tio2折射率的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和資訊懶人包

中紅外波段帶通濾光片及其特性量測分析

為了解決tio2折射率的問題，作者陳冠伯 這樣論述：

本論文主要以雙電子槍蒸鍍輔以離子源輔助沉積製備兩種干涉濾光片，針對可見光波段與中紅外光波段進行干涉濾光片的設計及製作，可見光波段之干涉濾光片為長波通光學濾光片與中紅外波段之干涉濾光片為帶通濾光片，通帶設計波段為3 μm至5 μm，膜層設計以Essential Macleod光學薄膜軟體進行設計，本研究將以兩種不同波段所製備之多層膜進行量測實驗，並探討其光學特性、微結構分析與殘留應力特性。 長波通光學濾光片是以兩種差異較大的高低折射率介電材料鍍製，其中高折射率薄膜層為二氧化鈦(TiO2)，折射率為2.357；低折射率薄膜層為二氧化矽(SiO2)，折射率為1.467。 本研究製備兩款長波通

光學濾光片，層數設計分別為19層及29層，其中29層設計是加入拓寬層之設計，光譜結果顯示與19層相比，29層長波通光學濾光片成功的拓寬截止帶，且截止帶波長範圍從130 nm拓寬到215 nm。 中紅外波段帶通濾光片通過長波通與短波通的結合以非四分之一波厚薄膜設計的方式，設計上大幅度降低膜層的總厚度，縮短膜層的鍍製週期降低了膜層的鍍製難度，設計了以雙面拋光鍺基板與雙面拋光矽基板的中紅外3 μm~5 μm之帶通濾光片。在本研究以兩種不同基板製備的中紅外波段帶通濾光片之通帶穿透率皆有達到設計要求規格，波長3 μm~5 μm間考慮基板雙面反射情形下平均穿透率達60%以上，且通帶兩側之截止波段穿透率皆

小於1%，截止效果也與設計規格相符。 研究結果顯示中紅外波段帶通濾光片的鍍製在離子輔助沉積的條件下數值皆呈現壓應力值，以FE-SEM進行膜層微結構分析，觀察到膜層結構非常的緻密。其利用Spaepen提出的界面應力為原型基礎，並以實驗方法，使用兩種材料以兩種不同交替堆疊的多層膜求出兩種薄膜材料間的界面應力，再結合Ennos公式，以Ennos公式加入多層膜界面力推導出一種新的適用於預估多層膜殘留應力的模式，對中紅外波段帶通濾光片之多層膜殘留應力進行模擬預估與其實測結果比較進行驗證。20層中紅外波段帶通濾光片之實際鍍製厚度為8.03 μm，考慮界面力預估公式之預估殘留應力值為-0.247 GPa，

實測值為-0.231 GPa。23層中紅外波段帶通濾光片實際鍍製厚度為10.1 μm，考慮界面力預估公式之預估殘留應力值為-0.167 GPa，實測值為-0.197 GPa。經實驗證明，實測結果與考慮界面力之Ennos修正公式所預估殘留應力值非常的接近，可應用於多層膜殘留應力的預估。

陽極氧化鋁模板輔助次微米碘化銫晶柱之製備與研究

為了解決tio2折射率的問題，作者洪千萬 這樣論述：

閃爍晶體應用於醫療儀器、核能醫學、與安全檢測科技上具有良好的發展潛能，近年來文獻中多提及其製造技術，其中大部份以半導體技術作為製程，製程中要求高真空度，昂貴的儀器設備，而且製程時間甚長，相對地使閃爍晶體於量產與成本上受到了限制。本論文提供一新穎製造閃爍晶體的方法，改善以上諸問題。本論文利用陽極處理法製作不同深寬比之陽極氧化鋁模板，再利用真空壓鑄法將碘化銫熔液注入陽極氧化鋁模板內，熔液凝固後可得單晶結構之次微米碘化銫晶柱，晶柱的密度可達108~1010條．cm-2，此高深寬比與高密度之碘化銫晶柱將有助於提升碘化銫閃爍晶體之X-ray的入射效率、空間解析度、與訊號-雜訊比。關鍵詞：閃爍晶體、陽極

處理、次微米、碘化銫、晶柱。