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各室內空氣清淨機制之去除細菌效能評估

為了解決scrubber原理的問題，作者李承恩 這樣論述：

摘要 iABSTRACT iii誌謝 v目錄 vi表目錄 x圖目錄 xii1 第一章 緒論 11.1 研究背景與動機 11.2 研究目的 21.3 研究流程 22 第二章 文獻回顧 42.1 我國室內空氣品質法規 42.1.1 生物氣膠特性及種類 52.1.2 細菌對人體之危害 52.1.3 生物氣膠採樣方法 92.2 空氣清淨機檢測標準 122.2.1 日本JEM 1467 檢測標準 122.2.2 中國GB/T 18801-2015檢測標準 152.2.3 中國GB 21551.3-2010檢測標準 172.2.4 中華民國CNS-7619檢測標準

182.2.5 美國AHAM AC-1檢測標準 202.2.6 AHAM AC-1之改良方法 232.2.7 臭氧排放濃度測試規範 242.3 空氣清淨機制去除原理 262.3.1 HEPA濾網 262.3.2 靜電濾網 272.3.3 光觸媒 282.3.4 靜電集塵(Electrostatic Precipitator, ESP) 292.3.5 UVC、UVA 312.3.6 二氧化氯、次氯酸 322.3.7 臭氧 342.3.8 負離子 353 第三章 研究方法 373.1 實驗規劃 373.2 實驗設備與儀器 383.2.1 室內空氣品質測試艙(Cha

mber) 383.2.2 室內空氣清淨設備 393.2.3 採樣儀器與設備 473.3 細菌實驗方法與流程 553.3.1 菌株破管與活化 553.3.2 培養基配置 583.3.3 採樣步驟 603.3.4 分析計算 643.4 細菌自然衰退率與淨化效能計算 673.4.1 細菌自然衰退率計算 673.4.2 室內空污淨化效能CADR值計算 683.5 室內二氧化氯、次氯酸容許暴露濃度計算 693.5.1 空氣中二氧化氯容許暴露濃度計算 693.5.2 空氣中次氯酸容許暴露濃度計算 704 第四章 結果與討論 724.1 各室內空氣清淨機制去除細菌實驗 72

4.1.1 細菌於測試艙內之自然率退曲線 734.1.2 細菌及PM2.5自然衰退濃度對比 734.1.3 HEPA濾網去除細菌之效能評估 754.1.4 靜電濾網去除細菌之效能評估 764.1.5 光觸媒濾網去除細菌之效能評估 774.1.6 靜電集塵去除細菌之效能評估 784.1.7 紫外線(UVC、UVA)去除細菌之效能評估 794.1.8 霧化消毒劑(二氧化氯、次氯酸)去除細菌之效能評估 804.1.9 臭氧去除細菌之效能評估 814.1.10 負離子去除細菌之效能評估 824.2 不同室內空氣清淨機制之去除細菌綜合比較 834.2.1 不同室內空氣清淨機制之去除

細菌效能綜合比較 834.2.2 不同室內空氣清淨機制去除細菌之CADR值綜合比較 854.2.3 各吸入型空氣清淨機制之CADR值換算為相同規格比較 884.2.4 細菌與PM2.5 CADR值比較 924.3 空氣清淨機臭氧空間濃度評估 934.4 空氣清淨機臭氧排放濃度評估 984.5 各空氣清淨機制去除細菌之能源效率綜合比較 1015 第五章 結論與建議 1035.1 結論 1035.2 建議 1046 參考文獻 1057 附件一 : 檢測儀器校正報告書 112附錄A 細菌去除實驗數據 113

以有機金屬化學氣相沉積法成長磷化銦於砷化鎵基板之研究

為了解決scrubber原理的問題，作者周士閎 這樣論述：

本論文使用有機金屬化學氣相沉積法(MOCVD)成長磷化銦薄膜於砷化鎵基板上，由於砷化鎵(GaAs)與磷化銦(InP)兩者之間存在著3.8 %的晶格不匹配，因此在磊晶時會產生許多的缺陷，導致磊晶品質尚有極大改善空間,也因此使得目前磷化銦的應用還是受到諸多限制，為了解決上述問題本研究以兩階段成長法(Two-step growth technique)先以低溫成長厚度20~50 nm磷化銦(LT-InP)薄膜作為成核層(Nucleation layer)，隨後升溫至700 °C成長厚度約0.4 μm之單晶HT-InP薄膜，來降低異質接面間的缺陷，並以不同溫度以及前驅物V/III比的調變來改善薄膜的

品質並進行分析及探討。 由實驗結果顯示，當 LT-InP的成長溫度逐由425 °C上升至475 °C時，X光繞射儀所量到的搖擺曲線的半高寬也逐漸上升，代表著InP單晶品質逐漸劣化，由此可知低溫成核層之成長溫度不宜過高，以防止HT-InP薄膜呈現多晶的狀況。另外LT-InP成核層的III族前驅物流量也不應過低，以防LT-InP成核層無法完整覆蓋於所要成長之表面上。最後以較佳LT-InP成核層之成長條件(溫度450 °C、TMIn流量900 slm、厚度20 nm)，然後在其上成長厚度2 μm的HT-InP薄膜，當HT-InP成長溫度為675 °C時，其XRD半高寬僅461 arcsec。雖然該

薄膜之XRD半高寬值已可與其他研究相關之文獻結果相比擬，但InP薄膜品質仍有改善之空間。