mini led藍寶石基板的問題,透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和資訊懶人包

另外網站蓝宝石基板、磊晶缺货,LED芯片恐集体涨价 - 电子工程世界也說明:据LEDinside消息,LED产业由于各厂商大举扩产,在原物料供应方面因为吃紧而有涨价现象,包括上游的蓝宝石基板、磊晶用的气体、LED磊晶、LED芯片已经 ...

國立臺灣大學 光電工程學研究所 林晃巖所指導 陳孟忻的 可見光氮化鎵超穎透鏡之研究 (2021),提出mini led藍寶石基板關鍵因素是什麼,來自於超穎透鏡。

而第二篇論文國立中正大學 光機電整合工程研究所 葉志庭所指導 程元亨的 提高UV-C發光二極體光提取效率的設計研究 (2021),提出因為有 深紫外發光二極體、光提取效率、導光層、一次光學設計、藍寶石基板的重點而找出了 mini led藍寶石基板的解答。

最後網站Mini LED需求爆量LED晶片出現結構性缺貨、漲價 - 電子工程專輯則補充:此外,過去數年LED產業低谷帶來的產能出清,導致上游藍寶石基板,PSS等關鍵材料供給集中度提高,供應商議價能力提升,在同時面臨材料成本上升與供給 ...

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧:

除了mini led藍寶石基板,大家也想知道這些:

可見光氮化鎵超穎透鏡之研究

為了解決mini led藍寶石基板的問題,作者陳孟忻 這樣論述:

超穎透鏡是超穎表面開發中最重要的應用之一。目前各式各樣的材料已被應用於製作超穎透鏡,使其在某些特定頻帶中達到高效率與低製造成本的需求。在這些材料中,考量材料的各項優點,尤其是在半導體製造的量產能力,寬能隙氮化鎵屬最具潛力的材料之一。在本論文中,氮化鎵被選為製造在可見光波段工作的高性能超穎透鏡的關鍵材料,而其超穎透鏡的設計原理乃基於幾何相位或傳播相位之概念。幾何相位設計原理亦稱為 Pancharatnam-Berry (PB) 相位法。基於 PB 相位概念設計的超穎透鏡需要圓偏振平面波作為入射光。如實驗結果所示,在 405、532 與 633 奈米之可見光波長下,依PB 相位法設計的氮化鎵超穎

透鏡,其繞射極限聚焦效率分別高達 79%、84% 和 89%。另一方面,以傳播相位設計之超穎透鏡具偏振方向不敏感之特性,得以聚焦任意線性偏振方向之入射光。在此研究中,更進一步提出新開發的高效能六邊形共振元件,搭配精心挑選之次波長周期,以構建具偏振方向不敏感之高性能超穎透鏡。經實驗證明這些具偏振方向不敏感的超穎透鏡在 405、532 與 633奈米之三個不同波長下,其繞射極限聚焦效率分別為 93%、86% 和 92%。有關超穎透鏡的成像能力,我們選擇美國空軍於1951年所制定符合美國空軍定義的分辨率測試軍用標準的分辨率測試圖(1951 USAF)作為驗證,惟目前市售的 1951 美國空軍分辨率測

試圖,其最小線寬為2.19 微米。為了補足市售分辨率測試圖的不足,我們選擇自製 1951 USAF 分辨率測試圖,以利驗證超穎透鏡得以識別更小線寬之能力。依據成像實驗結果顯示,以405 奈米為波長所設計的PB相位法以及具偏振方向不敏感的氮化鎵超穎透鏡皆能實現極高的分辨率,得以分辨自製之分辨率測試圖中奈米等級之線寬,而我們可以觀察到的最小線寬為 870 奈米。這些非凡的實驗結果來自於我們在設計方面的成功,以及製程上成功製作以接近垂直側壁的高深寬比氮化鎵奈米共振器所組成的超穎透鏡。在實際應用方面,本論文提出一個開創性的概念,即透過超穎透鏡檢測發光二極體的圖案化藍寶石基板。為了實施概念驗證,分別選擇

不具有磊晶層以及具有磊晶層的市售圖案化藍寶石基板作為待檢測物,以執行超穎透鏡的檢測能力。透過適當選擇所需波長所設計的超穎透鏡,可以在圖中清楚地觀察到圖案化藍寶石基板中結構的頂點。以數值孔徑為 0.3 的超薄輕量超穎透鏡所拍攝的圖案化藍寶石基板成像,其品質與以數值孔徑為 0.4 的物鏡所拍攝之成像相當。本研究為以寬能隙氮化鎵製作的超穎表面之應用展現了一道曙光。預計在不久的將來,超薄氮化鎵超穎透鏡將取代厚重的光學元件,成為未來光學的主流。

提高UV-C發光二極體光提取效率的設計研究

為了解決mini led藍寶石基板的問題,作者程元亨 這樣論述:

藍寶石(Sapphire,Al2O3)由於價格、晶格匹配及加工製作容易等優勢作為深紫外發光二極體的基板,但藍寶石材料具有較高的折射率,會導致光的全內反射(Total Internal Reflection, TIR),該材料在深紫外光波段有較高的吸收率因此造成光提取效率(light extraction efficiency, LEE)降低。本文提出了一種通過一次光學設計優化藍寶石基板的導光層厚度(Light guide layer thickness)的方法來提升光提取效率。本文以導光層厚度為150-700μm的AlGaN UV-C LED晶片模擬在275 nm的中心波長下分析導光層的最佳

厚度設計。最後,實驗結果表明,起始導光層厚度為150μm,輸出功率為13.53mW,厚度增加至 600μm時,輸出功率為20.58mW。通過導光層厚度優化,LEE可提高1.52倍。本文藉由一次光學設計優化以藍寶石為基板的導光層厚度方法成功提升LEE。該方法的優點是不需要經過蝕刻和壓印的技術。