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鈦及鉭應用於銦鎵鋅氧化物薄膜電晶體電極之研究

為了解決cm2符號的問題，作者陳蔚璉 這樣論述：

本研究探討鈦（Titanium，Ti）及鉭（Taltalum，Ta）作為銦鎵鋅氧化物（In-Ga-Zn-O，IGZO）薄膜電晶體（Thin-film Transistor，TFT）源極與汲極對元件之影響。研究第一部分利用傳輸線模型（Transmission Line Model，TLM）量測兩種金屬與IGZO薄膜界面在退火處理前後的特徵接觸電阻（Specific Contact Resistance，c），並以X光電子能譜儀（X-ray Photoelectron Spectroscopy，XPS）分析金屬與IGZO界面退火前後縱深組成變化。TLM分析結果顯示退火前Ti/IGZO之c值為

3.63×103 Ω∙cm2，Ta/IGZO為2.71×103 Ω∙cm2，經300°C、一小時退火可得Ti/IGZO最低c值為6.27×104 Ω∙cm2，Ta/IGZO為8.56×104 Ω∙cm2。XPS分析顯示退火前Ti/IGZO界面氧化態以Ti2+及Ti3+為主，退火後則為Ti3+及Ti4+；退火前Ta/IGZO界面氧化態為Ta3+及Ta4+，退火後兩者含量增加。退火後形成的氧化物也使氧缺陷增加，此同時提升載子濃度，使金屬與IGZO薄膜間c值降低。第二部分進行Ti-TFT及Ta-TFT元件分析，使用第一部分最低c值之退火溫度300°C，退火時間為一分鐘及一小時。Ti-T

FT的飽和遷移率（Saturation Mobility，sat）為1.57 cm2/Vsec，臨界電壓（Threshold Voltage，Vth）為7.72 V，電流開關比（On/Off Current Ratio，Ion/Ioff）為2.35×105，次臨界擺幅（Subthreshold Swing，SS）為0.86 V/decade；Ta-TFT之sat為18.3 cm2/Vsec，Vth值為2.3 V，Ion/Ioff為1.24×104，SS為2.1 V/decade。經300°C退火一分鐘及一小時後，Ti-TFT之SS為0.76及2.06 V/decade，Ion/Ioff

為3.75×104及2.64×103，Vth為5.6 V及1.48 V，sat為18.5 cm2/Vsec及41.0 cm2/Vsec。Ta-TFT退火後則失去元件特性。

以BaCe0.6Zr0.2Y0.2O3-δ為骨架浸潤La0.6Sr0.4Co0.8Fe0.2製備為複合陰極 應用於質子傳導型SOFC之可行性研究

為了解決cm2符號的問題，作者王泰傑 這樣論述：

本研究使用固態反應法製備之電解質BCZY粉末，以濕行星式球磨將粒徑減小增加表面積作為陰極骨架材料，將三種不同燒結溫度作為變數個別為1000 ℃、1100 ℃、1200 ℃，製備出具有足夠孔隙率且與電解質連接性良好的BCZY陰極骨架，以最佳的燒結參數1100 ℃進行後續之浸潤實驗。浸潤溶液使用兩種配方進行比較，一為添加甘胺酸做為螯合劑並使用乙醇做為界面活性劑，為燃燒合成法之浸潤溶液配方，另一為使用乙二醇使前驅溶液脂化，烘乾後添加乙二醇單丁醚作為界面活性劑，以熔膠凝膠法之浸潤溶液配方，進行表面形貌、微觀結構以及孔隙率之探討，接著提升浸潤溶液負載量增加電化學活性位點，並獲得製備複合陰極之最佳負載量

。經由I-V直流極化曲線和電化學交流阻抗頻譜進行深入分析，以瞭解不同陰極結構在質子傳輸型固態氧化物燃料電池中的反應差異，隨著浸潤含量的提升可以增加三相界面的反應面積，導致極化阻抗之下降，並且得知過度的添加會造成孔隙率的不足，使陰極端氧氣無法充分擴散，進行氧還原反應造成額外阻抗的產生。最佳效能參數為使用乙二醇浸潤溶液，負載量為55.8 wt.%之複合陰極，全電池於800 ℃下測得之效能:開路電壓為0.96 V、功率密度為388 mW/cm2。