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p型金屬氧化物半導體的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和資訊懶人包
p型金屬氧化物半導體的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦楊善國 寫的 應用電子學(第二版)(精裝本) 和楊善國的 應用電子學(精裝本)都 可以從中找到所需的評價。
這兩本書分別來自全華圖書 和全華圖書所出版 。
國立聯合大學 光電工程學系碩士班 林奇鋒所指導 鄭子暘的 金屬氧化物與碳複合材料於氣體感測器之應用 （2021），提出p型金屬氧化物半導體關鍵因素是什麼，來自於氧化鋅、碳複合材料、室溫氣體感測器。
而第二篇論文國立臺北科技大學 材料科學與工程研究所 邱德威所指導 陳薇安的 以p-型CuCrO2薄膜應用在薄膜電晶體之研究 （2019），提出因為有 赤銅鐵礦、CuCrO2、透明元件、頂閘極、薄膜電晶體的重點而找出了 p型金屬氧化物半導體的解答。
應用電子學(第二版)(精裝本)
為了解決p型金屬氧化物半導體 的問題，作者楊善國 這樣論述：
作者依教學經驗及專業知識，並為兼顧學習內容及學習效果，本書由最基礎的半導體材料及PN接面開始講起，到雙層元件(二極體)、三層元件(電晶體)、四層元件(閘流體)、線性積體電路-OP，到常用的應用電路包括：運算放大器構成之應用電路、電壓調整器、主動濾波器、功率放大器等，使學生可習得電子元件及其構成電路的基礎知識。另修習本科目的學生可能來自不同的專業背景，對電學的觀念及基礎或有所不同，為顧及對電學較生疏學生的需要，特別增加「電學基本概念複習」一章(第零章)，使學生具有起碼的電路基礎，以協助學生進入電子電路之領域，並助益往後的教學。 本書特色 1.本書由最基礎的半導體材料及PN接
面開始講起，到雙層元件(二極體)、三層元件(電晶體)、四層元件(閘流體)、線性積體電路-OP，到常用的應用電路，使學生可習得電子元件及其所構成電路的基礎知識。 2.修習本科目的學生可能來自不同的專業背景，對電學的觀念及基礎或有不同，特別增加「電學基本概念複習」，使學生具有基礎的電路概念，以協助學生進入電子電路之領域，並助益往後的教學。 3.本書適用大學、科大機械、自動化科系『應用電子學』、『電子學』課程使用。
金屬氧化物與碳複合材料於氣體感測器之應用
為了解決p型金屬氧化物半導體 的問題，作者鄭子暘 這樣論述：
本研究利用射頻磁控濺鍍法(RF magnetron sputtering)濺鍍氧化鋅，以及利用旋轉塗佈法旋塗CoCB、KS6及Si@C三種碳複合材料製備室溫氣體感測器，並探討上述感測材料的成份組成與氣體感測之應用。 將製備完成的感測材料透過掃描式電子顯微鏡觀察材料的表面結構，並使用X光繞射分析儀進行晶體結構分析可發現氧化鋅主要為不完全氧化的非晶態薄膜結構，此結構導致感測器的感測效果不佳。而碳複合材料的分析中可發現，CoCB主要為大顆粒狀的結構，Si@C的結構為小顆粒的聚集，而KS6則為具有多孔隙的片狀結構，這些結構也分別影響了感測器的表現。 當氧化鋅氣體感測器在感測乙醇及水氣時僅
在高濃度的條件下始有反應，進行單一乙醇濃度及濕度之重複感測時，響應值逐漸下降，說明氧化鋅氣體感測器對於乙醇與水氣的靈敏度及連續使用性不佳。不同於氧化鋅感測器，三種碳複合材料氣體感測器在不同乙醇濃度及相對濕度的環境下皆有敏銳的反應。其響應值會隨待測氣體濃度及濕度的上升而隨之增加，且在氣體移除後亦顯示出良好的恢復性。CoCB由於結構較大，比表面積較小導致對於氣體吸附與脫附的反應較Si@C緩慢，而KS6感測器則是由於其材料的多孔隙結構特性造成較大的比表面積，故其感測靈敏度優於CoCB感測器，但其多孔隙結構亦造成氣體脫附速度更為緩慢，導致更長的上升與恢復時間。整體比較之下，由小顆粒組成的Si@C同時具
備高比表面積與易於氣體脫附的特性，對水氣及乙醇的反應皆優於CoCB及KS6。在室溫條件下，Si@C在溼度變化由0.32 ％至22.24 ％時，響應值變化為0.40 ％至14.20 ％；乙醇濃度由100 ppm變化至7000 ppm時，響應值變化為0.80 ％至5.64 ％且訊號穩定。此結果顯示了碳系材料應用於室溫氣體感測器之潛力。
應用電子學(精裝本)
為了解決p型金屬氧化物半導體 的問題，作者楊善國 這樣論述：
作者依教學經驗及專業知識，並為兼顧學習內容及學習效果，本書由最基礎的半導體材料及PN接面開始講起，到雙層元件(二極體)、三層元件(電晶體)、四層元件(閘流體)、線性積體電路-OP，到常用的應用電路包括：運算放大器構成之應用電路、電壓調整器、主動濾波器、功率放大器等，使學生可習得電子元件及其構成電路的基礎知識。另修習本科目的學生可能來自不同的專業背景，對電學的觀念及基礎或有所不同，為顧及對電學較生疏學生的需要，特別增加「電學基本概念複習」一章(第零章)，使學生具有起碼的電路基礎，以協助學生進入電子電路之領域，並助益往後的教學。 本書特色 1.本書由最基礎的半導體材料及PN接
面開始講起，到雙層元件(二極體)、三層元件(電晶體)、四層元件(閘流體)、線性積體電路-OP，到常用的應用電路，使學生可習得電子元件及其所構成電路的基礎知識。 2.修習本科目的學生可能來自不同的專業背景，對電學的觀念及基礎或有不同，特別增加「電學基本概念複習」，使學生具有基礎的電路概念，以協助學生進入電子電路之領域，並助益往後的教學。 3.本書適用大學、科大機械、自動化科系『應用電子學』、『電子學』課程使用。
以p-型CuCrO2薄膜應用在薄膜電晶體之研究
為了解決p型金屬氧化物半導體 的問題，作者陳薇安 這樣論述：
目前p-型金屬氧化物半導體材料較n-型金屬氧化物半導體材料發展慢，這限制了發展全金屬氧化物p-n接面和全金屬氧化物半導體邏輯電路。然而銅系赤銅鐵礦化合物由於其寬能隙p-型半導體特性而受到矚目，其可用於實現透明半導體元件。 本實驗分為兩部份，第一部份為以化學溶液法製備p-型CuCrO2薄膜並製作為底閘極-頂接觸結構的薄膜電晶體。第二部份利用射頻磁控濺鍍法製備p-型CuCrO2薄膜並製作為和頂閘極-頂接觸結構的薄膜電晶體。 以X光繞射分析儀分析其結構、場發射式掃描電子顯微鏡觀察其表面形貌、可見光紫外光光譜儀分析其光學性質，並以半導體分析儀測定電晶體特性，建立p-型透明薄膜電晶體的基礎。就
目前所知，這是第一篇以CuCrO2作為主動層和Al2O3作為介電層應用在頂閘極-頂接觸薄膜電晶體結構的研究。