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矽半導體的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和資訊懶人包
矽半導體的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦森本雅之寫的 電力電子學圖鑑：電的原理、運作機制、生活應用……從零開始看懂推動世界的科技! 和李克駿,李克慧,李明逵的 半導體製程概論(第四版)都 可以從中找到所需的評價。
另外網站擅長專業分工，台廠反而不吃香？現正起飛的「碳化矽」半導體也說明：矽基半導體產業發展超過60 年，在台積電創辦人張忠謀開創晶圓代工商業模式後，產業走向高度垂直分工。不過，目前仍在起飛階段的SiC 半導體， ...
這兩本書分別來自台灣東販 和全華圖書所出版 。
國防大學 戰略研究所 郁瑞麟所指導 楊中元的 美國川普政府對中國科技戰之研究-以華為公司為例 （2021），提出矽半導體關鍵因素是什麼，來自於華為、5G、科技戰、川普、美中關係。
而第二篇論文國立中山大學 光電工程學系研究所 邱逸仁所指導 朱俊燁的 側向電流注入式之高侷限光波導整合絕緣層覆矽半導體雷射 （2021），提出因為有 異質整合、積體光路、矽光子、薄膜結構、高光侷限、半導體雷射的重點而找出了 矽半導體的解答。
最後網站矽晶・電子：矽說台灣–台灣半導體產業發展與全球地位 - 科技 ...則補充：矽晶・電子：矽說台灣–台灣半導體產業發展與全球地位 · 半導體產業的建立. 台灣半導體的產值居全球第二，若能配合軟體的創新應用，在這波不論是人工智慧、大數據，以及物 ...
電力電子學圖鑑：電的原理、運作機制、生活應用……從零開始看懂推動世界的科技!
為了解決矽半導體 的問題，作者森本雅之 這樣論述：
電力電子學和我有什麼關聯？ 事實上，只要插上插座，開始使用電能， 你就與電力電子學分不開！ 微波爐是如何加熱？ 洗衣機用了什麼機制降低音量？ 冰箱是如何達到智慧節能？ 油電混合車的運作機制為何？ 從家電到交通工具，維持現代生活與社會運轉， 電力電子學可以說是必要技術！ 看懂電力電子學＝通曉全世界！ 0基礎也能看懂有關「電」的一切！ 技術也會一直革新，即使閱讀專業書籍或教科書， 也很難跟得上現實中的電力電子產品。 全書用圖解方式解說基礎原理、使用實例， 即使不是專家，也能輕鬆理解！
矽半導體進入發燒排行的影片
美國川普政府對中國科技戰之研究-以華為公司為例
為了解決矽半導體 的問題，作者楊中元 這樣論述：
美國總統川普自2018年起以國家安全為由，陸續對中國發起科技制裁，以採取全政府的遏制戰略，透過行政、立法、司法等機構制定技術、人員、投資等一系列限制措施，並聯合盟國對中國華為公司進行科技圍堵。由於5G通訊技術被稱為下一代工業革命的核心，結合大數據、雲端、物聯網、人工智慧等，在未來經濟、軍事領域具有革命性影響力。而華為5G在此一領域專利數、市佔率、產業鍵等皆具世界領先優勢，基此，本文檢視美國川普政府運用政治、經濟、法律、外交等手段，對中國華為進行全方位遏制所產生的影響。本文發現在美國川普政府的各項遏制政策中，以「出口管制」及「外交圍堵」政策具有相當成效，「限制人員交流」政策次之，「限制中國對美
國投資」政策再次之。另外，由於美國對華為的制裁，亦導致全球半導體產業走向區域化，鑑此，台灣應及早因應及擬定預備方案，以強化整體半導體產業與多元發展。
半導體製程概論(第四版)
為了解決矽半導體 的問題，作者李克駿,李克慧,李明逵 這樣論述：
全書分為五篇，第一篇(1～3章)探討半導體材料之基本特性，從矽半導體晶體結構開始，到半導體物理之物理概念與能帶做完整的解說。第二篇(4～9章)說明積體電路使用的基礎元件與先進奈米元件。第三篇(10～24章)說明積體電路的製程。第四篇(25～26章)說明積體電路的故障與檢測。第五篇(27～28章)說明積體電路製程潔淨控制與安全。全書通用於大專院校電子、電機科系「半導體製程」或「半導體製程技術」課程作為教材。 本書特色 1.深入淺出說明半導體元件物理和積體電路結構、原理及製程。 2.從矽導體之物理概念開始，一直到半導體結構、能帶作完整的解說，使讀者學習到全盤知識
。 3.圖片清晰，使讀者一目瞭然更容易理解。 4.適用於大學、科大電子、電機系「半導體製程」或「半導體製程技術」課程或相關業界人士及有興趣之讀者。
側向電流注入式之高侷限光波導整合絕緣層覆矽半導體雷射
為了解決矽半導體 的問題，作者朱俊燁 這樣論述：
現下，積體光路與矽光子逐漸成熟，但其於主動端的特性並不突出，異質整合技術與三五族半導體之主動元件並達到高能源效率愈發重要，其中光波導結構是所有半導體光電元件相當重要的一部份，擁有光與電的高侷限能力且低製作成本及簡易製程的波導是大家所追求的。故我們利用先進的概念，設計一高侷限之側向電流注入式薄膜式結構，並使用實驗室之間接貼合技術，以僅約 40nm 之 BCB 異質整合三五族與絕緣層覆矽。過去本實驗室已以此結構製作出小尺寸、高消光比之異質整合的電致吸收調變器，此特殊波導表現強量子侷限史塔克效應。在長度 180μm 下的波導，消光比可達一伏特 11dB，但側向電流注入與光場型態的表現並不傑出，須透
過製程手段改善。因此在本論文中，我們則以此設計概念，製作出高侷限之側向電流注入式薄膜雷射，在不犧牲被動層的光場佔比下，模擬主動層的光侷限可達傳統垂直注入式的 1.4 倍，於矽的光場佔比亦被大幅提升，增益提高拉升能源效率，未來若製作 DFB 雷射亦有效控制光柵耦合效率。我們亦製作 TLM 電極測試半導體與金屬接觸特性，使我們的電性顯著改善以利電流注入。製程上，我們優化了實驗室的間接貼合技術，使良率大幅提升，並能承受長時間高溫以利後續製程；而後以製程手段及選擇性底切蝕刻製作出我們的側向電流注入式結構，使電流良好侷限入主動區，並以低折射率材料 BCB 絕緣及包圍形成高侷限光波導，最後沉積共平面電極以
便與矽平台整合，完成元件製作。接著，我們量測電性並進行快速熱退火優化，檢測半導體與金屬接觸；接著量測電流與光功率關係，在連續波電流下，臨界電流分別在長度 1150µm 及 1350µm 長度時為 80mA 與 110mA，最大輸出功率為 0.77mW 與 0.7mW，亦檢測電致發光頻譜，以連續波呈現半導體雷射表現 (Lasing)。後續針對不同蝕刻包覆層深度的光波導進行光電流頻譜與偏壓相依穿透率量測，兩者消光比差異高達 6dB；同時進行遠場量測，結果與模擬之場形與發散角皆相對應，製作成功且證實此設計之可行性及此特殊波導的光侷限性。