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國立中央大學 資訊工程學系 孫敏德所指導 呂紹鵬的 Detecting Road Conditions in Front of The Vehicle Using Off-The-Shelf Camera （2016），提出Cda car design關鍵因素是什麼，來自於車道線、前車偵測。
而第二篇論文國立中興大學 化學工程學系所 竇維平所指導 陳柏廷的 利用還原氧化石墨烯之接枝於矽與玻璃穿孔之電鍍銅填充研究 （2016），提出因為有 矽穿孔、矽烷分子、化學接枝、還原氧化石墨烯、聚乙二醇、電鍍銅的重點而找出了 Cda car design的解答。
Detecting Road Conditions in Front of The Vehicle Using Off-The-Shelf Camera
為了解決Cda car design 的問題，作者呂紹鵬 這樣論述：
隨著公路運輸的發展，使人們能夠自行駕車前往目的地。然而不幸的是，這卻同樣導致了交通事故數量的增加。高級輔助駕駛系統的設計宗旨是希望能夠警示駕駛人潛在的危險，許多的駕駛輔助系統是基於車輛未來路徑的預測為基礎所設計。當車輛行駛於道路上，道路上的情況，包含前方道路趨勢以及與前方車輛之間的距離，是能夠影響車輛未來路徑的重要因素。這些道路資訊能夠藉由裝置於車內的攝影機拍攝所得。在這篇論文中，我們提出了一種影像處理系統，用以擷取出拍攝影像中的道路資訊。這個系統由兩種演算法所組成，彎道偵測演算法，以及距離轉換演算法。首先，我們利用彎道偵測演算法進行車道線的偵測，並計算出消失點的位置，接著再通過消失點的位置
判斷出道路的趨勢。而距離轉換演算法則是用於當影像中偵測到實驗車前方的車輛，該演算法將實驗車與前方車輛之間的距離，轉換成現實世界的距離。通過分析與實驗，結果顯示我們提出的系統相較於基準演算法有較高的準確率。
利用還原氧化石墨烯之接枝於矽與玻璃穿孔之電鍍銅填充研究
為了解決Cda car design 的問題，作者陳柏廷 這樣論述：
三維積體電路板堆疊技術發展已有相當長的時間，全都歸因於”超越摩爾定律”的概念啟發，使封裝線路寬度之限制有了新的突破。然而，一般中介層矽穿孔(Through Silicon Via, TSV)與玻璃穿孔(Through Glass Via, TGV)載板，屬於高深、寬比和大孔的尺寸，成為晶圓與電路板間訊號傳遞的橋梁。另一方面，還原氧化石墨烯(Reduced Graphene Oxide, rGO)應用於印刷電路板、矽穿孔之製程也備受矚目。因此本論文目的是研究出更穩定的rGO製程與適用性更廣的電鍍銅填充配方，並成功將兩製程共同應用於各式TSV與TGV電鍍銅填充。 由於TSV與TGV皆為矽元
素所構成基材，因此矽烷分子自組裝修飾是一個很常用的方法，但為了達到近似單層(Monolayer)的分子修飾，大多使用具揮發性的有機溶劑，不易於製程上的控制。因此本論文期望以去離子水作為溶劑，並分別以(3-氨基丙基)三乙氧基矽烷、3-(2-氨基乙基氨基)丙基三甲氧基矽烷、3-[2-(2-氨基乙基氨基)乙基氨基]丙基三甲氧基矽烷用於矽基材表面修飾，成為水相石墨烯接枝中的接枝層，使基材表面帶有正電性，再與氧化石墨烯(Graphene Oxide, GO)中帶負電性的官能基吸附，接著浸泡於還原劑中使基材表面之GO還原成rGO，然而，矽烷分子常於基材表面修飾後會出現微米級的島狀物，此物將會影響rGO接枝
品質，故本文以高溫縮合方法，使矽烷分子進行縮合反應達到平整化效果，其中透過原子力顯微鏡、導電性原子力顯微鏡、掃描式電子顯微鏡等儀器，分析各製程於基材表面修飾後的形貌，並以此結果觀察各胺基矽烷分子接枝rGO的差異。 本論文最後將穩定的rGO接枝製程應用於大尺寸TSV電鍍銅填充，僅憑rGO本身具有的導電性進行盲孔填充電鍍。本研究中之電鍍液使用較高濃度的小分子量的聚乙二醇作為抑制劑，也藉由調整濃度來增加TSV孔口過電位，使之產生更大的孔底與孔口過電位差，同時，也藉由COMSOL軟體計算數值模擬與田口實驗設計方法輔助，進而順利達成TSV-rGO電鍍銅超級填充。