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應用氧化亞錫覆蓋層於銦鎵鋅氧化物光感應薄膜電晶體技術之特性研究

為了解決surface關閉螢幕觸控的問題，作者陳怡亨 這樣論述：

近年來，隨著顯示器技術逐漸蓬勃發展，非晶態金屬氧化物薄膜電晶體應用在液晶顯示器(AMLCD)的周邊電路，已成為眾所注目的焦點。為了實現所謂的具高附加價值以及具有輸入功能的薄型化面板，將不同功能之電路整合至畫素上已是必要的考量。尤其從各式各樣的不同高階功能如：環境光感測、影像掃描、觸控式面板等，整合非晶態金屬氧化物光感測器成為一個最重要的關鍵技術。本論文研究中使用非晶態銦鎵鋅氧化物(a-InGaZnO)做為薄膜電晶體的主動層材料，而且在主動層材料(a-InGaZnO)上面沉積一層P型氧化物半導體薄膜材料為氧化亞錫(SnO)來作為光吸收層材料並且通入氧氣通量、薄膜厚度與退火溫度變化來尋找最佳化感

光性薄膜。之後以薄膜電晶體形式探討在主動層材料上有氧化亞錫/無氧化亞錫之覆蓋層、長通道及短通道、不同覆蓋層厚度、環境溫度效應下的光響應比較。在本研究成功地提出在可見光波長為460nm藍光的光響應達398A/W與訊雜比為6.8*105確保光感應元件應用在觸控螢幕不受環境光的影響，在各種操作環境下都能維持正常功能。我們藉由TEM 、EDX等進行材料分析清楚觀察到光感應元件結構、元素深度分佈與光感應元件結構是一致的。其次，使用XRD進行薄膜材料繞射分析得到3個繞射峰都可以使用參考晶向來證明它們是具有SnO結晶相。然而在此分析中沒有觀察到額外的雜質峰例如Sn原素或其他氧化錫相，證明雜質的含量是遠低於X

RD的分析極限（~5at％）。進一步使用XPS進行薄膜材料之化學鍵結分析得到具有Sn2+鍵結成份的SnO對於光吸收層材料來說主要訊號比例是88.28% 然而這個比例與XRD分析結果是一致的。對於O-Sn2+鍵結，它與SnO成份是有相關性的其訊號比值達(86.39%)。本實驗亦成功地實做並且計算出光感應元件中SnO、IGZO、IGZO/SnO覆蓋層等薄膜材料之光學能隙 (Optical Band Gap) 分別為2.19eV、3.16eV、2.54eV與穿透光譜都在75%以上。除了在可見光-藍光光源照射下元件具有良好的光響應外，當光源關閉後也有很好的復原效應。整體參數萃取是具有均勻性的結果所以能

提升氧化亞錫覆蓋層於銦鎵鋅氧化物之光感應薄膜電晶體的光電特性。

兒童電子繪圖筆筆桿造型與實體介面之研究

為了解決surface關閉螢幕觸控的問題，作者陳東勳 這樣論述：

繪畫是兒童與生俱來的能力，互動式的繪畫方式除了提升兒童學習成效，更增加自主學習的動力。雖然相關的互動學習產品愈來愈多，但研究兒童操作需求而研發的產品卻不多。以兒童電子繪圖筆為例，在他們使用的過程中，筆桿造型與功能按鍵配置是影響其操作的重要因素，能夠符合兒童握持習慣，才能對他們的繪圖或學習皆有更大的幫助。因此，為探究符合兒童握持之電子繪圖筆，本研究主要分為兩階段進行。本研究在第一階段探討，電子繪圖筆筆桿造型的握持適合度；第二階段則根據兒童手部握持動作，研究電子繪圖筆各功能按鍵的配置。第一階段研究包括兩個實驗，實驗一是請6位兒童進行繪圖行為任務，觀察兒童使用市售三種不同筆桿造型的繪圖筆，手部動作

轉換的情形；實驗二則是以3D 印表機印製三種常用之筆桿造型的電子繪圖筆，請117位兒童，根據描圖任務操作前後來判斷握持的適合度排序。第二階段研究亦包含兩個實驗。實驗一是請30位兒童根據電子繪圖筆的按鍵功能，判別各功能按鍵適合的位置，並以焦點團體法討論各功能按鍵配置的模式，作為實驗二之電子繪圖筆樣本製作的依據；而實驗二則邀請106位兒童，進行各功能按鍵與位置的配對確認。最後，提出符合兒童握持需求的電子繪圖筆設計原型。 研究結果發現：(1)目前市場上繪圖筆的筆桿造型以圓型最多，且大多數的兒童認為，繪圖筆筆桿造型為圓型較符合繪圖握持操作的習慣；(2)兒童握持繪圖筆繪圖過程會受到筆桿造型的不同所

影響，兒童使用方型筆桿的繪圖筆繪圖時，需要進行較多次數的手部動作轉換，其次為三角型筆桿，兒童使用圓型筆桿繪圖時最不需要進行手部動作轉換；(3)電子繪圖筆開啟按鍵與關閉按鍵配應置於電子繪圖筆筆尾，吸收顏色按鍵與釋放顏色按鍵應配置於食指握持處，而顯示色彩的功能應配置於電子繪圖筆筆頭的位置；(4)本研究依據兩階段研究結果，提出符合兒童握持需求之電子繪圖筆設計原則，並完成電子繪圖筆的3D原型。