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polyimide光阻的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和資訊懶人包
polyimide光阻的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦張勁燕寫的 VLSI概論 可以從中找到所需的評價。
國立交通大學 管理學院工業工程與管理學程 林義貴所指導 李忠興的 科技霸主在鋼索上之逃生術-以t公司供應商管理為例 （2019），提出polyimide光阻關鍵因素是什麼，來自於供應鏈風險管理、競合理論、供應鏈物流管理、供應鏈採購管理。
而第二篇論文中華大學 機械工程學系碩士在職專班 林君明所指導 鄭家和的 光阻堆疊製程分析與研究 （2011），提出因為有 光阻、polyimide、蝕刻技術、濺鍍、電漿輔助化學氣相沉積、膜厚調整、機台簡介的重點而找出了 polyimide光阻的解答。
VLSI概論
為了解決polyimide光阻 的問題，作者張勁燕 這樣論述：
矽積體電路製程的特徵尺寸縮小到深次微米(deep submicron meter)，經歷幾個階段，0.35μm、0.25μm、0.18μm、0.13μm，現階段以達到0.10μm0.07μm。相關的製程、設備、材料或場務設施，都有革命性的更新和進步。微影照像是受到影響最大的製程。DRAM的電晶體的閘極結構和材料、工程。高介電常數材料使電容量保持夠大。金屬化製程、阻障層、內嵌、快閃、鐵電記憶體結構等。高深寬比的乾蝕刻製程需要高密度電漿；降低阻容延遲(RC delay)使用低介電常數材料和銅製程。新製程有雙大馬士革(dual damascene)、電鍍(electro plating)、
無電極電鍍(electroless plating)和∕或金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)。21世紀－奈米元件更製作出單電子電晶體。晶圓尺寸由8吋擴大到12吋，為的不止是提高良率、提高機器使用率；也考慮到生產力，節省工廠面積、還要兼顧人工學(ergonomics)和減少化學藥液以利環保。 本書配合拙著電子材料、半導體製程設備、工業電子學構成一完整系列。期望給想從事半導體的同學和研究生，或和半導體製程相關行業的工程師、經理、教授、老師們一項便捷的參考。 作者簡介 張勁燕 學歷：交通大學電子工程研究所博士 經歷：明新工專電子科副教授（或兼科主任）逢甲大學電子系副教授逢甲大學電機系副教授（或兼
系主任） 現職：逢甲大學電子系副教授 專長 半導體元件、物理 VLSI製程設備及廠務 奈米科技 積體電路構裝
科技霸主在鋼索上之逃生術-以t公司供應商管理為例
為了解決polyimide光阻 的問題，作者李忠興 這樣論述：
本論文主要是探討半導體光阻原料單一供應商，因為天災人禍造成斷料的危機處理及改善的方法。反觀半導體光阻原料到底有多重要呢？ 翻開過去半導體歷史的軌跡，最近2019年日韓最大的衝突事件「日韓因政治因素導致雙方經濟衝突」。主因是為了二次大戰的問題，日本限制3項半導體關鍵電子原料出口南韓，包括含氟聚醯亞胺（Fluorine Polyimide）、光阻劑（Resist）及蝕刻氣體（Etching Gas）。對南韓以記憶體為主的半導體業者造成極大衝擊，尤其是氟化聚醯亞胺及氟化氫兩項，屬於半導體關鍵原料，且日本全球市占率高達8至9成，很難找到替代進口來源。因此南韓意識關鍵電子原料供應鏈的重要性，開始對關鍵
電子原料進行自主研發。本論文除了討論人為因素造成供應原料短缺之外，也討論天然因素造成的原物料供應短缺。像是台灣、日本受到颱風、地震的影響，中國人民共和國、美國、歐洲等，會有颶風、缺水等影響。這些天然災害對於這些已在生產的工廠來說，其實是無法避免的，只可以有限度的降低造成傷害。為了降低傷害或降低風險所做的預防策略，因而會付出更多的成本。因此供應鏈原料管理是目前最夯的議題之一。
光阻堆疊製程分析與研究
為了解決polyimide光阻 的問題，作者鄭家和 這樣論述：
本論文旨在研究TSV製程中的光阻覆蓋與蝕刻製程。並探討如何利用可用 的資源,做到與SU-8光阻相同的功能,並顯影出孔洞供蝕刻,及使用蝕刻機台, 做出蝕刻晶圓深度與光阻厚度的相對關係,找出在量產蝕刻的程式下 polyimide光阻厚度與蝕刻晶圓深度的變化關係圖。本研究以polyimide光阻多層覆蓋,並利用光阻顯影機台做顯影,接著使 用電漿蝕刻機為主要蝕刻系統,最後利用膜厚量測機與深度量測機,執行每一 次蝕刻的變化紀錄。文中介紹實際在半導體界會使用到的機台,並說明膜厚調整方式,與每一 個步驟中所代表的意義,及多層覆蓋所遇到的問題。