ac dc電源的問題,透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和資訊懶人包

ac dc電源的問題,我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍,推薦(美)馬尼克塔拉寫的 精通開關電源設計(第2版) 和DanielW.Hart的 電力電子學 1/e都 可以從中找到所需的評價。

另外網站【電池教室01】如何選購電源供應器及變壓器?也說明:輸入(Input):AC110~240V / 50Hz~60Hz 代表全球各地電壓輸入皆可適用,但因各國AC插頭型式不同,若您要出國使用,需另購買符合當地插座型式之插頭。 輸出(Output):DC 12V ...

這兩本書分別來自人民郵電出版社 和東華所出版 。

聖約翰科技大學 電機工程系碩士班 陸家樑所指導 蘇秋香的 再生能源電力轉換裝置 (2021),提出ac dc電源關鍵因素是什麼,來自於轉換。

而第二篇論文國立聯合大學 電子工程學系碩士班 陳勝利所指導 周昱杰的 超高壓nLDMOS/IGBT-like元件布局強化ESD能力之研究 (2020),提出因為有 靜電放電、矽控整流器、橫向擴散金氧半電晶體、絕緣炸雙極性電晶體的重點而找出了 ac dc電源的解答。

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接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧:

除了ac dc電源,大家也想知道這些:

精通開關電源設計(第2版)

為了解決ac dc電源的問題,作者(美)馬尼克塔拉 這樣論述:

隨着便攜式設備迅速發展,開關電源已成為電力電子學最重要的應用領域。然而,開關電源的原理看似簡單,但實際上想要設計一個好的電源,要涉及半導體物理、控制理論、磁學等眾多學科,對設計者的專業要求很高,因此許多初學者歷經艱苦,仍然不得其門而入。本書凝聚了作者豐富的開關電源工程設計經驗和獨到的見解,自上一版起,就已成為業界公認的經典著作。作者由開關電源中最重要也最難理解的元件電感入手,系統地介紹了三種基本拓撲演變、磁性元件設計、功率器件選擇、功率器件損耗、印制電路板設計、反饋環路設計、前級電路設計以及開關電源的電磁干擾問題等內容,並結合設計實例做了深入分析。新版增加了八個全新章節,保留的舊版內容也添加了

更多詳細設計案例和相關技術,不但適合初學者入門,也適合有一定技術積累的專業人士進階。 第1章 開關功率變換原理 1.1 引言 1.2 概述和基本術語 1.2.1 效率 1.2.2 線性調整器 1.2.3 利用開關器件提高效率 1.2.4 半導體開關器件的基本類型 1.2.5 半導體開關器件並非理想器件 1.2.6 利用電抗元件提高效率 1.2.7 早期RC型開關調整器 1.2.8 LC型開關調整器 1.2.9 寄生參數的影響 1.2.10 高頻開關時的問題 1.2.11 可靠性

、使用壽命和熱管理 1.2.12 應力降額 1.2.13 技術進展 1.3 電感 1.3.1 電容、電感和電壓、電流 1.3.2 電感和電容的充放電電路 1.3.3 能量守恆定律 1.3.4 充電階段和感應電壓概念 1.3.5 串聯電阻對時間常數的影響 1.3.6 R=0時的電感充電電路和電感方程 1.3.7 對偶原理 1.3.8 電容方程 1.3.9 電感放電階段 1.3.10 反激能量和續流電流 1.3.11 電流必須連續,但其變化率未必 1.3.12 電壓反向現象 1

.3.13 功率變換中的穩態及其不同工作模式 1.3.14 伏秒定律、電感復位和變換器的占空比 1.3.15 半導體開關器件的使用和保護 1.4 開關拓撲的演變 1.4.1 通過二極管續流控制感應電壓尖峰 1.4.2 達到穩態並獲得有用能量 1.4.3 升降壓變換器 1.4.4 電路的地參考點 1.4.5 升降壓變換器結構 1.4.6 交換結點 1.4.7 升降壓變換器分析 1.4.8 升降壓變換器特性 1.4.9 為什麼僅有三種基本拓撲 1.4.10 升壓拓撲 1.4.11 降壓拓撲

1.4.12 高級變換器設計第2章 DC-DC變換器及其磁性元件設計 2.1 直流傳遞函數 2.2 電感電流波形中的直流分量和交流紋波 2.3 交流電流、直流電流和峰值電流的定義 2.4 理解交流、直流和峰值電流 2.5 定義「最惡劣」輸入電壓 2.6 電流紋波率r 2.7 r與電感值的關系 2.8 r的最優值 2.9 是電感尺寸,還是電感值 2.10 負載電流對電感值和電感尺寸的影響 2.11 供應商如何標定成品電感的額定電流,以及如何選擇電感 2.12 給定應用中需要考慮的電感電流額定值 2.13 電流限制的范圍和容限 ……

第3章 離線式變換器及其磁性元件設計第4章 拓撲的常見問題和解答第5章 高級磁技術:最優磁芯選擇第6章 元器件額定值、應力、可靠性和壽命第7章 最優功率器件選擇第8章 導通損耗和開關損耗第9章 探索新拓撲第10章 印制電路板設計第11章 熱管理第12章 反饋環路分析及穩定性第13章 高級命題:並聯、交錯和負載均流第14章 AC-DC電源前級電路第15章 電磁干擾標准及測量第16章 實用電源電磁干擾濾波器及噪聲源第17章 電路板電磁干擾治理及輸入濾波器穩定性第18章 電磁難題背后的數學第19章 算例附錄索引

ac dc電源進入發燒排行的影片

這一次要來實測大家最好奇的充電砂輪機續航力到底有多久? 電動工具使用電池雖然方便好用,但是大功率的機種在長時間工作上總是續航力不太足夠,以前就有在想為什麼不出個電源轉換模組就好了呢? HiKOKI居然就有出這樣子的套件可以使用!

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再生能源電力轉換裝置

為了解決ac dc電源的問題,作者蘇秋香 這樣論述:

本論文的裝置使用了整流器將交流電轉換為直流電AC/DC,再經由自動升降壓模組來固定輸出電壓值,進而穩定輸出,輸入電源使用水泥電阻及二極體作為分隔 使電路選擇再生能源進行供電,當再生能源不足供應,還有電瓶進行供電,當電瓶也不足供應,則由市電進行供電,而在負載電路設計上,也有許多低功率設計可將功耗降低。

電力電子學 1/e

為了解決ac dc電源的問題,作者DanielW.Hart 這樣論述:

  本書為電力電子技術領域之基礎教材,全書共有十章,主要針對大學部初學電力電子技術之學生所設計,內容全面、廣泛而循序漸進。書中除了講述電力電子技術之基礎知識,亦詳盡回顧在電子電路及電路學中與電力電子學相關的理論與分析,包含電路基本原理、開關電路之原理、波形分析、傅立葉級數、功率概念與計算等等,特別是在書中第一、二章之系統性整理,而之後各章節亦有補充說明,為初學者搭起一座進入電力電子領域之橋樑。   初學者或未能實作電力電子電路者,可藉由電腦軟體來模擬電路動作與顯示電路各元件波形,以快速瞭解與驗證各種轉換器電路之操作原理,並且進一步加深書中所闡述的理論分析,因此本書內容對PSpice模擬軟體

亦多所著墨,尤其在各章後面皆有相關電路的模擬演練,幫助讀者逐步熟習軟體模擬之環境。 本書特色   本書以最簡潔的描述,引導讀者以最快的速度掌握電力電子技術領域之各類轉換器,舉凡使用閘流體之整流器(第三、四章)、各類基本轉換器(第五、六章)、電源供應器(第七章)、變頻器(第八章)之動作分析與設計要點,以及較為進階的諧振式轉換器(第九章),乃至於在電力電子電路實體研製實務上所需的緩衝器電路與散熱片之概論與設計,均含括在內。為使讀者能夠瞭解完整的轉換器之研製,書中從電路元件挑選及電路分析設計,乃至電路損失分析、小訊號模型之建立、輸出調節所需之回授補償電路設計,也都有一系列的講述。 本書的主要特色如下

  .涵蓋理論、分析與設計  .以清晰、易懂的方式說明轉換器、整流器、電路設計等概念  .PSpice 電腦模擬技術之圖解範例

超高壓nLDMOS/IGBT-like元件布局強化ESD能力之研究

為了解決ac dc電源的問題,作者周昱杰 這樣論述:

隨著電子元件及製程技術的迅速發展,功率半導體元件應用範圍越來越廣,其中以LDMOS 結構適合與CMOS積體電路整合使用。由於開關切換速度優勢,使得元件應用於驅動電路、LED 驅動電路、AC-DC電源電路、電源供應器等對應用領域方面。對於功率 MOSFET元件具備有之優勢,例如高輸入阻抗、較低驅動功率、低導通電阻以及較大的安全工作區間(SOA);對於元件可靠度問題以及抗雜訊能力仍需克服,因此LDMOS元件的抗靜電放電能力以及栓鎖效應抵抗能力為本論文的主軸。與低壓以及高壓元件,超高壓功率元件需要透過較大佈局面積,才能夠達到相同靜電放電防護等級。此外,針對超高壓 LDMOS元件及相似IGBT(In

sulated Gate Bipolar Transistor) 元件,當這些元件發生靜電放電事件時,這些元件架構由於內部寄生NPN(或者含PNP)所形成的一個寄生導通路徑,這些元件可以快速放電。但是這些超高壓元件可使用於輸入/輸出端,並且需要提供負載驅動電流外,作為輸出級外加防護元件遇到靜電放電事件,由於內部電路輸出級閘極浮接導致電位不確定性外部保護元件需要擁有更快速導通速度。本論文針對300V超高壓nLDMOS、相似IGBT-like元件圓形佈局、以及後來所提出的橢圓nLDMOS元件提高保護元件ESD免疫能力。最後並透過HBM測試機台、傳輸線脈衝系統 (Transmission- Line

pulse;TLP)進行量測,得到元件驟回崩潰後形成低阻抗路徑排放物理參數。論文分為四部分元件佈局架構:第一部分、相似IGBT-like元件將汲極端寄生SCR並且由內圈到外圈分為三等份,其中最外圈與其他兩等分分開,並且中間分成(非氧化層隔離/氧化層隔離)。其次該方法相似IGBT-like元件是在體極端/源極端下方嵌入PBL層、延伸DPW層並且將汲極端下方以P-BODY層增加阻抗;第三部分、改善DPW層離散調變將第一等分延伸至P-BODY層,SHPW層在元件漂移區中以離散方式調變。第四部份nLDMOS、IGBT-like元件的汲極端延伸POLY 層分別接上三種電位(VDD、FLOATING、G

ND),以評估元件電性及抗ESD/Latch-up 可靠度能力有何影響。關鍵字:功率電晶體(Power MOSFET), 靜電放電(Electrostatic Discharge;ESD), 矽控整流器( Silicon Controlled Rectifier; SCR), 二次崩潰電流(It2), 橫向擴散金氧半電晶體(LDMOS), 安全工作區間(SOA), 絕緣閘雙極性電晶體(Insulated Gate Bipolar Transistor; IGBT),傳輸線脈衝系統(Transmission-Line Pulse System), 超高壓(UHV)