Cambridge Audio CXN 的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和資訊懶人包

超薄氮化鈮磊晶薄膜之製備及其超導特性之研究

為了解決Cambridge Audio CXN 的問題，作者謝旬 這樣論述：

由於擁有豐富多樣的化學特性及結構，使得氮化鈮化合物有著許多的物理特性。在NbxNy化合物中某些氮化鈮化合物有著超導特性。其中具有立方晶格的δ-NbN有著高達17 K的超導臨界溫度。δ-NbN因為有著卓越的特性，例如：高臨界溫度、快速的內在電子-聲子交互作用、和高超導臨界電流密度，已經被廣泛應用在許多超靈敏元件上。尤以應用超薄δ-NbN薄膜製成的紅外線熱電子混頻探測器在兆赫頻譜的偵測上有著優良的性能表現，已被運用在一些天文望遠鏡中。 在王明杰博士研究團隊裡的張曉文博士和其他成員的協助下，完成這篇論文。研究重點放在高品質超薄δ-NbN超導薄膜的製備以及其物理特性的研究。在760°C下，使用直流

磁控濺鍍系統，在立方晶格的碳化矽基板上磊晶製備出超薄δ-NbN薄膜的方法，鍍膜速率大約是每秒0.05奈米。δ-NbN薄膜有著超導特性，即便是薄至2.14 ± 0.03奈米的薄膜(大約是5層晶格的厚度)亦然。利用高解析穿透式電子顯微鏡的影像，不僅能夠證實薄膜極佳的磊晶性，也能夠估算薄膜實際厚度以及其晶格常數。 我們利用了高達9特斯拉的外加磁場，探討了厚度範圍落在2.14 ± 0.03至4.95 ± 0.03奈米超薄氮化鈮薄膜的磁傳輸性質。利用量得的霍爾電阻，可以計算出載子濃度n，例如3.84 ± 0.02 奈米厚的薄膜，其載子濃度為每立方米約有(4.13 ± 0.04) × 1028個。一般而

言，薄膜的臨界溫度會隨著薄膜厚度的減少而降低。臨界溫度的降低可以用標度律(scaling law)來解釋，描述晶格無序和超導性質兩者彼此競爭。而令我們感到驚訝的是臨界溫度和20 K常態電阻率隨著厚度的變化有著明顯的震盪，震盪週期約為0.5奈米。氮化鈮薄膜的臨界溫度在外加磁場下被抑制。臨界溫度對上臨界磁場的圖形，使用經驗公式μ0HC2(T) = μ0HC2(0)(1-t2)/(1+t2)作外插法後，可得到絕對零度時的上臨界磁場，其中 t = T/TC(μ0H = 0)。例如2.14 ± 0.03奈米的薄膜，絕對零度的上臨界磁場為8.13 ± 0.16特斯拉。而正如同臨界溫度和20 K常態電阻率，

絕對零度的上臨界磁場亦隨著厚度變化而呈現震盪。而被用來解釋其他超導超薄膜臨界溫度震盪的量子尺寸效應，也能用來解釋我們氮化鈮薄膜中臨界溫度、20 K常態電阻率和絕對零度上臨界磁場的震盪。