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國立成功大學 工程科學系專班 周榮華所指導 曾杞良的 白光LED老化對色度及輝度影響之研究 （2011），提出LED混BIN關鍵因素是什麼，來自於白光LED、田口實驗、老化實驗。
白光LED老化對色度及輝度影響之研究
為了解決LED混BIN 的問題，作者曾杞良 這樣論述：
近年來隨著白光LED的發展，價格的降低及亮度的提升，顯示器的背光源也由傳統的CCFL(冷陰極螢光燈)，逐漸替換成白光LED；產品也由行動電話擴大到平板電腦、筆記型電腦及高階的大型顯示器。本研究主要對象為GnInA藍光LED Chip激發黃光螢光體(YAG)之白光LED， 探討其對色度因Chip本身主波長的些微變化，及黃光螢光體激發時產生的變化，對不同色度座標(BIN CODE)之影響，及白光LED 因熱效應及隨時間劣化產生的色度飄移及輝度衰減現象，並瞭解其色度座標的偏移型態及其輝度的影響程度。首先，運用田口實驗探討白光LED在封裝過程中，可能對LED輝度的影響因子。設定控制因子以及干擾因子，
以A~H 8種控制因子及三種水準進行實驗，找出S/N比反應最大的因子，再經過優化設計來取得較適之生產條件。其次，本研究運用統計方法，針對不同粉體配方之白光LED進行長時間1000小時高溫劣化實驗，以驗證不同配方的情況下，輝度與色度衰落變化之一致性，以做為LED背光模組採取混BIN 之參考。本研究結果顯示，螢光粉體依據本實驗所設定的A~H的影響因子中，有以下結果：一、以A螢光粉體的尺寸、B配方及C螢光粉體散佈等三項影響因子， 其影響輝度變化較為明顯。二、最佳化條件與原始條件不同A.螢光體粒徑15µm優於粒徑25µm：此部分可能因螢光粉體中之增感劑(Activator)，因粒徑變小後，其表面積增大
，使增感劑在進行能量傳導時，更能激發鄰近的螢光主晶格，使能量傳遞更有效率。B.螢光粉體散佈方式，以沉底方式較佳：沉底方式可能因距離LED Chip 較為接近，激發之能量較大所造成，可印證目前於LED封裝廠，有傾向於沉底的封裝模式。三、不同的螢光粉體配方，經過1000小時h老化，其輝度經檢定無法拒絕虛無假設，輝度仍可視為一致，可做為顯示器白光LED混Bin方式之參考。四、在進行白光LED老化實驗時，發現白光LED色度變異不明顯，色度雖有變化，然其變化ΔE仍低於1.5，為第二級別色差，肉眼尚無法分辨，因此做為顯示器白光LED以混Bin方式評估時，如本實驗選用的LED色塊，雖為不同螢光粉體配方製成，
但其驗證結果顯示，此兩色塊LED確能進行混BIN。