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中山醫學大學 醫學研究所 許國堂、蔡女滿所指導 黃曉凡的 探討廣藿香植物萃取液對於肝癌之生物活性影響 （2020），提出H2N2 gas關鍵因素是什麼，來自於肝細胞癌、廣藿香、細胞凋亡、細胞週期、蕾莎瓦膜衣錠、協同作用、轉移。
而第二篇論文國立高雄科技大學 化學工程與材料工程系 陳弘穎所指導 楊偉勛的 以常壓電漿製程製備氮化鉻薄膜 （2018），提出因為有 氮化、氮化鉻、常壓電漿、薄膜、溶膠凝膠法的重點而找出了 H2N2 gas的解答。
探討廣藿香植物萃取液對於肝癌之生物活性影響
為了解決H2N2 gas 的問題，作者黃曉凡 這樣論述：
肝癌為台灣及全球癌症致死率的前 3 名，其中肝細胞癌 (Hepatocellular carcinoma, HCC)佔肝癌發生率的60～70%。臨床檢測出肝癌多為中晚期並伴隨著肝功能異常、患者對化療藥物反應率低和對標靶藥物容易產生抗藥性。目前科學家仍不斷的開發新藥或治療模式來治療HCC，因而積極開發低毒性且能治療或預防HCC的復發或轉移之藥物為迫切性的需求。於本實驗室先前的研究結果中，透過一系列植物萃取液及以生物活性導向之篩藥平台，篩選出對HCC細胞有明顯抑制效果之植物粗萃物為廣藿香粗萃物 (Pogostemon cablin exrtact, PPa extract)。近期科學性文獻中，已
證實廣藿香具有抗菌、抗發炎及抑制大腸癌及肺癌之生長等作用，但其詳細抑癌機制尚未被深入研究。因此，本研究之目的為探討PPa extract對抗HCC的抑癌的作用，研究設計分為五個階段：(1) 篩選有效抑制HCC細胞生長之植物粗萃物並研究其機制；(2) 探討PPa extract對HCC之抗癌作用及鑑定PPa extract之有效成分；(3) 探討有效純化物對HCC之抗癌作用；(4) 探討有效純化物合併Sorafenib對HCC之抗癌作用；(5) 研究有效純化物對HCC細胞轉移之影響及其機制。總結上述，透過此實驗設計驗證PPa extract能夠透過誘發大量活性氧化物 (Reactive oxyg
en species, ROS)促使DNA損傷，進而使細胞週期停滯於G0/G1 phase和啟動外在 (FAS/FASL)及內在 (Bax/Bcl-2)細胞凋亡路徑來抑制HCC細胞生長。此外，PPa extract與Sorafenib具有協同作用，可通過AKT/mTOR途徑有效抑制HCC細胞增殖並減少HCC細胞的再生。在動物模型中，PPa extract也可抑制VEGF/VEGFR之蛋白表達並誘導細胞凋亡來抑制HCC腫瘤生長並延長動物壽命，而且PPa extract在體內幾乎沒有觀察到明顯的生理及病理毒性。最終，期望能將PPa extract或其純化物繼續朝向化學預防之防癌保健商品或是臨床用於
治療HCC的新一代抗癌藥物，或者作為化療佐劑與臨床藥物搭配使用。
以常壓電漿製程製備氮化鉻薄膜
為了解決H2N2 gas 的問題，作者楊偉勛 這樣論述：
摘要 IAbstract II致謝 IV總目錄 V表目錄 IX圖目錄 XI第 1 章 緒論 11.1 氮化物 11.2 溶膠-凝膠法 31.3 電漿簡介與原理 91.4 常壓電漿 111.5 研究動機/目的 16第 2 章 文獻回顧 172.1 氮化鉻製備方法 172.2 薄膜製備方法 192.2.1 射頻濺鍍法 192.2.2 磁控濺鍍法 192.2.3 陰極真空電弧法 202.3 粉末製備方法 212.3.1 固體反應法 212.3.2 自傳播高溫合成法 222.4 常壓電漿氮化方法 222.4.1 氮化鐵 222.4.2 氮化鈦 23第
3 章 實驗方法 253.1 實驗流程圖 253.2 前驅液製備 263.3 基材 263.4 鍍膜 263.5 常壓電漿處理 273.6 分析儀器及原理 313.6.1 高解析X光繞射儀（High Resolution X-ray Diffractometer） 313.6.2 場發射掃描式電子顯微鏡（Field Emission Scanning Electron Microscope, FE-SEM） 323.6.3 光學發射光譜儀(Optical Emission Spectroscopy, OES) 333.6.4 X光光電子能譜儀（X-ray photoelec
tron spectrometer, XPS） 35第 4 章 結果與討論 384.1 常壓電漿退火溫度的關係 384.1.1 常壓電漿退火溫度與電漿操作瓦數的關係 384.1.2 常壓電漿退火溫度與轟擊距離的關係 434.2 凝膠試片製備與分析 514.3 X光繞射分析 524.3.1 不同電漿瓦數對氮化鉻薄膜的生長影響 524.3.2 不同電漿處理時間的影響 624.3.3 不同電漿轟擊距離之影響 694.3.4 不同電漿氣體成分之影響 784.4 電子顯微鏡分析 834.4.1 不同瓦數之表面形貌分析 834.4.2 不同轟擊時間之表面形貌分析 904.4.3
不同轟擊距離之表面形貌分析 954.4.4 不同氣體成分之表面形貌分析 1024.5 XPS分析 1064.6 電漿放射光譜檢測 1104.6.1 不同氣氛下的放射光譜之檢測 113第 5 章 結論 115參考文獻 118著作 121簡歷 122