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sio2英文的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦鄧春暉等寫的 磁性微納米材料在蛋白質組學中的應用 和章曉文，恩雲飛的 半導體集成電路的可靠性及評價方法都 可以從中找到所需的評價。
這兩本書分別來自復旦大學出版社 和電子工業所出版 。
國立雲林科技大學 環境與安全衛生工程系 郭昭吟所指導 郭憲治的 製備適用模擬太陽光之氧化鉍/蒙脫石/二氧化鈦光觸媒降解揮發性有機物1,2-二氯乙烷之研究 （2021），提出sio2英文關鍵因素是什麼，來自於二氧化鈦、蒙脫石、氧化鉍、1,2-二氯乙烷、模擬太陽光。
而第二篇論文朝陽科技大學 環境工程與管理系 章日行所指導 黃育珮的 利用氧化石墨烯與還原氧化石墨烯吸附廢水中染料之研究 （2021），提出因為有 氧化石墨烯、還原氧化石墨烯、亞甲基藍、甲基橙、孔雀石綠、吸附模型的重點而找出了 sio2英文的解答。
磁性微納米材料在蛋白質組學中的應用
為了解決sio2英文 的問題，作者鄧春暉等 這樣論述：
介紹磁性微納米材料在蛋白質組學研究前沿中的應用的學術專着。書中詳細介紹了目前應用於蛋白質組學研究的功能磁性微納米材料的合成方法和性能，通過大量近十幾年發表於國際核心期刊的研究實例，對磁性微納米材料在蛋白質組學快速酶解分析、蛋白質組學低豐度富集分析以及翻譯后修飾（磷酸化和糖基化）蛋白質組學選擇性分離富集分析中的應用原理及應用效果進行了較為系統的闡述。
製備適用模擬太陽光之氧化鉍/蒙脫石/二氧化鈦光觸媒降解揮發性有機物1,2-二氯乙烷之研究
為了解決sio2英文 的問題，作者郭憲治 這樣論述：
本研究藉由蒙脫石摻雜於二氧化鈦製備不同比例之蒙脫石/二氧化鈦固定式光觸媒(MT)；透過UV-Vis、FE-SEM、XRD、XPS及FT-IR進行物理性質分析；並探討不同比例光觸媒於無氧環境之批次實驗系統以模擬太陽光/紫外光照射降解1-2,二氯乙烷成效；且探討於最佳成效MT光觸媒中加入氧化鉍製備氧化鉍/蒙脫石/二氧化鈦光觸媒(BMT)之成效。UV-Vis顯示BMT光觸媒皆具兩處吸收波長，且其中一處位於可見光波段；SEM顯示光觸媒表面無明顯變化且存在蒙脫石；XRD顯示光觸媒同時具銳鈦礦及金紅石晶相，且未觀察到其他雜質；XPS顯示MT光觸媒具Ti2p3/2及Ti2p1/2及Si2p元素，且BMT光
觸媒具有Bi2p7/2及Bi2p5/2元素；FT-IR顯示光觸媒具Ti-O、Ti-O-Ti、H-O-H、-OH官能基，綜合上述顯示成功製備改質光觸媒。由模擬太陽光光催化實驗結果顯示0.5BMT#(含有0.5 mol%氧化鉍及5 mol%蒙脫石之二氧化鈦)效果最佳，於135分鐘可達100.0%降解；紫外光光催化實驗結果顯示5MT#(含有5 mol%蒙脫石之二氧化鈦)效果最佳，於模擬太陽光照射下於97.5分鐘可達100.0%降解。經反應動力學推估，本研究模擬太陽光光催化實驗較符合一階反應模式；經耐久性實驗(連續五次光催化實驗)後，0.5BMT#仍維持80.9%降解率，表示具良好重複利用性；且由FT
-IR分析光催化產物顯示無明顯有毒副產物產生。綜合上述，本研究所製備之光觸媒於模擬太陽光可有效降解目標污染物1,2-二氯乙烷。
半導體集成電路的可靠性及評價方法
為了解決sio2英文 的問題，作者章曉文，恩雲飛 這樣論述：
本書共11章，以硅集成電路為中心，重點介紹了半導體集成電路及其可靠性的發展演變過程、集成電路制造的基本工藝、半導體集成電路的主要失效機理、可靠性數學、可靠性測試結構的設計、MOS場效應管的特性、失效機理的可靠性仿真和評價。隨着集成電路設計規模越來越大，設計可靠性越來越重要，在設計階段借助可靠性仿真技術，評價設計出的集成電路可靠性能力，針對電路設計中的可靠性薄弱環節，通過設計加固，可以有效提高產品的可靠性水平，提高產品的競爭力。章曉文，工業和信息化部電子第五研究所高級工程師，長期從事電子元器件可靠性工作，在電子元器件可靠性物理、評價及試驗方法等方面取得顯著研究成果，先后獲省部級科技獎勵3項，發表
學術論文40余篇，實用新型專利授權一項，申請國家發明專利4項。 第1章 緒論 1.1 半導體集成電路的發展過程 1.2 半導體集成電路的分類 1.2.1 按半導體集成電路規模分類 1.2.2 按電路功能分類 1.2.3 按有源器件的類型分類 1.2.4 按應用性質分類 1.3 半導體集成電路的發展特點 1.3.1 集成度不斷提高 1.3.2 器件的特征尺寸不斷縮小 1.3.3 專業化分工發展成熟 1.3.4 系統集成芯片的發展 1.3.5 半導體集成電路帶動其他學科的發展 1.4 半導體集成電路可靠性評估體系
1.4.1 工藝可靠性評估 1.4.2 集成電路的主要失效模式 1.4.3 集成電路的主要失效機理 1.4.4 集成電路可靠性面臨的挑戰 參考文獻第2章 半導體集成電路的基本工藝 2.1 氧化工藝 2.1.1 SiO2的性質 2.1.2 SiO2的作用 2.1.3 SiO2膜的制備 2.1.4 SiO2膜的檢測 2.1.5 SiO2膜的主要缺陷 2.2 化學氣相沉積法制備薄膜 2.2.1 化學氣相沉積概述 2.2.2 化學氣相沉積的主要反應類型 2.2.3 CVD制備薄膜 2.2.4 CVD摻雜 2.3 擴
散摻雜工藝 2.3.1 擴散形式 2.3.2 常用雜質的擴散方法 2.3.3 擴散分布的分析 2.4 離子注入工藝 2.4.1 離子注入技術概述 2.4.2 離子注入的濃度分布與退火 2.5 光刻工藝 2.5.1 光刻工藝流程 2.5.2 光刻膠的曝光 2.5.3 光刻膠的曝光方式 2.5.4 32nm和22nm的光刻 2.5.5 光刻工藝產生的微缺陷 2.6 金屬化工藝 2.6.1 金屬化概述 2.6.2 金屬膜的沉積方法 2.6.3 金屬化工藝 2.6.4 Al/Si接觸及其改進 2.6.5 阻
擋層金屬 2.6.6 Al膜的電遷移 2.6.7 金屬硅化物 2.6.8 金屬鎢 2.6.9 銅互連工藝 參考文獻第3章 缺陷的來源和控制 3.1 缺陷的基本概念 3.1.1 缺陷的分類 3.1.2 前端和后端引入的缺陷 3.2 引起缺陷的污染物 3.2.1 顆粒污染物 3.2.2 金屬離子 3.2.3 有機物沾污第4章 半導體集成電路制造工藝第5章 半導體集成電路的主要失效機理第6章 可靠性數據的統計分析基礎第7章 半導體集成電路的可靠性評價第8章 可靠性測試結構的設計第9章 MOS場效應晶體管的特性第10章 集成電
路的可靠性仿真第11章 集成電路工藝失效機理的可靠性評價主要符號表英文縮略詞及術語
利用氧化石墨烯與還原氧化石墨烯吸附廢水中染料之研究
為了解決sio2英文 的問題，作者黃育珮 這樣論述：
本文主要研究Hummers製備氧化石墨烯以及水熱法合成還原氧化石墨烯後，對亞甲基藍、甲基橙與孔雀石綠的降解特性研究。在製備氧化石墨烯(Graphene oxide, GO)與還原氧化石墨烯(Reduced graphene oxide, rGO)，並用XRD、SEM、EDS對樣品進行了一系列分析。以試驗吸附三種染料，結果表明，兩種吸附劑對亞甲基藍的吸附效果最好，後續針對亞甲基藍實驗條件pH、染料初始濃度對吸附效果影響，兩種吸附劑吸附量相差不大，脫色效果為還原氧化石墨烯好，同樣在pH8，還原氧化石墨烯吸附容量較氧化石墨烯好，最大吸附容量分別為5.91mg/L、28.99 mg/L，各吸附體系中
的吸附行為都符合Langmuir等溫吸附模型，能更好地描述該吸附過程。