸之金半介面在二維材料元件的潛在優勢。在電晶體研究上，我們使用化學氣相沉積（CVD）合成的二硫化鉬成功製作出單層Ｎ型通道元件，將此電晶體與記憶體元件相結合，用雙閘極結構將讀（read）與寫（write）分成上下兩個獨立控制的閘極，並輸入適當脈衝訊號以改變儲存在電荷儲存層的載子量，藉由本體效應（Body effect）獲得足夠大的
記憶區間（Memory window），可擁有高導電度比（GMAX/GMIN = 50）與低非線性度（Non-linearity= -0.8/-0.3）和非對稱性（Asymmetry = 0.5），展示出了二維材料在類神經突觸元件記憶體內運算應用上的可能性。除了與記憶體元件結合外，我們亦展示二維材料電晶體作為邏輯閘的應用，將需要至少兩個傳統矽基元件才可表現的邏輯閘特性，可於單一二維材料電晶體上展現出來，並在兩種邏輯閘（NAND/NOR）特性作切換，二維材料的可折疊特性亦具有潛力於電晶體密度提升。我們進一步使用電子束微影系統製作奈米等級短通道元件，首先使用金屬輔助化學氣相沉積 (Metal-as
sisted CVD)方式合成出高品質的二維材料二硫化鎢 (WS2)，並成功製作次臨界擺幅（Subthreshold Swing, S.S.）約為97 mV/dec.且高達106的電流開關比（ION/IOFF ratio）的40奈米通道長度二硫化鎢Ｐ型通道電晶體，其電特性與文獻上的二硫化鉬N型通道電晶體可說是相當，可作為互補式場效電晶體。另一方面，深入了解二維材料其材料特性後，可知在厚度縮薄仍可保持極高的機械強度，有潛力作為奈米片電晶體的通道材料。故於論文最後我們針對如何透過對元件製作優化提供了些許建議。
元素大圖鑑：伽利略科學大圖鑑9
為了解決矽原子量 的問題，作者日本NewtonPress 這樣論述：
★伽利略科學大圖鑑系列第9冊★ 最齊全、最精美的118種元素完全圖解 門得列夫於1869年製作的週期表只列出了63種元素，在那之後人們又陸續發現新元素，至今已有118種元素。同一族的元素通常具有類似的性質，「孤僻的族」難以和其他元素反應，「熱情的族」則會和許多元素結合成多彩多姿的化合物。元素就像人一樣，各自擁有獨特的「個性」。 每種元素名稱的由來也各異其趣，可能源自於某個地名、人名、天體名稱，甚至有些是因為當時對於新元素尚未瞭解透徹，而對其性質有部分誤解，才冠上了一個與現今知識不太相符的名稱。每個元素的背後都有一段故事，也與發現者的背景有關。 元素擁有不同的特徵，以不同的
形式存於世上。有些是電子裝置的重要元素，維繫著我們的日常生活，有些可以作為醫療器材或藥品的重要成分。因為元素間存在錯綜複雜的關係，才能孕育出各式各樣璀璨奪目的物質，也讓我們有機會創造出許多對生活大有裨益的產品。本書深度介紹與元素、週期表有關的深奧化學世界，鉅細靡遺地羅列出其基本性質與生活中常見的應用，歡迎大家一同來探索。 系列特色 1. 日本牛頓出版社獨家授權。 2. 主題明確，解釋清晰。 3. 以關鍵字整合知識，含括範圍廣，拓展學習視野。
以第一原理量子傳輸理論研究在介面處有取代硫處理之二硫化鎢電晶體
為了解決矽原子量 的問題，作者陳竑任 這樣論述：
矽基互補式金氧半場效電晶體的持續微縮遭遇短通道效應的限制，此限制從過去到未來的發展導致了一連串的問題。包含汲極引發位障降低(Drain-induced Barrier Lowering, DIBL)、閘極引發漏電(Gate-induced Drain Leakage, GIDL)、擊穿(Punch-Through)、載子遷移率下降等等。在各種可能使電晶體微縮至1nm節點以下的新穎通道材料中，具原子尺度的二維材料不僅直觀上可克服短通道效應，使電晶體更進一步微縮，同時仍保持高載子遷移率。單原子層WS2為一種最常被研究的過渡金屬二硫族化合物(TMD)材料，實驗上已被作為電晶體的通道材料來使用，並展
示出高電流開關比、高載子遷移率及高熱穩定性。發展WS2電晶體最迫切的挑戰在於降低接觸電阻，在本論文中，我們施以第一原理量子傳輸計算來研究Metal/WS2與Metal/WSX/WS2側接觸，試圖以硫族元素之取代來降低蕭特基位障，因此減少接觸電阻。在此該取代使用了五族或七族元素取代單層WS2一側部分區域之硫族元素，產生超材料WSX (X= P, As, F, Cl, Br)的部分。另外，我們進一步比較該取代在界面金屬化與界面鍵結以及其在蕭特基位障的效果。如此之WSX緩衝接觸展示了p型Pt/WSP/WS2側接觸和n型Ti/WSCl/WS2側接觸的接觸電阻分別低至122.4Ω∙μm與97.9Ω∙μm
。此外，我們也利用第一原理分子動力學觀測到室溫下穩定的單層WSX。