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元智大學 工業工程與管理學系 鄭元杰所指導 蕭郁姍的 以田口實驗法研究感光性聚醯亞胺乾膜光阻曝光微影成像圖形之製作參數 （2020），提出TMAH 顯影 原理關鍵因素是什麼，來自於田口式實驗設計法、感光性聚醯亞胺、參數最佳化、曝光、微影。
而第二篇論文國立成功大學 微電子工程研究所 莊文魁所指導 張育棋的 基於鐵酸鉍交叉式電阻記憶體之電性與照光研究 （2020），提出因為有 鐵酸鉍薄膜、電阻式記憶體、交叉式陣列電阻記憶體、光譜響應、紫外光的重點而找出了 TMAH 顯影 原理的解答。
以田口實驗法研究感光性聚醯亞胺乾膜光阻曝光微影成像圖形之製作參數
為了解決TMAH 顯影 原理 的問題，作者蕭郁姍 這樣論述：
本研究為新材料-感光性聚醯亞胺乾膜光阻應用在A公司新研發產品的製程參數。此感光性聚醯亞胺乾膜光阻在黃光微影製程的解析能力優，可以提升薄膜製程能力，替代原先的材料，做到曝光成像大小15微米的解析能力，但在A公司作實驗評估時，遇到經過黃光製程曝光顯影完的感光性聚醯亞胺乾膜光阻成像圖形的垂直度不佳的問題，為解決上述問題，本研究將以田口式實驗計劃法與迴歸分析探討實驗結果是否為最佳製程參數以解決感光性聚醯亞胺乾膜光阻成像圖形垂直度不佳的問題。研究最後會評估此感光性聚醯亞胺乾膜光阻在成本與品質的效益。經過實驗和研究分析，發現影響感光性聚醯亞胺乾膜光阻的成像圖形的垂直度的其中關鍵因素是曝光和顯影，而曝光參
數中曝光波長的配比和曝光能量決定了感光性聚醯亞胺乾膜光阻的圖形成像的尺寸大小和成像圖形的垂直度，顯影的時間長短也會影響感光性聚醯亞胺乾膜光阻曝光成像的圖形的尺寸大小和成像圖形的垂直度，經過本研究一系列實驗也證實了微影製程中的曝光和顯影對於感光性聚醯亞胺乾膜光阻的成像圖形的尺寸和成像圖形垂直度有相當大的影響，本研究的結果也成功測試出符合A公司使用此感光型聚醯亞胺乾膜光阻的製作最佳參數，未來可以導入薄膜製程，提昇製程，做出更精細的微細線路、孔徑及高對位的增層技術。
基於鐵酸鉍交叉式電阻記憶體之電性與照光研究
為了解決TMAH 顯影 原理 的問題，作者張育棋 這樣論述：
近年來，隨著AI、物聯網以及大數據等等科技的蓬勃發展，需要大量的計算以及儲存空間，記憶體的要求以及需求也日益增加，由於電阻式記憶體(ReRAM)具有結構簡單、低功耗、讀寫速度快等優點，但要如何達到高密度、低功耗的記憶體，一直是一個待解的議題。為了達到高密度的需求，本論文製備了1×1和2×2交叉式陣列電阻記憶體，使用射頻磁控濺鍍法製備的鐵酸鉍薄膜作為介電層材料，上、下電極分別為氧化銦錫和鋁，並量測此結構ReRAM電性及穩定性，經由量測，此元件具有能辨識的開關電流比值(on/off ratio > 100)，接著在高、低阻態維持時間都可以維持11000秒以上，並且在耐用度測試上，可以穩定的達到約
200次的開關切換次數。 除了一般的電性量測分析，也對鐵酸鉍薄膜進行XRD和吸收等量測，並計算其能隙，本論文也探討了其燈絲傳導機制以及高、低阻態的導通機制，除了歐姆傳導、空間電荷侷限電流外(SCLC)，發現在高電場下的傅勒-諾德翰穿隧(Fowler-Nordheim Tunneling)也有參與其中。 接著探討電阻式記憶體對光之響應，以及不同波段的光對元件的影響，進而去探討在紫外光下，進行元件阻態切換，以及低阻態的電流變化。