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朝陽科技大學 資訊工程系 洪士程所指導 李琦勝的 使用模糊群集決策樹於模鑄型變壓器的異常檢測 （2021），提出epoxy中文關鍵因素是什麼，來自於模鑄型變壓器、局部放電、決策樹、模糊群集、層次聚類。
而第二篇論文朝陽科技大學 應用化學系 許世興所指導 邱德瑋的 無電電鍍銅以乙醛酸取代甲醛當作還原劑 （2021），提出因為有 無電電鍍銅、甲醛、乙醛酸的重點而找出了 epoxy中文的解答。
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IC封裝製程與CAE應用(第三版)
為了解決epoxy中文 的問題，作者鍾文仁、陳佑任 這樣論述：
本書除了對IC封裝類型、材料、製程、新世代技術有深入淺出的介紹外，針對電腦輔助工程(Computer-Aided Engineering，CAE) 的應用有更詳細的描述；從IC封裝製程(晶圓切割、封膠、聯線技術..)、IC元件的介紹(PLCC、QFP、BGA..)、MCM等封裝技術到CAE工程分析應用在IC封裝，能使讀者在IC封裝製程的領域有更多的收獲！本書適合大學、科大電子、電機系"半導體製程"課程或相關業界人士及有興趣之讀者使用。 本書特色 1.提供一完整IC封裝資訊的中文圖書。 2.提供IC封裝產業及其先進封裝技術的學習。 3.使讀者了解CAE工程在IC封裝製程的相關應用
。 4.適用於大學、科大電子、電機系「半導體製程」課程或相關業界人士及有興趣之讀者。 1 前 言 1-1 封裝的目的[1]1-1 1-2 封裝的技術層級區分1-2 1-3 封裝的分類1-4 1-4 IC封裝技術簡介1-4 1-5 IC封裝的發展[4]1-5 2 IC封裝製程 2-1 晶圓切割(Wafer Saw)2-1 2-2 晶片黏結2-3 2-3 聯線技術2-5 2-3-1 打線接合(Wire Bonding)2-6 2-3-2 卷帶自動接合(Tape Automated Bonding，TAB)[6][7]2-11 2-3-3 覆晶接合(Flip Chip，FC)2-13 2-4
封膠(Molding)2-15 2-5 剪切 / 成型(Trim/Form)2-17 2-6 印字(Mark)2-18 2-7 檢測(Inspection)2-19 3 IC元件的分類 / 介紹 3-1 封裝外型標準化的機構[1]3-1 3-2 IC元件標準化的定義3-4 3-2-1 依封裝中組合的IC晶片數目來分類3-4 3-2-2 依封裝的材料來分類3-4 3-2-3 依IC元件與電路板接合方式分類3-6 3-2-4 依引腳分佈型態分類3-7 3-2-5 依封裝形貌與內部結構分類3-9 3-3 IC元件的介紹3-11 3-3-1 DIP3-11 3-3-2 SIP3-13 3-3-3 P
GA3-14 3-3-4 SOP3-14 3-3-5 SOJ3-15 3-3-6 PLCC3-15 3-3-7 QFP3-16 3-3-8 BGA3-17 3-3-9 FC3-17 4 封裝材料的介紹 4-1 封膠材料4-1 4-1-1 陶瓷材料4-1 4-1-2 固態封模材料(Epoxy Molding Compound，EMC)[1][2]4-2 4-1-3 液態封止材料(Liquid Encapsulant)[3]4-6 4-1-4 封裝材料市場分析與技術現況[4]4-9 4-2 導線架4-10 4-2-1 導線架的材料[5][6]4-11 4-2-2 導線架的製造程序4-12 4-2-
3 導線架的特性與技術現況[7]4-17 4-3 基 板4-18 4-3-1 基板的材料[8]4-19 4-3-2 基板的製造程序[7][8]4-20 4-3-3 基板的特性與技術現況[4][7]4-23 5 新世代的封裝技術 5-1 MCM (Multi-Chip Module)5-1 5-1-1 多晶片模組的定義與分類5-3 5-1-2 多晶片模組的發展現況5-7 5-2 LOC (Lead-on-Chip)5-7 5-2-1 LOC的封裝方式5-8 5-2-2 LOC封裝的製程5-9 5-3 BGA (Ball Grid Array)5-11 5-3-1 BGA的定義、分類與結構5-12
5-3-2 BGA的優異性5-18 5-3-3 技術趨勢和未來發展5-20 5-4 FC (Flip Chip)5-21 5-4-1 凸塊接點製作5-24 5-4-2 覆晶接合5-33 5-4-3 底部填膠製程(Underfill)5-35 5-5 CSP (Chip Scale Package)5-37 5-5-1 CSP的構造5-38 5-5-2 CSP的製作方法5-40 5-5-3 CSP的特性5-42 5-5-4 CSP的發展現況5-44 5-6 COF(Chip on Flex or Chip on Film)5-46 5-6-1 COF的優點5-47 5-6-2 COF的缺點5-
49 5-6-3 COF的現況與發展5-49 5-7 COG(Chip on Glass)5-50 5-7-1 驅動IC構裝技術的介紹5-51 5-7-2 COG技術應用的關鍵材料5-52 5-7-3 目前COG的發展課題5-58 5-7-4 未來展望5-61 5-7-5 結論5-63 5-8 三次元封裝 (3 Dimensional Package)5-63 5-8-1 三次元封裝的特色及封裝分類5-64 5-8-2 三次元封裝技術的介紹5-70 5-8-3 三次元封裝技術的應用和發展5-72 6 IC封裝的挑戰 / 發展 6-1 封裝缺陷的預防6-1 6-1-1 金線偏移問題6-1 6-1
-2 翹曲變形問題6-3 6-1-3 其他封裝缺陷6-4 6-2 封裝材料的要求和技術發展6-6 6-2-1 黏晶材料6-7 6-2-2 封膠材料[2][3]6-7 6-2-3 導線架、基板的技術發展[6]6-12 6-3 散熱問題的規劃[7][8][9][10]6-14 6-3-1 IC熱傳基本特性6-15 6-3-2 IC熱阻量測技術與應用6-17 6-3-3 散熱片(Heat Sink)的應用6-24 6-3-4 熱管(Heat Pipe)的應用6-32 6-3-5 印刷電路板(PCB)之散熱技術6-34 6-3-6 新型散熱技術之發展6-43 6-3-7 3組不同封裝型態的高密度元件熱
傳改善探討6-45 6-3-8 結 論6-50 7 CAE在IC封裝製程的應用 7-1 CAE簡介7-2 7-2 CAE的理論基礎7-2 7-3 封裝製程的模具設計7-4 7-4 封裝製程的模流分析[7][8][9]7-4 7-5 封裝製程的可靠度分析7-10 7-5-1 熱應力與溫度分佈的探討7-10 7-5-2 金線偏移的預測7-10 7-5-3 翹曲變形的分析[14]7-15 7-5-4 錫球疲勞壽命的計算[15][16]7-21 7-5-5 錫球裂紋成長的分析7-24 7-5-6 覆晶底膠(Underfill)充填分析7-25 7-6 CAE工程分析應用在IC封裝製程的案例介紹7-30
7-6-1 模流分析案例I：SAMPO_BGA 436L [9]7-30 7-6-2 模流分析案例II：SPIL_BGA 492L [9][36]7-37 7-6-3 模流分析案例III：SPIL_QFP 208L [9]7-46 7-6-4 金線偏移分析案例：SPIL_BGA 492L [9][36]7-55 7-6-5 翹曲變形分析案例：SAMPO_BGA 436L [14]7-58 7-6-6 翹曲變形分析案例：FCBGA7-71 7-6-7 疲勞壽命分析案例7-79 7-6-8 無鉛錫球在溫度循環試驗下之可靠度評估7-83 7-6-9 Underfill分析案例I：錫球數量和凸塊配置
對充填流動的探討7-95 7-6-10 Underfill分析案例II7-113 7-7 結 論7-130 8 電子封裝辭彙 8-1 專業術語8-1 A IC導線架之自動化繪圖系統 A-1 軟體簡介附A-1 A-2 佈線區域理論和參數化附A-2 A-2-1 佈線區域理論附A-2 A-2-2 佈線區域參數化附A-3 A-3 自動規劃佈線區域之準則附A-4 A-3-1 主區域的選取與搜尋附A-5 A-3-2 內引腳端點位置的搜尋與計算附A-6 A-3-3 次區域的規劃附A-7 A-3-4 金線之計算與繪製附A-8 A-4 案例研究附A-9 A-4-1 DIP 24 pins附A-10 A-4-2
QFP型附A-17 A-5 研究成果附A-22 A-6 未來展望附A-23 B 金線偏移分析軟體 B-1 軟體簡介附B-1 B-2 CAE分析資料的匯入附B-3 B-3 金線資料的輸入附B-4 B-3-1 金線材料性質的定義附B-4 B-3-2 模穴參考幾何中心的定義附B-5 B-3-3 金線幾何座標的輸入附B-7 B-3-4 Fit Curve的繪製附B-9 B-3-5 實際金線偏移量的輸入和顯示附B-11 B-4 金線偏移量的計算附B-13 B-4-1 CAE網格資料的擷取附B-14 B-4-2 Gapwise Information附B-14 B-4-3 Calculated In
formation附B-15 B-4-4 金線偏移量的計算結果附B-16 B-4-5 擷取網格位置的顯示附B-16 B-4-6 Circular Arch公式解的計算附B-18 B-5 分析結果的整合與匯出附B-18 B-5-1 ANSYS Log檔的輸出附B-18 B-5-2 金線偏移趨勢的繪出附B-21 B-6 未來展望附B-22
使用模糊群集決策樹於模鑄型變壓器的異常檢測
為了解決epoxy中文 的問題，作者李琦勝 這樣論述：
模鑄型變壓器的故障不僅會降低電力系統的可靠性，而且對電能質量也有很大影響。高壓電氣設備的環氧樹脂絕緣子中發生的局部放電（Partial Discharges, PD）會對絕緣產生有害影響逐步侵蝕絕緣介質，並可能導致電力系統停電。 PD的模式識別是提高高壓電氣設備可靠性的一個工具。在本篇論文中，提出了一種模糊邏輯聚類決策樹(Fuzzy Clustering Decision Tree, FCDT)來判斷模鑄型變壓器異常的局部放電缺陷。FCDT將層次聚類與決策樹整合在一起。層次聚類是使用最接近的樣本群集，一層一層擴大，再決定要分割成多少群組，是使用決策樹進行分類的預處理階段。本文提出的算法能夠採
用FCDT對模鑄型變壓器的異常 PD 進行分類，並將整個數據集依層次聚類劃分為一些分割屬性，並通過決策樹對每個分割屬性的模式進行分類，最終FCDT的分類結果與See5和CART進行分析比較，在分類準確度上FCDT的表現比CART和See5佳。
無電電鍍銅以乙醛酸取代甲醛當作還原劑
為了解決epoxy中文 的問題，作者邱德瑋 這樣論述：
如今環保法規的嚴格，造成無電電鍍產業上使用的還原劑甲醛受到管制，因此需要尋找替代的還原劑來取代甲醛還原劑，必須對環境無害且不受到環保規範的環境友善藥品。無電電鍍是在不施加電壓的情況下以自身催化氧化還原反應使金屬能夠在材料表面上形成一層金屬薄膜，此表面金屬工藝經常用於市面上經常看到的各個行業裡，例如：在布上進行鍍銅、在汽車塑膠零件上鍍上金屬薄膜增加美觀和在醫療器材上鍍上銅增加抗菌性。 本研究是要將甲醛還原劑用乙醛酸進行代替，乙醛酸為環境友善藥品，並未受到環保法規限制，條件也並未有太大的不同，因此適合用以替代甲醛。比較乙醛酸跟甲醛使用之差異。在實驗中是使用到了硫酸銅、EDTA螯合劑、50
%乙醛酸還原劑、2,2聯吡啶、黃血鹽等安定劑和利用氫氧化鈉進行pH值的調整。本次是以在布上進行無電電鍍銅來進行實驗，將布進行前處理再進行鍍銅，將無電電鍍完之布進行厚度、電阻和密著性測試來表明說鍍上之銅可以達到與使用甲醛還原劑相同的效果，也可以達到所需要的條件，可使用乙醛酸來代替甲醛當作無電電鍍主要的還原劑來使用，廢液處理方式跟原本的方法相同，但不需要額外負擔甲醛的處理費用和空汙費用。