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國立臺灣師範大學 化學系 林震煌所指導 陳宇儂的 以氣相層析/微哨偵測系統同步監測鐵在發藍處理過程中產生的氫氣濃度變化 （2018），提出hp掃描驅動程式關鍵因素是什麼，來自於微型氣哨、氣相層析儀、氫氣生成速率、防鏽。
而第二篇論文國立交通大學 工學院精密與自動化工程學程 鄭泗東所指導 陳俊傑的 金屬蝕刻製程於驅動器IC之電性改善研究 （2017），提出因為有 半導體蝕刻、金屬蝕刻、缺陷、金屬線寬的重點而找出了 hp掃描驅動程式的解答。
以氣相層析/微哨偵測系統同步監測鐵在發藍處理過程中產生的氫氣濃度變化
為了解決hp掃描驅動程式 的問題，作者陳宇儂 這樣論述：
工業上大多以酸洗（黑色氧化）的方式來進行鐵的除銹或防鏽，本研究選用沒食子酸代替業界常用的鹽酸來進行藍染防鏽的實驗。鐵在酸性的環境下會氧化成成二價鐵離子，同時還原溶液中的氫離子並釋放氫氣，其中鐵離子會與沒食子酸進行錯合反應，使得金屬表面形成黑色的四氧化三鐵保護層，藉此防止進一步的氧化生鏽，而由於二價鐵離子與沒食子酸的反應機制複雜，生成的錯合物種類也較為繁多。故本實驗欲簡化以偵測氫氣的方式，進行反應的即時同步監測，儀器選用實驗室自行研發的微哨偵測器，結合氣相層析儀以及全自動進樣系統，過程中會以LabVIEW程式控制進樣流程並搭配NI-4461音效卡進行音頻擷取和數據分析，計算後轉換成氫氣的生成速
率，最終以SEM和銹蝕照片的方式討論酸洗處理過後的鐵片，再經浸水氧化的生鏽程度差異，希望藉此得到較佳的防鏽處理配方以延長鋼鐵染黑的使用壽命。
金屬蝕刻製程於驅動器IC之電性改善研究
為了解決hp掃描驅動程式 的問題，作者陳俊傑 這樣論述：
半導體元件製造過程中，在金屬乾蝕刻(Metal Etching)製程時，容易產生晶片缺陷 (bridge defect)，造成電性異常，導致良率變低。本研究針對此晶片缺陷部分進行研究改善。首先選擇RF power(radio frequency，W)、溫度(temp，°C)、腔體壓力(mtorr)、蝕刻氣體種類與流量(sccm)對關鍵線寬CD (Critical Dimension，μm)的影響分析，利用實驗設計法全因子的觀念尋找四個輸入參數(射頻功率、腔體內壓力、溫度、蝕刻氣體流)與三個輸出變數(關鍵線寬、蝕刻率、與均勻度)之間的關係。本研究利用田口法(Taguchi method)進行實
驗分析，此實驗法是透過實驗進行系統參數最佳化設計的方法，重視實際的應用性，測試不同的機台參數，並研發出新的蝕刻步驟程式(BT0 & BT-1)，來改善晶圓缺陷(Metal bridge)的現象。本研究經由DOE 的實驗中透過金屬蝕刻機 AMAT-DPS(Decoupled Plasma Source)，來進行乾蝕刻測試，獲得金屬乾蝕刻製程中關鍵線寬可以改善的條件。本研究最後經由掃描是電子顯微鏡 SEM(Scanning Electron Microscopy)來量測關鍵尺寸線寬及以白光干涉儀OP(Optical Profiler)量測蝕刻率，驗證製程參數及新的蝕刻步驟，。關鍵字：半導體蝕刻、
金屬蝕刻、缺陷、金屬線寬CD