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新一代 科大四技電機與電子群電子學與實習升學跨越講義含解析本 - 最新版(第三版) - 附MOSME行動學習一點通：詳解.診斷.評量

為了解決p型的問題，作者邱佳椿,林孟郁 這樣論述：

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以第一原理量子傳輸理論研究在介面處有取代硫處理之二硫化鎢電晶體

為了解決p型的問題，作者陳竑任 這樣論述：

矽基互補式金氧半場效電晶體的持續微縮遭遇短通道效應的限制，此限制從過去到未來的發展導致了一連串的問題。包含汲極引發位障降低(Drain-induced Barrier Lowering, DIBL)、閘極引發漏電(Gate-induced Drain Leakage, GIDL)、擊穿(Punch-Through)、載子遷移率下降等等。在各種可能使電晶體微縮至1nm節點以下的新穎通道材料中，具原子尺度的二維材料不僅直觀上可克服短通道效應，使電晶體更進一步微縮，同時仍保持高載子遷移率。單原子層WS2為一種最常被研究的過渡金屬二硫族化合物(TMD)材料，實驗上已被作為電晶體的通道材料來使用，並展

示出高電流開關比、高載子遷移率及高熱穩定性。發展WS2電晶體最迫切的挑戰在於降低接觸電阻，在本論文中，我們施以第一原理量子傳輸計算來研究Metal/WS2與Metal/WSX/WS2側接觸，試圖以硫族元素之取代來降低蕭特基位障，因此減少接觸電阻。在此該取代使用了五族或七族元素取代單層WS2一側部分區域之硫族元素，產生超材料WSX (X= P, As, F, Cl, Br)的部分。另外，我們進一步比較該取代在界面金屬化與界面鍵結以及其在蕭特基位障的效果。如此之WSX緩衝接觸展示了p型Pt/WSP/WS2側接觸和n型Ti/WSCl/WS2側接觸的接觸電阻分別低至122.4Ω∙μm與97.9Ω∙μm

。此外，我們也利用第一原理分子動力學觀測到室溫下穩定的單層WSX。

新一代 科大四技電機與電子群電子學與實習(上)升學寶典 - 最新版(第二版) - 附MOSME行動學習一點通：詳解.影音.診斷.評量

為了解決p型的問題，作者黃傑,林予梧 這樣論述：

　　1. 本書提供「考前衝刺」，濃縮教材精華，集合重要定義、性質、公式。 　　2. 重點掃描：將各章節內容重要觀念及公式作有系統的整理，條列或圖表化本章重點所在，詳細說明各章相關知識。 　　3. 精選範例及同步練習：在重點掃描之後，立即安排例題及練習，讓讀者可立即鞏固重點知識。 　　4. 隨堂練習：每主題後皆編有題型之課後練習，方便讀者可檢視自我學習成效。 　　5. 歷屆試題精選答對率與難易度：自107 年度起，測驗中心公告每一選擇題的考生答對率，並依據答對率來判別難易度（答對率小於40% 表示困難，大於等於40%、小於70% 表示中等，大於等於70% 表示容易）。 　　6. 火紅素養題型

：新課綱強調素養導向，本書於章末編有火紅素養題供練習，使讀者提前熟悉未來考題趨勢，輕鬆面對統測素養題型！   　　MOSME行動學習一點通功能： 　　 　　使用「MOSME 行動學習一點通」，登入會員與書籍密碼後，可線上閱讀、自我練習，增強記憶力，反覆測驗提升應考戰鬥力，即學即測即評，強化試題熟練度。   　　1.詳解：至MOSME行動學習一點通（www.mosme.net）搜尋本書相關字（書號、書名、作者），登入會員與書籍密碼後，即可使用解析本內容。   　　2.診斷：可反覆線上練習書籍裡所有題目，強化題目熟練度。   　　3.評量：全國唯一整合性線上測驗平台MOSME評量中心（plc.mo

sme.net），體驗多元評量方式（含模擬考、歷屆試題），了解學習狀況。

具新穎氮硫化鎢界面結構的p型二硫化鎢電晶體: 以第一原理量子傳輸理論進行模擬計算

為了解決p型的問題，作者歐仲鎧 這樣論述：

實驗室所製作的過渡金屬二硫族化合物(含一定濃度缺陷)二維電晶體，由於費米能釘札導致其p型接觸非常稀少；另一方面，電腦計算模擬所對應的上述理想結構(二維材料無缺陷)則可在高功函數金屬顯出為p型接觸，但仍未達到足夠低的電洞蕭特基位障。因此本文提出一種金屬性的超材料硫氮化鎢作為傳統金屬與半導體通道之間的緩衝層。其結構的形成可揣摩是由簡單的metal/WS2側接觸做為出發，我將鄰近介面處一定面積的上排硫原子置換為氮。以第一原理及量子傳輸理論計算電子結構與傳輸電流。我發現在金屬與二硫化鎢之間僅需0.6奈米長的硫氮化鎢緩衝層，便可有效降低通道的電洞蕭特基位障：在以鉑為金屬電極的情形中，硫氮化鎢可使蕭特基

型的Pt/WS2側接觸轉變為歐姆特性，達成以單一二維材料實現互補式金屬氧化物半導體的目標。除了鉑電極，即便我採用低功函數的金屬鋁，在Al/WSN/WS2的結構，計算而得的蕭特基位障仍低至0.12 eV。上述鉑與鋁電極的計算結果表明，氮硫化鎢緩衝層顯著提升了選擇電極金屬的靈活性，令選擇不再受限於高功函數的貴重金屬：如金、鉑和鈀。我亦更進一步量化計算Pt/WSN/WS2在不同閘極電壓下的伏安特性，得出該結構有高達10^8的開關電流比和在汲極電壓50毫伏下231 µA/µm的導通電流(接觸電阻 ≈ 63.8Ω∙μm)。同時為驗證實驗製程時硫氮化鎢的穩定性，我們採用第一原理分子動力學在室溫下分別模擬氮

吸附、單顆氮取代硫和單層氮硫化鎢，發覺皆為穩定結構。