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國立臺北科技大學 能源與冷凍空調工程系 胡石政所指導 林庭萱的 計算流體力學應用於EUV曝光機定期保養氣流模擬分析 （2020），提出euv曝光機關鍵因素是什麼，來自於計算流體力學、微影、異丙醇、田口法。
euv曝光機進入發燒排行的影片
投資台積電也了解一下台積電的技術護城河在哪裡吧！奈米製程裡用到的EUV技術，極紫外光是什麼呢？雖然三星、Intel英特爾也有EUV光刻機/曝光機，但是最終能夠駕馭這個技術並成功量產的還是 2330 台積電。
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EUV的成果是2330台積電股價可以攀升的原因之一。為什麼呢？因為臺積電在這個製程領先才能在7奈米、5奈米上領先對手三星、Intel，讓訂單持續湧入。臺積電在防塵技術上的突破，就算是一顆奈米級的灰塵也會因此影響半導體廠的生產良率，而EUV光刻機對於防塵的要求又比過去採用DUV光刻機時更高，因此在三星及Intel都還卡在防塵處理這關時，台 積 電 成功改良了光罩防塵技術，就因此讓TSMC成為全球首間導入EUV技術並且達成量產的廠商，在7奈米的訂單上大幅超越死敵三星。
極紫外光大家可以理解為一種波長較短的紫外光，lithography最早是石版印刷的意思，現在也被用來稱呼為光刻技術，所以把他們兩者合起來就是“利用極紫外光來進行雕刻”的意思，那要雕什麼呢？要雕晶圓。
延伸閱讀：
台積電如何在財務數據打趴中芯國際
https://www.stockfeel.com.tw/?p=97264
挑戰晶圓代工霸主(I)─台積電VS聯電
https://www.stockfeel.com.tw/?p=41088
格羅方德退出 7 奈米 台積電笑納 AMD 需求
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資料參考：
《一文看懂光刻機》
《晶圓代工爭霸戰：半導體知識(前傳) 》
《拿走英特爾的皇冠、超車三星，台積電贏在一顆奈米級灰塵 》
股感：https://www.stockfeel.com.tw/
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台積電拚5奈米關鍵技術！影片直擊極紫外光EUV微影技術是怎麼運作的https://www.bnext.com.tw/article/57392/asml-euv-tsmc-how-to-operation
何謂 EUV 微影？https://www.gigaphoton.com/ct/technology/euv-topics/what-is-euv-lithopgraphy
計算流體力學應用於EUV曝光機定期保養氣流模擬分析
為了解決euv曝光機 的問題，作者林庭萱 這樣論述：
摘要 iABSTRACT ii致謝 iv目錄 v表目錄 vii圖目錄 ix第一章 緒論 11.1研究背景與動機 11.2潔淨室 11.2.1潔淨室定義 11.2.2潔淨室的標準規範 11.3微環境 41.4 微影(photolithography) 51.4.1微影的定義 51.4.2極紫外光微影(Extreme Ultraviolet , EUV) 51.5氣態分子汙染物(AMC，Airborne molecular contamination) 61.6文獻回顧 81.7 研究目的 10第二章 數值模式 112.1 軟體介紹 112.2 基本假設
112.3 運動方程式 112.4標準k-ε模型之統御方程式 122.5擴散方程式 13第三章 邊界條件與參數 143.1幾何模型與邊界條件 143.2網格品質 153.3離散化方式與鬆弛因子(Uuder-Relaxation Factor) 153.4 Wall Y-plus 173.5 Verification and Validation (V&V) 183.6 田口法之全因子實驗法 27第四章 結果與討論 314.1不同EUV曝光機之工作檯設計對污染物濃度之影響 314.1.1 Case 1~Case 8田口法之全因子實驗法及計算流體力學(CFD)進行雙驗證
334.1.2 Case 8~Case 11田口法之全因子實驗法及計算流體力學(CFD)進行雙驗證 45第五章 結論 52參考文獻 53