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國立陽明交通大學 電機工程學系 廖育德所指導 吳銓益的 具備頻率追踪迴路之低功耗混頻器優先接收機設計 (2021),提出Ayers custom關鍵因素是什麼,來自於自頻率追踪迴路、混頻器優先接收機、N路徑濾波器、雙輸入雙輸出電源管理單元、感測器讀出電路、自頻率追踪接收機、線性調頻發射機、微生物電化學電池。

而第二篇論文國立交通大學 電子研究所 林鴻志、黃調元所指導 張佑臺的 奈米管與奈米線多晶矽電晶體之研製與隨機電報雜訊分析 (2020),提出因為有 管狀通道電晶體、奈米線電晶體、多晶矽、全包覆式閘極、隨機電報雜訊、多階隨機電報雜訊、三階隨機電報雜訊、高介電係數、非對稱源/汲極結構的重點而找出了 Ayers custom的解答。

最後網站Effect of an Intensive Nurse Home Visiting Program on ...則補充:Findings In this randomized clinical trial that enrolled 5670 Medicaid-eligible nulliparous pregnant individuals, assignment to the Nurse Family ...

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧:

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具備頻率追踪迴路之低功耗混頻器優先接收機設計

為了解決Ayers custom的問題,作者吳銓益 這樣論述:

摘要 iAbstract iii誌 謝 vContent viList of Figures ixList of Tables xiiiChapter 1 Introduction 11.1 Application and Development of Wireless Sensor Networks 11.2 The Challenges of Wireless Sensor Networks 21.3 Duty-cycled Rendezvous Schemes of Wireless Sensor Netwo

rks 51.4 Considerations of the Low-power Wireless Systems 71.5 Thesis Organization 10Chapter 2 Receiver Design Consideration 112.1 Design Considerations of Low Power Receivers 112.1.1 Power Consumption 122.1.1.1 Reduction of Voltage Supply 122.1.1.2 Architectu

re Design of a Receiver 152.1.1.3 System Modulation and Startup Mechanism 172.1.2 Sensitivity 182.1.3 Interference Immunity 192.2 State-of-the-Art in Wake-Up Receivers 212.2.1 Direct Envelop Detection Receiver 212.2.2 Super-Regenerative Receiver 222.2.3 Low I

F Receiver 232.2.4 Injection Locked Receiver 252.2.5 Subsampling Receiver 252.2.6 Uncertain IF Receiver 282.2.7 Mixer-first Receiver 292.3 Chapter Conclusion 30Chapter 3 Mixer-first Receiver with N-path Passive Methodology 323.1 Path number selection of N-Pa

th Passive Mixers 333.2 Single-to-Differential Passive Mixer 353.2.1 The Input Impedance of the Two-path Passive Mixer 353.2.1.1 Input impedance of Zero-IF SDPM 373.2.1.2 Input Impedance of Heterodyne SDPM 423.2.1.3 Input Impedance with LO Harmonics Influence 463.2.2

Frequency Response of Single-to-Differential Passive Mixer 493.2.2.1 Input Frequency Response of SDPM 493.2.2.2 Zero-IF Output Frequency Response of SDPM 513.2.2.3 Heterodyne Output Frequency Response of SDPM 523.2.3 Noise Analysis of Single-to-Differential Passive Mixer 543

.3 Frequency Tracking Mechanism 573.4 Chapter Conclusion 62Chapter 4 433 MHz Mixer-First Receiver with a Self-Frequency Tracking Loop 634.1 OOK Receiver 634.1.1 RF Front-End Matching Network 644.1.2 Self-Adjusted Frequency Tracking Circuit 674.1.2.1 Phase Freque

ncy Detector and Charge Pump 714.1.2.2 4-bit DAC 724.1.3 IF Band Gain and Demodulation Path 724.1.4 Data Acquisition Path with Envelop Detector and Comparator 744.1.5 Digital Control LC Oscillator 754.2 OOK/BFSK Receiver 774.2.1 Calibration/ Demodulation Selector

784.2.2 BFSK Demodulation Path 794.2.3 Digital Comparator 814.2.4 Data Correlator 824.3 Measurement and Discussion 854.3.1 Measurement Setup 854.3.2 Measurement Results 864.4 Chapter Conclusion 102Chapter 5 Self-powering Wireless Soil-pH and Electrical

Conductance Monitoring IC with Hybrid Microbial Electrochemical and Photovoltaic Energy Harvesting 1035.1 Motivation 1035.2 Self-powering Wireless Soil-pH and Electrical Conductance Monitoring IC with Hybrid Microbial Electrochemical and Photovoltaic Energy Harvesting 1065.2.1 Dual

-Input Dual-Output Power Management Unit 1075.2.2 Sensor Readout Circuitry 1085.2.3 Self-Frequency Tracking Receiver 1115.2.4 Chirp-Modulation Transmitter 1155.3 Measurement setup and results 1185.3.1 DIDO PMU Measurement Results 1185.3.2 SRC Measurement Results

1205.3.3 SFT-RX Measurement Results 1225.3.4 CMTX Measurement Results 1255.4 Summary 127Chapter 6 Conclusion and Future Work 128Reference 129Publication List 136

奈米管與奈米線多晶矽電晶體之研製與隨機電報雜訊分析

為了解決Ayers custom的問題,作者張佑臺 這樣論述:

本篇論文之中我們成功地研製多種新穎的奈米尺度電晶體,並著重於這些元件的電性分析,特別是隨機電報雜訊(random telegraph noise,RTN)。具有多晶矽通道的全包覆式閘極(gate-all-around,GAA)水平管狀電晶體是運用i-line微影所研製的其中之一種元件。我們藉由“側壁邊襯技術”、“一維濕式微縮技術”以及“二維濕式微縮”來縮減元件尺寸,以超越i-line步進曝光機的尺寸解析極限。為避免於存在於基板上的寄生電晶體對元件操作造成影響,製作時執行初始的基板離子佈植,實驗結果證實此舉相當有效。因為二氧化矽有較低的缺陷密度,所以具有二氧化矽芯(oxide-core)元件的

遲滯比氮化矽芯(nitride-core)元件來的小。由於二氧化矽芯元件的通道面積較氮化矽芯元件小,因此管狀電晶體的RTN研究是採用二氧化矽芯元件。基於我們的分析,導致RTN之缺陷是位於閘極氧化層中,而非於介電質芯中。我們也探究了GAA奈米線電晶體所產生的多階RTN。權重化之時滯圖(time-lag plots)被用於有效地抑制量測中的背景雜訊。為了解不同缺陷的相對載子捕捉/釋放頻率(trapping/de-trapping frequency),對多階RTN中任兩階之間的階轉移機率進行深入分析探索。此資料將對於驗證缺陷間的相對能量有幫助。為解決路過效應(passing effect)的問題,

我們推導出一組可用於決定電流遷移階層的判別式,可用於提升分析可信度。罕見的三階RTN亦於本研究中被偵測。藉由分析遷移階層的轉移機率,進行可能造成三階RTN緣由的討論和驗證。為能探究產生於高介電係數/金屬閘(high-κ/metal gate,HK/MG)之GAA奈米線電晶體的RTN特性,我們已開發出一種可用於探測缺陷的物理及能量位置的分析方法。由於缺陷所在處可能位於高介電係數材料或介面層(interfacial layer,IL)之中,針對不同的缺陷存在處,可以各別推導出獨立的參數萃取方程式。儘管如此,兩個萃取數據中僅有一個數值會是合理的,對此我們可以根據萃取的數據來判斷涉及RTN的陷阱是位於

HK或IL中。本論文最後研究雙閘極奈米線電晶體,針對因非自我對準製程而造成的非對稱次閘極(sub-gate)結構的影響進行探討。藉由順向與反向的汲至源極偏壓條件變換所進行的電性量測結果,可以協助了解非對稱結構對元件運作特性的影響。為能進一步深入了解及解釋此現象,我們利用半導體工藝模擬與元件模擬(Technology computer aided design,TCAD)進行分析,獲得於不同偏壓條件中的電場與通道電壓於元件之中的分佈。模擬與實驗觀測結果皆指出隨著次閘極偏壓的增加,此非對稱結構帶來的擾動將會減小。