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國立陽明交通大學 電子研究所 林炯源所指導 陳竑任的 以第一原理量子傳輸理論研究在介面處有取代硫處理之二硫化鎢電晶體 (2021),提出導函數公式關鍵因素是什麼,來自於二硫化鎢電晶體、第一原理、量子傳輸、接觸電阻。

而第二篇論文國立陽明交通大學 電子研究所 林炯源、簡昭欣所指導 歐仲鎧的 具新穎氮硫化鎢界面結構的p型二硫化鎢電晶體: 以第一原理量子傳輸理論進行模擬計算 (2021),提出因為有 過渡金屬二硫屬化物、二維材料、密度泛函理論、二硫化鎢、非平衡格林函數、p型接觸、p型電晶體的重點而找出了 導函數公式的解答。

最後網站第14 章偏導數(Partial Derivatives) 14.1 多變數函數(Functions則補充:14.16兩變數的Taylor 公式. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175 ... (1) 設z = f(x, y) 有連續的一階偏導函數, 曲面S 為其圖形, 且P(x0,y0,z0) ∈.

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧:

除了導函數公式,大家也想知道這些:

升科大四技數學 C 領先講義含解析本 最新版(第十版) 附贈MOSME行動學習一點通

為了解決導函數公式的問題,作者林宸卲 這樣論述:

  1.本書以數學公式為主軸,並搭配相關歷屆試題,讓學生能循序複習重點,掌握統測趨勢。   2.本書目錄中列出全書公式內容、自我熟練度,可方便學生紀錄對各公式的熟悉程度,藉由對各公式的學習紀錄,便於學生加強準備較弱單元,達到全面學習的目標。   第1章 直線方程式 公式1 兩點距離公式 公式2 中點坐標公式 公式3 分點坐標公式 公式4 重心坐標公式 公式5 函數的概念 公式6 二次函數 公式7 直線的斜率 公式8 直線方程式~點斜式 公式9 直線方程式~截距式 公式10 直線方程式~平行與垂直 第2章 三角函數 公式1 角的認識 公式2 扇形 公式3 銳角三角函數 公式4 廣義角三

角函數~定義 公式5 廣義角三角函數~正負 公式6 廣義角三角函數~換算方法 公式7 三角函數的基本關係 公式8 三角函數的圖形 公式9 三角函數值的範圍 公式10 和角公式 公式11 二倍角公式 公式12 三角函數的極值~配方法 公式13 三角函數的極值 公式14 直線的斜角 公式15 直線的交角 公式16 正弦定理 公式17 餘弦定理 公式18 角形面積公式~兩邊一夾角 公式19 三角形面積公式~海龍公式 公式20 三角形測量 第3章 向量 公式1 向量的意義 公式2 向量的加法與減法 公式3 向量的實數積 公式4 向量的內積~利用長度與夾角 公式5 向量的內積~利用分量 公式6 向量的

平行與垂直 公式7 內積的性質 公式8 向量的應用~分點公式 公式9 向量的應用~面積與正射影 公式10 直線的距離公式 第4章 式的運算 公式1 多項式的定義 公式2 多項式的運算~加減與乘法 公式3 多項式的運算~長除法 公式4 多項式的運算~綜合除法 公式5 餘式定理 公式6 因式定理 公式7 一次因式檢驗法 公式8 最高公因式與最低公倍式 公式9 一元一次方程式 公式10 一元二次方程式 公式11 一元二次方程式~根與係數關係 公式12 多項式高次方程式 公式13 分式 公式14 根式 第5章 方程式 公式1 一次方程組 公式2 二階行列式 公式3 三階行列式 公式4 行列式的性質

公式5 克拉瑪公式~二元一次方程組 公式6 克拉瑪公式~三元一次方程組 第6章 複數 公式1 複數的定義 公式2 i 的循環性 公式3 複數的運算 公式4 根號a與根號b的乘除 公式5 實係數方程式虛根成對 公式6 複數平面 公式7 複數的極式 公式8 極式的乘除法 公式9 隸美弗定理 公式10 複數的n 次方根 公式11 1 的立方虛根 第7章 不等式及其應用 公式1 二元一次不等式的圖形 公式2 線性規劃 公式3 一元一次不等式 公式4 一元二次不等式~判別式大於0 公式5 一元二次不等式~判別式等於或小於0 公式6 二次函數的恆正或恆負 公式7 絕對值不等式及應用 公式8 柯西不等

式 公式9 算幾不等式 第8章 數列與級數 公式1 數列與級數的概念 公式2 Σ 公式3 等差數列 公式4 等差級數 公式5 等比數列 公式6 等比級數 公式7 利率問題 第9章 指數與對數 公式1 整數指數 公式2 有理數指數 公式3 絕數指數 公式4 指數函數的圖形 公式5 指數方程式 公式6 對數的定義 公式7 對數的運算公式(一) 公式8 對數的運算公式(二) 公式9 對數的運算公式(三) 公式10 對數函數的圖形 公式11 對數方程式 公式12 常用對數 公式13 首數與尾數 第10章 排列組合 公式1 加法與乘法原理 公式2 完全相異物直線排列 公式3 不完全相異物直線排列

公式4 重複排列 公式5 環狀排列 公式6 一般組合 公式7 重複組合 公式8 二項式定理 第11章 機率與統計 公式1 集合 公式2 機率的定義與性質 公式3 條件機率 公式4 獨立事件 公式5 數學期望值 公式6 資料整理 公式7 平均數、中位數與眾數 公式8 百分等級 公式9 全距與四分位距 公式10 變異數與標準差 公式11 抽樣方法 公式12 信賴區間與信心水準 第12章 二次曲線 公式1 圓的標準式 公式2 圓的一般式 公式3 圓的參數式 公式4 圓與點的關係 公式5 圓與直線的關係(一) 公式6 圓與直線的關係(二) 公式7 圓的切線(一) 公式8 圓的切線(二) 公式9 拋

物線~利用標準式求各要素 公式10 拋物線~利用一般式求各要素 公式11 拋物線~求方程式 公式12 圓~利用標準式求各要素 公式13 圓~利用一般式求各要素 公式14 橢圓~求方程式 公式15 雙曲線~利用標準式求各要素 公式16 雙曲線~利用一般式求各要素 公式17 雙曲線~求方程式 公式18 雙曲線的漸近線 公式19 圓錐曲線與直線的關係 第13章微積分及其應用 公式1 函數的定義域 公式2 函數的極限(一) 公式3 函數的極限(二) 公式4 導數與導函數的定義 公式5 函數的連續與可微 公式6 微分公式(一) 公式7 微分公式(二) 公式8 切線的斜率 公式9 高階導函數 公式10

羅耳定理與均值定理 公式11 函數的遞增、遞減與極值 公式12 函數圖形的凹向性與反曲點 公式13 函數圖形的描繪 公式14 數列的極限 公式15 夾擠定理 公式16 無窮等比數列與級數 公式17 循環小數 公式18 定積分的概念與性質 公式19 不定積分的求法 公式20 定積分的求法 公式21 利用定積分求面積  

導函數公式進入發燒排行的影片

微積分教室也富奸太久XDDD
這次是粉絲許願系列
帶你輕鬆理解除法微分公式
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如果你還是學生,你可以發現老師其實沒那麼討人厭😂如果你已經畢業,你可以在這裡找回一點青春回憶👩‍🎓👨‍🎓
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以第一原理量子傳輸理論研究在介面處有取代硫處理之二硫化鎢電晶體

為了解決導函數公式的問題,作者陳竑任 這樣論述:

矽基互補式金氧半場效電晶體的持續微縮遭遇短通道效應的限制,此限制從過去到未來的發展導致了一連串的問題。包含汲極引發位障降低(Drain-induced Barrier Lowering, DIBL)、閘極引發漏電(Gate-induced Drain Leakage, GIDL)、擊穿(Punch-Through)、載子遷移率下降等等。在各種可能使電晶體微縮至1nm節點以下的新穎通道材料中,具原子尺度的二維材料不僅直觀上可克服短通道效應,使電晶體更進一步微縮,同時仍保持高載子遷移率。單原子層WS2為一種最常被研究的過渡金屬二硫族化合物(TMD)材料,實驗上已被作為電晶體的通道材料來使用,並展

示出高電流開關比、高載子遷移率及高熱穩定性。發展WS2電晶體最迫切的挑戰在於降低接觸電阻,在本論文中,我們施以第一原理量子傳輸計算來研究Metal/WS2與Metal/WSX/WS2側接觸,試圖以硫族元素之取代來降低蕭特基位障,因此減少接觸電阻。在此該取代使用了五族或七族元素取代單層WS2一側部分區域之硫族元素,產生超材料WSX (X= P, As, F, Cl, Br)的部分。另外,我們進一步比較該取代在界面金屬化與界面鍵結以及其在蕭特基位障的效果。如此之WSX緩衝接觸展示了p型Pt/WSP/WS2側接觸和n型Ti/WSCl/WS2側接觸的接觸電阻分別低至122.4Ω∙μm與97.9Ω∙μm

。此外,我們也利用第一原理分子動力學觀測到室溫下穩定的單層WSX。

具新穎氮硫化鎢界面結構的p型二硫化鎢電晶體: 以第一原理量子傳輸理論進行模擬計算

為了解決導函數公式的問題,作者歐仲鎧 這樣論述:

實驗室所製作的過渡金屬二硫族化合物(含一定濃度缺陷)二維電晶體,由於費米能釘札導致其p型接觸非常稀少;另一方面,電腦計算模擬所對應的上述理想結構(二維材料無缺陷)則可在高功函數金屬顯出為p型接觸,但仍未達到足夠低的電洞蕭特基位障。因此本文提出一種金屬性的超材料硫氮化鎢作為傳統金屬與半導體通道之間的緩衝層。其結構的形成可揣摩是由簡單的metal/WS2側接觸做為出發,我將鄰近介面處一定面積的上排硫原子置換為氮。以第一原理及量子傳輸理論計算電子結構與傳輸電流。我發現在金屬與二硫化鎢之間僅需0.6奈米長的硫氮化鎢緩衝層,便可有效降低通道的電洞蕭特基位障:在以鉑為金屬電極的情形中,硫氮化鎢可使蕭特基

型的Pt/WS2側接觸轉變為歐姆特性,達成以單一二維材料實現互補式金屬氧化物半導體的目標。除了鉑電極,即便我採用低功函數的金屬鋁,在Al/WSN/WS2的結構,計算而得的蕭特基位障仍低至0.12 eV。上述鉑與鋁電極的計算結果表明,氮硫化鎢緩衝層顯著提升了選擇電極金屬的靈活性,令選擇不再受限於高功函數的貴重金屬:如金、鉑和鈀。我亦更進一步量化計算Pt/WSN/WS2在不同閘極電壓下的伏安特性,得出該結構有高達10^8的開關電流比和在汲極電壓50毫伏下231 µA/µm的導通電流(接觸電阻 ≈ 63.8Ω∙μm)。同時為驗證實驗製程時硫氮化鎢的穩定性,我們採用第一原理分子動力學在室溫下分別模擬氮

吸附、單顆氮取代硫和單層氮硫化鎢,發覺皆為穩定結構。