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Violet ig進入發燒排行的影片

石墨烯/鎳鈷金屬硫化物複合電極於超級電容之研製

為了解決Violet ig的問題，作者林志頤 這樣論述：

本研究使用光纖雷射加工系統透過雷射圖案化技術於聚酰亞胺薄膜上誘發多孔石墨烯作為電極結構，並藉由調控雷射輸出功率，探討形成石墨烯結構、品質與導電特性，再以滴鑄法製備NiCoS石墨烯複合電極。石墨烯電極經由改變雷射加工參數已得出具最佳品質之石墨烯。透過簡易的化學合成製備NiCoS，與奈米碳管研磨混和後滴鑄於石墨烯電極上，並比較不同鎳鈷莫爾比下NiCoS石墨烯複合電極之電容特性，再針對最佳鎳鈷比例，使用硫脲搭配水熱法製備Hy-NiCoS，最後使用活性碳與LIG結合作為負電極和正電極Hy-NiCoS於二極式系統進行匹配。本研究使用掃描式電子顯微鏡、拉曼光譜儀、化學分析電子能譜儀、Ｘ光繞射分析儀、和四

點探針量測儀，分別量測石墨烯、NiCoS及Hy-NiCoS之表面形貌、斷面輪廓、化學結構與性質及電特性。研究結果表明，石墨烯於雷射功率7.8 W、脈衝重複頻率750 kHz和掃描間距0.1 mm時具有最低的片電阻值19.8 Ω、最低的ID/IG值0.695與最緻密的多孔結構，而其多孔結構有利於電解質離子進入電極材料，提高電化學性能。相較於先前多數昂貴的製程，如需經表面處理並摻雜其他活性物質的超級電容器，本研究透過使用簡易的滴鑄製程，將NiCoS與奈米碳管研磨混合並滴鑄於石墨烯電極上，而NiCoS可以產生快速可逆的氧化/還原反應和插層反應為電極提供大量額外的法拉第電容。於電流密度0.5 mA/c

m2時，鎳鈷莫爾比為1：1之比例的NiCoS石墨烯複合電極具有356 mF/cm2的比電容。而使用最佳鎳鈷比例搭配水熱法製備之Hy-NiCoS，其顯微結構由不規則的珊瑚狀物和豐富的奈米球狀顆粒堆疊組成，在電流密度0.5 mA/cm2時，具有超高比電容為817 mF/cm2。相較於NiCoS-1，其比電容之倍率放大維持率也從71%提升至94%，同時也具有較低的內阻值。以上結果均表明，Hy-NiCoS石墨烯複合電極具有極為優異的優異的電荷存儲能力與電容特性。此外，使用膠體電解質(PVA/KOH)組裝的固態SC 1-10超級電容器在0.5 mA/cm2時，顯示出85 mF/cm2的高面積比電容和0.

017 mWh/cm2的高面積能量密度，透過串聯兩個SC 1-10也可在撓曲狀態下驅動LED發亮將近1分鐘。本研究使用成本低廉且體積小的光纖雷射並結合簡易的製程製備雙金屬硫化物LIG複合電極，為可撓性和可穿戴電子設備提供新的思路與電源供給選擇。