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sio2電子點式的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦李曉干劉勐王奇寫的 半導體薄膜技術基礎 和章曉文，恩雲飛的 半導體集成電路的可靠性及評價方法都 可以從中找到所需的評價。
另外網站National Taiwan Ocean University Institutional Repository:Item ...也說明：再以穿透式電子顯微鏡（Transmission electron microscope, TEM）包括侷域電子繞射為輔，比 ... 膜層結構為ZnS-SiO2（130nm）/Au （5nm）/ Ge2Sb2Te5 ...
這兩本書分別來自電子工業 和電子工業所出版 。
國立陽明交通大學 材料科學與工程學系所 柯富祥所指導 杜博瑋的 磁敏釋放控制微膠囊並應用於金屬離子螢光感測 （2021），提出sio2電子點式關鍵因素是什麼，來自於微膠囊、雙乳化、釋放控制、熒光感測、磁性奈米顆粒。
而第二篇論文明志科技大學 材料工程系碩士班 黃宗鈺、黃裕清所指導 張銀烜的 應用超材料完美吸收體整合太陽能電池 （2021），提出因為有 超材料完美吸收體、阻抗匹配理論、室內弱光電池、光電轉換效率的重點而找出了 sio2電子點式的解答。
最後網站路易士結構 - Bkucuk則補充：2-1.1八隅體與路易士結構01_價電子與電子點式複習 ... 二氧化矽(SiO2)和二氧化碳(CO2)皆屬分子化合物，分子式相似，但二氧化碳中的兩個碳氧雙鍵呈直線型(碳的2p軌域 ...
半導體薄膜技術基礎
為了解決sio2電子點式 的問題，作者李曉干劉勐王奇 這樣論述：
本書對當前主要應用的薄膜技術及相關設備進行了深入淺出的介紹，主要包括作為最重要的半導體襯底的矽單晶材料學、薄膜基礎知識、PVD技術、CVD技術及其他相關的薄膜加工技術，在對各種技術進行介紹的同時，還對各種技術所應用的設備進行簡要介紹。本書提供配套電子課件。本 書作為半導體薄膜技術的入門書籍，既有薄膜技術的基本理論介紹，又提供了大量的設備基本結構知識，可以作為微電子等相關專業學生的教學參考書，對從事薄膜技術的工程技術人員而言，也可以作為相關的參考資料。 李曉幹，博士，畢業于英國里茲大學材料研究所，大連理工大學電子科學與技術系副教授。中國儀器儀錶協會感測器分會理事；全國氣、
濕敏專業委員會委員。主要研究方向為高性能半導體敏感材料，納米材料敏感電子學，感測器元件與檢測系統。 第1章緒論1 本章小結5 習題6 第2章矽單晶材料學7 2.1矽及其化合物的基本性質7 2.2矽的晶體結構13 2.3矽的生長加工方法16 2.4矽材料與器件的關係19 本章小結21 習題22 第3章薄膜基礎知識23 3.1薄膜的定義及應用23 3.2薄膜結構、缺陷及基本性質26 3.2.1薄膜的基本結構及缺陷26 3.2.2薄膜的基本性質29 3.3薄膜襯底材料的一般知識34 3.3.1玻璃襯底34 3.3.2陶瓷襯底35 3.3.3單晶體襯底36 3.3.4襯底清洗37
3.4薄膜的性能檢測簡介40 3.4.1薄膜的厚度檢測40 3.4.2薄膜的可靠性43 本章小結44 習題44 第4章氧化技術46 4.1二氧化矽（SiO2）薄膜簡介47 4.2氧化技術原理49 4.2.1熱氧化技術的基本原理50 4.2.2水汽氧化51 4.2.3濕氧氧化工藝原理52 4.2.4三種熱氧化工藝方法的優缺點53 4.3氧化工藝的一般過程54 4.4氧化膜品質評價58 4.4.1SiO2薄膜表面觀察法58 4.4.2SiO2薄膜厚度的測量58 4.5熱氧化過程中存在的一般問題分析61 4.5.1氧化層厚度不均勻61 4.5.2氧化層表面的斑點61 4.5.3氧化層的針孔62 4.
5.4SiO2氧化層中的鈉離子污染62 本章小結62 習題63 第5章濺射技術64 5.1離子濺射的基本原理64 5.1.1濺射現象64 5.1.2濺射產額及其影響因素65 5.1.3選擇濺射現象70 5.1.4濺射鍍膜工藝70 5.2濺射工藝設備72 5.2.1直流濺射台74 5.2.2射頻濺射台77 5.2.3磁控濺射79 5.3濺射工藝應用及工藝實例80 本章小結83 習題83 第6章真空蒸鍍技術84 6.1真空蒸鍍技術簡介84 6.2真空蒸鍍工藝的相關參數86 6.2.1工藝真空86 6.2.2飽和蒸氣壓88 6.2.3蒸發速率和沉積速率88 6.3真空蒸鍍源89 6.4真空蒸鍍設備9
0 6.4.1熱阻加熱式蒸鍍機（蒸發機）92 6.4.2電子束蒸發台94 本章小結96 習題97 第7章CVD技術98 7.1CVD技術簡介98 7.2常用CVD技術簡介99 7.3低壓化學氣相澱積（LPCVD）103 7.4PECVD107 7.5CVD系統的模型及基本理論115 7.6CVD工藝系統簡介117 7.6.1CVD的氣體源系統118 7.6.2CVD的品質流量控制系統118 7.6.3CVD反應腔室內的熱源119 本章小結119 習題119 第8章其他半導體薄膜加工技術簡介121 8.1外延技術121 8.1.1分子束外延121 8.1.2液相外延（LPE）123 8.1.3氣
相外延（VPE）124 8.1.4選擇外延（SEG）125 8.2離子束沉積和離子鍍126 8.3電鍍技術128 8.4化學鍍131 8.5旋塗技術131 8.6溶膠—凝膠法133 本章小結134 習題134 參考文獻134 矽積體電路無疑是這個時代所創造的奇跡之一，正是這種能將數以千萬計的元器件集成於一塊面積只有幾平方釐米的矽晶片上的能力，造就了今天的資訊時代。矽集成電路技術綜合應用了多種不同領域的科學技術成果。薄膜技術的應用就是人們開發新材料和新器件的研究結晶，通過不同的技術手段，在半導體材料上進行薄膜的生長、腐蝕，形成所需要的各種結構，實現設計器件的功能。半導體薄膜技
術已經成為矽積體電路製造工藝中不可或缺的重要一環。 半導體薄膜技術的發展幾乎涉及所有的前沿學科，而半導體薄膜技術的應用與推廣又滲透到各個學科及應用技術的領域中。為此，許多國家對半導體薄膜技術和薄膜材料的研究開發極為重視。從發展趨勢看，在科學發展日新月異的今天，大量具有各種不同功能的薄膜得到了廣泛的應用，薄膜作為一種重要的材料，在材料領域中佔據著越來越重要的地位。 目前，人們已經設計和開發出了多種不同結構和不同功能的薄膜材料，這些材料在化學分離、化學感測器、人工細胞、人工臟器、水處理等許多領域中，具有重要的潛在應用價值，被認為是21世紀膜科學與技術領域的重要發展方向之一。 本書主要介紹矽
單晶材料學、薄膜基礎知識、氧化技術、蒸發技術、濺射技術（PVD）、化學氣相澱積（CVD）技術及其他一些半導體薄膜加工技術。積體電路晶片的製造過程實際上就是在襯底上多次反復進行薄膜的形成、光刻和摻雜等工藝加工過程的組合。 在半導體工藝中，首要任務是解決薄膜加工工藝問題。積體電路技術的發展，要求製備薄膜的品種不斷增加，對薄膜的性能要求日益提高，新的薄膜製備方法也不斷湧現並逐漸成熟。本書主要介紹積體電路加工工藝過程中常用的薄膜製備技術，在介紹薄膜製備技術之前，對積體電路的發展歷程和今後的發展趨勢進行介紹，對積體電路製造中常用的襯底材料——矽的製備也進行詳細介紹，然後討論薄膜物理學。 在介紹每
一種薄膜製備工藝的過程中，還對各個製備工藝的設備原理進行簡單介紹。通過本書的學習，讀者可以掌握基本的半導體薄膜製備技術，瞭解薄膜製備工藝的特點和應用場所，瞭解不同薄膜製備工藝所製備薄膜的特點及相關測試方法，並對相關製造設備有一定瞭解，同時，還對部分相關設備的生產廠商進行簡要介紹。 …… 我們希望本書不僅成為一本簡單的教材，還可以成為廣大工程技術人員的一本參考手冊。由於半導體薄膜的技術內容非常豐富，本書不可能包含所有的薄膜技術，所以本書是以半導體薄膜技術的基礎研究為目的，在此基礎上再去深入研究各種薄膜製備技術，將不是很困難的事。 本書由李曉幹、王奇、劉猛共同編寫。其中，李曉幹主要編寫了緒論、
薄膜基礎知識、氧化技術和真空鍍膜技術，劉猛編寫了矽單晶材料學、CVD技術和其他半導體薄膜技術，王奇編寫了濺射工藝部分。全書由李曉幹、劉猛進行統稿。 由於半導體薄膜技術的發展日新月異，涉及的科學技術領域繁多，編寫者的水準有限，在編寫中存在錯誤在所難免，歡迎廣大讀者批評指正！ 作者 2018年1月
磁敏釋放控制微膠囊並應用於金屬離子螢光感測
為了解決sio2電子點式 的問題，作者杜博瑋 這樣論述：
微膠囊化技術因其在材料科學中的結構和功能性提供眾多優點而近年來受到廣泛的 關注。超分子化學是一門關注分子間非共價鍵作用力的化學學科，從中延伸出了很多 重要的概念和研究方向，例如分子螢光光探針，其螢光特性由其自身的分子結構決定， 但也容易受到環境因素的影響。在該方向上，本論文進行了詳細的研究，解釋了微膠 囊化技術與超分子化學完美的平衡組合，使其具有更好的穩定性和新穎的應用。首先 我們導入超分子化學概念通過一鍋反應合成的芘基衍生物，2((芘1亞甲基) 胺) 乙醇奈 米顆粒，和通過改質的磁性奈米顆粒用作觸發釋放元素通過雙乳化溶劑蒸發法包覆在 聚己內酯聚合物基質構建的微型膠囊中。用於檢測三價陽
離子的開關感測器通過新型 的螢光響應與磁場控制釋放機制被很好地整合在整個系統中，並且在外部震盪磁場下 可以有效地發生熱能與動能的轉換。(1) 通過一鍋法成功合成了具有聚集誘導光增強特性和三價陽離子感測能力的芘基衍 生物螢光探針。我們使用重結晶技術來提高該螢光探針化合物的純度，純度評估由螢 光光譜的半高寬的值確定。通過核磁共振光譜，紫外可見光光譜，螢光光譜和熱重分 析研究了選擇性螢光探針的特性。其聚集誘導光增強特性和對於三價陽離子 (鐵/鋁/鉻) 的選擇開關特性都表現完整且性能良好。在使用這種螢光探針作為核心材料被封裝在 微膠囊中之前，本節充分地研究了其基本特性，穩定的紫外可見光及螢光光譜的結果
是在溶劑 (乙腈) 和水 (100:900; 體積比) 的比例下進行的，強力的激發光在 505 nm，也 分別顯示出其對於三價鐵/鋁/鉻金屬陽離子優異的選擇性。(2) 為了成功通過外部震盪磁場觸發微膠囊的破裂，我們將利用共沉澱法合成並通過 檸檬酸修飾以達到避免團聚現象並提高其穩定性的磁性奈米顆粒嵌入聚合物基質中。 通過由動態光散射所測量到的粒徑分佈和界面電位以及掃描電子顯微鏡觀察到的圖 像，顯示出經過修飾的磁性奈米顆粒具有良好的分散特性和相對未修飾顆粒較小的粒 徑分佈。經過修飾的磁性奈米顆粒和選擇性熒光探針分子通過雙乳化結合溶劑蒸發法 成功封裝在微膠囊中，並通過光學顯微鏡，掃描電子顯微鏡，動
態光散射儀，熱重分i析儀，X 光散射儀，和核磁共振光譜儀對其表面形貌和特征進行了全面的研究。其結 果分別表明被修飾的磁性奈米顆粒和選擇性熒光探針確實有被微膠囊封裝在內，與此 同時，本節還深入討論了殼材料的高分子量的大小，雙乳化的內部水相濃度，以及在 分離微膠囊的離心過程中的離心速率的選擇，對合成微膠囊形貌以及包封效率的影響。 我們發現當聚合物外殼採用的分子量為 80,000 的聚己內酯時，所合成的微膠囊比其他 兩種較低分子量的顯示出更好的包覆效率和更加均勻的形狀，這主要是由於採用較高 分子量的高分子時，其油相在膠囊雙乳化狀態下的固化過程可以提供更好的穩定性。 此外，將溶解在乙腈中 10 mM
的熒光探針化合物作為內部水相的濃度與其他兩種濃度 (0.1 mM, 1 mM) 相比之下，也證明該濃度下所合成的微膠囊具有更好的均勻性和包覆 效率，因為較低濃度的內部水相會導致膠囊外殼內外滲透壓的不穩定。令人驚訝的是， 我們還發現在分離微膠囊的過程中，較高的離心速率會導致微膠囊的多孔性結構的產 生，這種現象可以通過調整較低的離心速率來消除。該策略同時也為未來開發新型多 孔性結構微膠囊的設計提供了一種新的途徑。在本節中，包覆了被修飾後的磁性奈米 顆粒和選擇性螢光探針的微膠囊的釋放行為和感測滴定分別以六十攝氏度的水浴加熱， 機械破壞，和超聲波粉碎的方式模擬其在磁場破裂的條件下進行，並且分別在不同狀
態下完美地測試了其結果。(3) 最後我們巧妙地設計了通過使用外部震盪磁場的方式來觸發芘基席夫鹼螢光 探針在微膠囊中的新型磁感應釋放機制。為了控制膠囊外殼的破裂，分散在乙腈/水 (900:100; 體積比) 中新合成的磁敏微膠囊通過直接感應加熱暴露在高頻磁場下。這些微 膠囊被成功觸發破裂釋放出所包覆的選擇性螢光探針，表現出優異的聚集誘導光增強 特性，和良好的選擇性開關螢光信號用於檢測三價金屬陽離子 (鐵/鋁/鉻)。被釋放的螢 光探針的檢測極限為:2.8602 × 10−6 M (三價鋁離子), 1.5744 × 10−6 M (三價鉻離子)，和 1.8988 × 10−6 M (三價鐵離子)。
該感測器平台也表現出優異的精確度和再現性，如變 異係數所示 (三價鐵離子 ≤ 2.79%, 三價鉻離子 ≤ 2.79%, 三價鋁離子 ≤ 3.76%)，各金屬離 子的回收率分別為:96.598.7% (三價鐵離子), 96.799.4% (三價鉻離子), 和 94.798.9% (三價鋁離子)。以上結果也充分說明了本文所述的控制釋放平台對於三價金屬陽離子 (鐵/鋁/鉻) 活性和實際樣品中的偵測，在未來環境監測甚至生物醫學方面的應用有一定 的價值和潛力。
半導體集成電路的可靠性及評價方法
為了解決sio2電子點式 的問題，作者章曉文，恩雲飛 這樣論述：
本書共11章，以硅集成電路為中心，重點介紹了半導體集成電路及其可靠性的發展演變過程、集成電路制造的基本工藝、半導體集成電路的主要失效機理、可靠性數學、可靠性測試結構的設計、MOS場效應管的特性、失效機理的可靠性仿真和評價。隨着集成電路設計規模越來越大，設計可靠性越來越重要，在設計階段借助可靠性仿真技術，評價設計出的集成電路可靠性能力，針對電路設計中的可靠性薄弱環節，通過設計加固，可以有效提高產品的可靠性水平，提高產品的競爭力。章曉文，工業和信息化部電子第五研究所高級工程師，長期從事電子元器件可靠性工作，在電子元器件可靠性物理、評價及試驗方法等方面取得顯著研究成果，先后獲省部級科技獎勵3項，發表
學術論文40余篇，實用新型專利授權一項，申請國家發明專利4項。 第1章 緒論 1.1 半導體集成電路的發展過程 1.2 半導體集成電路的分類 1.2.1 按半導體集成電路規模分類 1.2.2 按電路功能分類 1.2.3 按有源器件的類型分類 1.2.4 按應用性質分類 1.3 半導體集成電路的發展特點 1.3.1 集成度不斷提高 1.3.2 器件的特征尺寸不斷縮小 1.3.3 專業化分工發展成熟 1.3.4 系統集成芯片的發展 1.3.5 半導體集成電路帶動其他學科的發展 1.4 半導體集成電路可靠性評估體系
1.4.1 工藝可靠性評估 1.4.2 集成電路的主要失效模式 1.4.3 集成電路的主要失效機理 1.4.4 集成電路可靠性面臨的挑戰 參考文獻第2章 半導體集成電路的基本工藝 2.1 氧化工藝 2.1.1 SiO2的性質 2.1.2 SiO2的作用 2.1.3 SiO2膜的制備 2.1.4 SiO2膜的檢測 2.1.5 SiO2膜的主要缺陷 2.2 化學氣相沉積法制備薄膜 2.2.1 化學氣相沉積概述 2.2.2 化學氣相沉積的主要反應類型 2.2.3 CVD制備薄膜 2.2.4 CVD摻雜 2.3 擴
散摻雜工藝 2.3.1 擴散形式 2.3.2 常用雜質的擴散方法 2.3.3 擴散分布的分析 2.4 離子注入工藝 2.4.1 離子注入技術概述 2.4.2 離子注入的濃度分布與退火 2.5 光刻工藝 2.5.1 光刻工藝流程 2.5.2 光刻膠的曝光 2.5.3 光刻膠的曝光方式 2.5.4 32nm和22nm的光刻 2.5.5 光刻工藝產生的微缺陷 2.6 金屬化工藝 2.6.1 金屬化概述 2.6.2 金屬膜的沉積方法 2.6.3 金屬化工藝 2.6.4 Al/Si接觸及其改進 2.6.5 阻
擋層金屬 2.6.6 Al膜的電遷移 2.6.7 金屬硅化物 2.6.8 金屬鎢 2.6.9 銅互連工藝 參考文獻第3章 缺陷的來源和控制 3.1 缺陷的基本概念 3.1.1 缺陷的分類 3.1.2 前端和后端引入的缺陷 3.2 引起缺陷的污染物 3.2.1 顆粒污染物 3.2.2 金屬離子 3.2.3 有機物沾污第4章 半導體集成電路制造工藝第5章 半導體集成電路的主要失效機理第6章 可靠性數據的統計分析基礎第7章 半導體集成電路的可靠性評價第8章 可靠性測試結構的設計第9章 MOS場效應晶體管的特性第10章 集成電
路的可靠性仿真第11章 集成電路工藝失效機理的可靠性評價主要符號表英文縮略詞及術語
應用超材料完美吸收體整合太陽能電池
為了解決sio2電子點式 的問題，作者張銀烜 這樣論述：
在此研究中，我們預計整合一個室內弱光電池與超材料完美吸收體來促進整合元件的能量轉換效率。在模擬中，我們先將原先太陽能電池中包括電子傳輸層、主動吸光層和電洞傳輸層視為超材料完美吸收體中兩層金屬間的介電層；而在完美吸收體中所需要的上下金屬層亦可以作為太陽能電池中的上下金屬電極。在這樣的設計中，連續的金屬層可以阻擋穿透光，使得元件穿透為零。另一方面，具有圖形的金屬本身提供電響應。而具有圖形金屬亦會與底部連續金屬耦合形成反平行電流，進而提供磁響應。如此一來，整合元件的阻抗可以與自由空間阻抗匹配，使得元件的反射為零。簡單來說，整合元件在共振頻率下可以達到近乎完美吸收。緊接著，我們將利用電子束微影製程、
電子槍蒸鍍製程以及旋轉塗佈製程來製備試片，並利用自製光路系統量測整合元件以及作為對照組以銦錫氧化物為主室內弱光電池的吸收值。整合元件和銦錫氧化物為主室內弱光電池的總吸收值以及吸收積分值分別為3.42/276和3.45/281。其中兩個元件的總吸收值以及吸收積分值差異只有0.87%和1.78%。因此，我們相信兩個元件的光學特性極為接近。而在光學吸收差異較小的情況下，我們提出的整合元件擁有了包括較小的理論片電阻值（0.51 Ω⁄□），且因為使用金屬所以擁有較高的可撓曲性以及較便宜的金屬成本（相對銦而言）。綜合以上特點，我們相信我們所提出的超材料完美吸收體可以作為未來室內弱光電池中透明導電電極的候選
人之一。