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C194進入發燒排行的影片

Sn-9Zn 和 Cu 合金（C1990 HP、C194 和合金 25）偶的固態/固態界面反應

為了解決C194的問題，作者呂飛 這樣論述：

焊料/基板耦合界面中的大塊金屬間化合物厚度往往會降低焊點的可靠性並表現出較差的機械性能。擴散阻擋層的作用可以通過形成相抑制金屬間化合物層的生長或抑制金屬間化合物層的厚度。然而，在 Sn-9Zn/Cu 偶合界面上形成的 Cu-Zn 金屬間化合物可能會抑制金屬間化合物的生長和 Cu-Sn 相的形成。對 SZ/C1990 HP、SZ/C194 和 SZ/Alloy 25 對在固/固反應過程中的 IMC 生長進行了動力學分析，該過程在 240℃回流 15s 和 100 至 2000 h 等溫時效期間進行。在 SZ/C1990 HP 電偶中，ε-CuZn5 和 γ-Cu5Zn8 相在早期形成，並且在較

高的反應溫度和時間下，ε-CuZn5 相轉變為 γ-Cu5Zn8 相。在 SZ/C194 對中，只有 γ-Cu5Zn8 相在老化早期形成。 Sn 隧穿現象促進了在較高溫度和反應時間下形成的 Cu-Sn 金屬間化合物相。 η-Cu6Sn5相的金屬間化合物在富Sn基體周圍生長並消耗C194基體中的Cu原子。在 SZ/Alloy 25 對中，ε-CuZn5 和 γ-Cu5Zn8 相在時效早期形成，並且在較高的反應溫度和時間下仍然觀察到，這對中沒有相變。所有反應對的 IMC 生長都被認為是擴散控制機制。整體 IMC 生長所需的活化能在 SZ/C1990 HP 上為 51.5 kJ/mol，在 SZ/C

194 上為 87.0 kJ/mol，在 SZ/Alloy 25 上為 45.7 kJ/mol

具備超寬頻率偵測器之操作於每秒十到兩百五十億位元無參考信號源半速率時脈資料回復電路

為了解決C194的問題，作者張翌緯 這樣論述：

本論文提出一個有高精確度頻率偵測及符際干擾容忍能力的無參考信號源時脈資料回復電路。此時脈資料回復電路由一個超寬頻率偵測器，一個擴充式二位元相位偵測器，以及一個四相位電壓控制振盪器所組成。藉由比較有符際干擾的隨機資料與振盪器產生的半速率時脈，超寬頻率偵測器產生八位元二進制碼以粗調振盪器，使其從極低頻率向較高的目標頻率鎖定。接著，擴充式二位元相位偵測器送出提前/延後訊號以細調振盪器的時脈頻率及相位。時脈資料回復電路的操作頻率為1Gb/s至25Gb/s，其頻率調變範圍僅受限於電壓控制振盪器的時脈頻率。此晶片使用台積電28奈米CMOS製程實現，核心面積為0.056 mm2。操作電壓為1伏特。在25G

b/s的操作頻率下，包括連續時間線性等化器及決策回授等化器的整體電路功耗為70.11 mW，能量效益約為2.80 pJ/bit。