工業和商業黃頁資訊網論文書籍站
明志科技大學 電子工程系碩士班 許宏彬所指導 何青樺的 高摻雜氮之氮砷化銦鎵光學性質 （2017），提出corson合金關鍵因素是什麼，來自於氮砷化銦鎵、有機化學氣相沉積法、光調制反射光譜。
而第二篇論文國立清華大學 材料科學工程學系 葉安洲所指導 吳品逸的 鈷添加對於銅鎳鈷矽合金強度和導電率的影響 （2015），提出因為有 銅鎳矽合金、析出強化、導電率、鈷添加的重點而找出了 corson合金的解答。
高摻雜氮之氮砷化銦鎵光學性質
為了解決corson合金 的問題，作者何青樺 這樣論述：
過去在商業應用上，中長程光纖的光源通常使用在1.3 µm或1.55 µm，而傳統元件大多都使用磷砷化銦鎵(InGaAsP)系統，但是此材料的導電帶偏移較小，導致在注入電流時會產生較大的熱效應，而影響元件的效能。但在砷化銦鎵(InGaAs)摻雜低濃度的氮(N)後，能隙會往低能量移動，這個發現可以將InGaAsN系統用在長波長光電子元件上，InGaAsN系統發現比InGaAsP有更多的優點，例如:具有相當大的導電帶偏移，因此有效降低熱效應影響、可以使用較成熟的AlGaAs/GaAs分佈式布拉格反射鏡技術來增加發光的強度、具有較低的輸入電壓和高速的信號傳輸調變率，適合應用於高速網路傳輸。 InGa
AsN材料是使用砷化鎵(GaAs)當基板，GaAs成長技術與材料特性都比銦化磷(InP)成熟，而且製作的成本也比較低，以上的優點使1.3 µm或1.55 µm的光源材料使用InGaAsN材料系統，取代成本較高的InGaAsP材料系統。本文是利用光調制反射光譜檢測以有機化學氣相沉積系統生長在GaAs基板上的不同氮含量的InGaAsN (氮含量為0 % - 3.2 %)，使用調制光譜下的測量數據分析顯示，InGaAs中摻入少許的N會使能隙大幅地降低，藉由實驗溫度由10 K至300 K的光調制反射光譜量測其能隙之溫度相依性，隨著溫度降低可以發現能隙有明顯藍移現象，也發現到當N濃度的提升時低溫藍移的現
象會減少，將實驗結果使用Varshni、Bose-Einstein、O'Donnell和Pässler方程式擬合實驗結果，求取其能隙溫度相依性之相關參數，討論不同氮含量之InGaAsN溫度依賴性並探討其可能原因。
鈷添加對於銅鎳鈷矽合金強度和導電率的影響
為了解決corson合金 的問題，作者吳品逸 這樣論述：
Cu-Ni-Si合金是近年來最受矚目的析出強化型銅合金，因其同時擁有優異的機械強度和導電性而廣泛應用於各種電子零件材料，例如電子彈簧、開關、導線框架等。許多文獻指出:不同元素的添加和熱機製程的改善可以更進一步提升Cu-Ni-Si合金的導電性和強度，以取代有毒的Cu-Be合金。 本研究為闡明部分Ni被Co取代的影響，共設計三款不同Co/Ni比例的Cu-Ni(-Co)-Si合金:Cu-8Ni-4Si、Cu-6Ni-2Co-4Si和Cu-4Ni-4Co-4Si，經由電弧熔煉、固溶熱處理、冷滾軋和時效處理，以XRD、OM、SEM和TEM觀察各階段的微結構並測量室溫下導電率、硬度和拉伸強度。實驗
結果顯示Co含量越高導電性也隨之增高，而硬度由高至低排列則是為:Cu-6Ni-2Co-4Si、Cu-8Ni-4Si、Cu-4Ni-4Co-4Si。經由以上結果和微結構觀察，我們可以推斷出2%的Co添加量最為合適，因其有最高的強度表現，和次高的導電性。造成此結果的原因為溶質固溶度在高溫與低溫間的差異會隨著Co添加量上升而增大，同時比較固溶後的二次相的面積分率，我們發現當Co添加量超過2%時二次相(樹枝間晶和針狀析出物)大量增加，微硬度測試顯示這些二次相無法提供強度，並且使得基地相溶質純度降低，後續時效能產生的奈米析出物強化相也減少，所以2%Co是最佳添加量。導電性主要取決於基地相的Cu純度，而C
o比起Ni在Cu的固溶度更低，所以導電性會隨著Co的添加量上升而上升。