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國立陽明交通大學 工業工程與管理系所 王志軒所指導 劉志晨的 結合動態競爭與技術創新擴散模型對面板產業營收與出貨量進行預測 (2020),提出lg oled電視關鍵因素是什麼,來自於需求預測、動態競爭、技術擴散、面板廠商關係、手機面板技術。

而第二篇論文國立中央大學 化學學系 陳錦地、陳銘洲所指導 李珈呈的 含呋喃或噻吩取代三螯合環金屬配位基鉑錯合物合成與鑑定及其有機發光二極體之測試 (2019),提出因為有 有機發光二極體、磷光材料、白金錯合物、堆疊、混合白光、雙重放光的重點而找出了 lg oled電視的解答。

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結合動態競爭與技術創新擴散模型對面板產業營收與出貨量進行預測

為了解決lg oled電視的問題,作者劉志晨 這樣論述:

隨著人工智慧、物聯網、大數據的發展,帶動面板市場規模呈現持續擴張的發展態勢,同時中國面板廠商介入全球面板競爭市場,對整體面板結構產生一定程度的影響,本研究針對全球前三大面板供應國,共六家國際面板廠商進行公司營收預測及公司間的競爭分析。另一部分在面板應用層面上,手機面板做為面板產業中最大應用領域,其中手機面板包括主要三種面板技製程技術(單晶矽、低溫多晶矽、有機發光二極體),本研究透過多代擴散模型結合各種成長模型基底以及加入各種決策變數(季節因子、市場成長率),針對各手機面板技術進擴散預測。透過研究結果可以發現,在廠商營收與下游產品出貨量間存在明顯的垂直動態關係,進而能對整體預測表現帶來較好的預

測表現,另外廠商競爭方面,透過競爭模型可以進一步解讀在產品技術重疊性較高面板廠商如樂金顯示(LGD)、群創(INNOLUX)在中國面板廠商大幅發展下受到一定程度擠壓,手機面板技術部分,預測誤差指標結果指出透過在多代成長模型上同時結合各種成長模型基底及加入各種決策變數,對整體手機面板技術出貨量預測準確度帶來一定程度提升。

含呋喃或噻吩取代三螯合環金屬配位基鉑錯合物合成與鑑定及其有機發光二極體之測試

為了解決lg oled電視的問題,作者李珈呈 這樣論述:

目錄中文摘要 iAbstract ii目錄 iv圖目錄 vii表目錄 xi第一章 緒論 11.1前言 11.2 有機發光二極體(OLED)發展歷史 31.3 有機材料螢光與磷光的放光原理 51.4 有機發光二極體之原理與製程與元件構造 71.4.1 何謂有機發光二極體 (Organic Light-Emitting Diode, OLED) 71.4.2有機發光二極體 (OLED)製備以及發光原理 81.4.3有機發光二極體 (OLED)元件結構 91.4.4 有機發光二極體 (OLED)元件內部材料 111

.4.4a 陽極材料 (Anode materials) 111.4.4b 陰極材料 (Cathode materials) 111.4.4c 電洞注入材料 (Hole injection layer, HIL) 121.4.4d 電洞傳輸材料 (Hole transporting layer, HTL) 131.4.4e 電子注入材料 (Electron injection layer, EIL) 141.4.4f 電子傳輸材料 (Electron transporting layer, ETL) 141.5 主、客摻雜系統之發光原理 151.5.1

福斯特能量轉換 (Förster energy transfer) 151.5.2德斯特能量轉換 (Dexter energy transfer) 161.6 有機發光二極體之種類 171.6.1 第一代有機發光二極體 (1st OLED materials) 171.6.2 第二代有機發光二極體 (2nd OLED materials) 181.6.3 第三代有機發光二極體 (3rd OLED materials) 191.7 有機發光二極體之效率 211.8 有機發光二極體之光色 221.9 影響有機發光二極體之螢光量子產率與分子結構

231.10 鉑錯合物之磷光放光材料 241.10.1 雙牙配位基 (Bidentate ligands) 241.10.2 三牙配位基 (Tridentate ligands) 261.10.3 四牙配位基 (Tetradentate ligands) 281.11 三牙配位基之鉑錯合物之文獻回顧 291.11.1 C^N^N型配位之白金錯合物 291.11.2 N^ C^N型配位之白金錯合物 301.11.3 混合白色磷光OLED元件 32第二章 實驗 352.1 實驗藥品 352.2 溶劑與溶液前處理 362.3 分析儀

器 372.4 有機發光二極體元件之製作和效率測量: 402.4.1 有機電機發光二極體元件製作流程 402.4.2 元件製作細部流程: 402.4.3 電激發光質之量測 (Charaterization of Electroluminescence, EL) 412.5 合成步驟 42第三章 結果與討論 673.1 熱性質 673.1.1 TGA圖譜 673.1.2 DSC圖譜 683.2 理論計算 703.3 吸收光譜與發射光譜性質 753.3.1 溶液與薄膜之吸收光譜(UV-Vis) 753.3.2 溶液與薄膜

之發射光譜(PL) 773.3.2.1 噻吩系列之鉑錯合物PL光譜圖討論與分析 783.3.2.2 呋喃系列之鉑錯合物PL光譜圖討論與分析 813.3.2.3 噻吩系列和呋喃系列之鉑錯合物粉末與薄膜PL光譜圖討論及分析 873.3.3 低能量光電子功函數(AC-2)之圖譜 893.3.4 磷光量子產率 913.3.5 CV圖譜 923.4 元件結果與討論 973.4.1 OLED元件數據結果與討論 99第四章 結論 106參考文獻 107附圖 110 圖目錄圖1-1-1、OLED可撓式手機螢幕 2圖1-1-2、LG旗

下OLED電視螢幕 2圖1-1-3、OLED應用於白光照明上 3圖1-2-1 、Alq3和Diamine和OLED元件之結構圖 4圖1-2-2、PPV之結構圖 4圖1-2-3、PtOEt之結構圖 5圖1-3-1、光激發的能階示意圖 6圖1-3-2、電激發的能階示意圖 7圖1-3-3、分子激發態衰退之各種途徑 7圖1-4-1、有機發光二極體 (OLED)之發光原理 9圖1-4-2、有機發光二極體 (OLED)之元件結構 10圖1-4-3、有機發光二極體元件結構 (a)單層;(b)雙層;(c)多層元件結構 11圖 1-4-4、電洞注

入材料之結構 12圖 1-4-5、電洞傳輸材料之結構 13圖1-4-6、穿隧效應示意圖 14圖 1-4-7、電子傳輸材料之結構 15圖 1-5-1、福斯特能量轉換之機制 16圖 1-5-2、德斯特能量轉換之機制 17圖1-6-1、Courmarin 6、Courmarin 545TB、DCM、DCJTB之結構 18圖1-6-2、Ir(ppy)3、Ir(mppy)3、PtOEP、Btp2Ir(acac)、FIrpic之結構 19圖1-7-3-a、單重態激發與三重態激發能階差之計算公式 20圖1-6-3-b、TADF分子設計的參考準則 2

0圖1-6-3-c、PIC-TRZ之結構圖與理論計算之電子雲分布 21圖1-7、有機發光二極體之種類 21圖1-8-1、CIE1931色度圖 23圖 1-10-1、鉑之雙牙配位基錯合物 25圖 1-10-2、鉑之雙牙配位基錯合物 26圖1-10-3、鉑之雙牙配位基錯合物 26圖1-10-4、鉑之三牙配位基錯合物 27圖1-10-5、C^N^N型鉑錯合物 27圖1-10-6、N^C^N型白金錯合物 28圖1-10-7、PtOEP及Pt-TPTBP之結構圖 28圖1-10-8、鉑之四牙配位基錯合物 29圖1-11-1、C^N^N型白

金錯合物 29圖1-11-2、C^N^N型白金錯合物 30圖1-11-3、化合物a和藍色螢光材料DNA 30圖1-11-4、N^ C^N型配位之白金錯合物 31圖1-11-5、N ^C^N型配位之白金錯合物結構與放射光譜圖 31圖1-11-6、推拉電子基團對能階之影響 32圖1-11-6、N C^N型配位之白金錯合物 32圖1-11-8、N ^C^N型配位之白金錯合物放射光譜圖 33圖3-1-1、呋喃及噻吩系列之Pt錯合物之TGA圖譜 67圖3-1-2、呋喃及噻吩系列系列之鉑錯合物之DSC圖譜 69圖3-2-1、PtS理論計算最佳化結

果 71圖3-2-2、PtS-T1理論計算最佳化結果 72圖3-2-3、PtS-T2理論計算最佳化結果 72圖3-2-4、PtS-T3理論計算最佳化結果 73圖3-2-5、PtO理論計算最佳化結果 73圖3-2-6、PtO-T2理論計算最佳化結果 74圖3-2-7、PtO-T3理論計算最佳化結果 74圖3-3-1、噻吩及呋喃系列之鉑錯合物之溶液吸收光譜圖 75圖3-3-2、噻吩及呋喃系列之鉑錯合物之薄膜吸收光譜圖 76圖3-3-3、噻吩系列之鉑錯合物於不同濃度下之PL光譜圖 78圖3-3-4、PtS錯合物以700 nm (左圖)和80

0 nm(右圖)作為放光波長所測之激發光譜圖 80圖3-3-5、PtS-T1錯合物以700 nm (左圖)和800 nm(右圖)作為放光波長所測之激發光譜圖 80圖3-3-6、PtS-T2錯合物以700 nm (左圖)和800 nm(右圖)作為放光波長所測之激發光譜圖 80圖3-3-7、PtS-T3錯合物以700 nm (左圖)和800 nm(右圖)作為放光波長所測之激發光譜圖 81圖3-3-8、呋喃系列之鉑錯合物於不同濃度下之PL光譜圖 82圖3-3-11 PtO-T1開環之副產物結構圖 83圖3-3-12、PtO與其開環副產物之1H NMR圖譜

84圖3-3-13、PtO-T2與其開環副產物之1H NMR圖譜 84圖3-3-14、PtO-T3與其開環副產物之1H NMR圖譜 85圖3-3-15、Williams團隊所報導鉑錯合物放光譜圖(左)和ester (2)之分子結構圖(右) 86圖3-3-16、PtO, PtO-T2, PtO-T3錯合物以700 nm (左圖)作為偵測放光波長之激發光譜圖 87圖3-3-17、噻吩及呋喃系列之鉑錯合物在粉末形態下所測之PL光譜圖 88圖3-3-18、噻吩及呋喃系列之鉑錯合物在薄膜形態下所測之PL光譜圖 88圖3-3-20、噻吩系列之Pt錯合物之AC2光譜圖

90圖3-3-21、呋喃系列之Pt錯合物之AC2光譜圖 91圖3-3-22、實驗測得ferrocene之氧化電位圖譜 93圖3-3-23、噻吩和呋喃系列鉑錯合物之氧化電位圖譜 94圖3-3-24、噻吩和呋喃系列鉑錯合物之還原電位圖譜 95圖3-4-1、5 %dopant元件結構圖(左圖)和non-dopant元件結構圖(右圖) 98圖3-4-2、元件中各層化合物材料化學結構 98圖3-4-3、OLED中噻吩系列之鉑錯合物與所採用之材料之HOMO/LUMO能階比較圖 99圖3-4-4、non-dopant元件之EQE-L-PE圖 (左圖)、J-V圖

(中圖)、L-V圖(右圖) 100圖3-4-5、5%dopant元件之EQE-L-PE圖 (左圖)、J-V圖 (中圖)、L-V圖(右圖) 101圖3-4-6、PtS(左上)、PtS-T1(右上)、PtS-T2(左下)、PtS-T3(右下)之GIWAS圖 102圖3-4-7、噻吩系列之鉑錯合物分子理論估算的長度和寬度 103圖3-4-8、face on (左圖) 和 edge on (右圖) 的方式堆疊示意圖 103表目錄表2-2 溶劑列表 36表3-1-1、呋喃及噻吩之鉑錯合物之熱性質數據表 69表3-2-1、呋喃及噻吩系列之鉑錯合物理論計算數據

71表3-3-1、UV-Vis最大吸收波長及能階數據(solution) 77表3-3-2、UV-Vis最大吸收波長及能階數據(neat film) 77表3-3-2、噻吩及呋喃系列之鉑錯合物固態能階數值表 91表3-3-3為噻吩或是呋喃系列之鉑錯合物在粉末及薄膜下的磷光產率數據表: 91表3-3-3、各鉑錯合物在粉末及薄膜下之磷光產率 92表3-3-4、噻吩和呋喃系列鉑錯合物CV數據整理表 96表3-4-1、噻吩系列之鉑錯合物的元件(neat film)數據表 99表3-4-2、噻吩系列之鉑錯合物的元件(dopant 5%)數據表 100