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國立中正大學 電機工程研究所 張盛富所指導 高樹頤的 V-Band具360度調控範圍之低損耗變動 CMOS相移器設計 （2011），提出rfic出路關鍵因素是什麼，來自於反射式相移器。

而第二篇論文國立中正大學 電機工程研究所 張盛富所指導 張孟貴的 具180度與360度調控範圍之毫米波CMOS相移器設計 （2010），提出因為有 相移器、毫米波的重點而找出了 rfic出路的解答。

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接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧：

除了rfic出路，大家也想知道這些：

V-Band具360度調控範圍之低損耗變動 CMOS相移器設計

為了解決rfic出路的問題，作者高樹頤 這樣論述：

本論文設計V頻段相位陣列系統之具360°相位可調相位範圍的主動相位調控器。一般而言，相移器於在360°的相位調控範圍時會產生極大的損耗變動量，造成嚴重的振幅調變雜訊。本論文提出多段式相位調控結構，將360的調控範圍分成二段或四段範圍，再於各段中連續調控相位，因為各分段所需相位調控範圍減小，所以損耗變動量隨之大幅縮小。本論文以180nm和90nm CMOS製程實現單段、二段和四段式360°相移晶片。首先，單段式V頻段相移器以增強互耦正交耦合器搭配NMOS變容器實現反射式相移器結構；量測結果於60 GHz具有160°相位調控範圍和10.3±0.7 dB的植入損耗。 第二，兩段式V-Ban

d 360°主動相移器是由180°差動反射式相移器與具相位反轉之差動低雜訊放大器結合而成。藉由放大器輸出路徑切換達成0°/180°相位反轉功能，搭配180°差動反射式相移器可獲得360°全相位調控效果。量測結果於60 GHz具有11.5±0.7 dB的增益、6.3 dB的雜訊指數，功率消耗為21.0 mW，晶片面積為0.6 mm2。若將正交耦合器的輸入與輸出阻抗做不同變化，則可進一步減小植入損耗變動量。 第三，四段式V-Band 360°主動相移器由90°非對稱負載之反射式相移器，以及0°/90°相位切換放大器組成，整合達成360°相位調控效果。模擬結果於60GHz具有12.2±0.5dB的

增益與6.0 dB的雜訊指數，功率消耗為31.6 mW，晶片面積為0.6 mm2。本論文將詳細討論各個主動式相移器設計方法、模擬和量測結果。

具180度與360度調控範圍之毫米波CMOS相移器設計

為了解決rfic出路的問題，作者張孟貴 這樣論述：

本論文設計K及V頻段CMOS 180°被動相移器，以及360°主動式相移器。其將用於實現毫米波相位陣列之動態波束掃描功能。傳統單端架構的CMOS被動反射式相移器，為了獲得360°的調控範圍，其植入損耗值和植入損耗變動量會過大。本論文提出具有相位反轉切換功能的差動結構，實現360°的相位調控範圍，僅需180°的相位調控，便可獲得360°相位調控效果，因此大幅降低植入損耗值和其變動量。 本論文設計四顆相移器，包含K頻段180°相移器，V頻段180°相移器，K頻段360°主動相移器，和V頻段360°主動相移器。K及V頻段180°差動反射式相移器，分別以TSMC 0.18 μm與90 nm製程

技術實現。以增強互耦之方法設計差動正交耦合器與反射式負載，得以縮短其繞線路徑長度，降低植入損耗及佈局面積。K頻段180°相移器晶片在22–25 GHz的植入損耗為4.9±1.1 dB，晶片面積0.11 mm2。V頻段180°相移器晶片在50–60 GHz的植入損耗為5.9±0.6 dB，晶片面積0.1 mm2。 360°相移器是由180°差動相移器與具相位反轉之低雜訊放大器結合而成。藉放大器輸出路徑切換，達成0°/180°相位反轉之功效，其搭配原有180°的調控而構成360°全相位調控。K頻段360°主動式相移器操作於22至25 GHz，具12±2 dB之增益，雜訊指數5.5±0.5 dB，

功率消耗為20.3 mW，晶片面積0.72 mm2。V頻段360°主動式相移器操作於50至60 GHz，具17.6±1 dB之增益，雜訊指數5.7±0.2 dB，功率消耗為32 mW，晶片面積0.59 mm2。實驗與模擬吻合，證實本論文提出相位反轉差動結構，達到低植入損失之360°相移器。

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