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這兩本書分別來自 和所出版 。
國立陽明交通大學 電子物理系所 趙天生所指導 陳威諺的 應力對於側壁鑲嵌式閘極全環繞多晶矽電晶體結晶性及可靠度之影響 （2021），提出790關鍵因素是什麼，來自於多晶矽、應力、閘極全環繞電晶體、結晶性、可靠度。
而第二篇論文國立陽明交通大學 材料科學與工程學系奈米科技碩博士班 吳欣潔所指導 何孟圜的 以相圖工程優化銀、銦、銅共摻雜硒化錫之熱電性質 （2021），提出因為有 熱電材料、SnSe、In-Sn-Se三元相圖、布氏長晶法、濺鍍的重點而找出了 790的解答。
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Black Metal Rainbows
為了解決790 的問題，作者 這樣論述：
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應力對於側壁鑲嵌式閘極全環繞多晶矽電晶體結晶性及可靠度之影響
為了解決790 的問題，作者陳威諺 這樣論述：
多晶矽因為其易堆疊性與低製程熱預算而被視為未來有機會實現三維晶片的材料，然而，多晶矽因結晶性較差而有較低的載子遷移率，進而影響其電性表現。為了使多晶矽元件能達到三維晶片電性需求，提升多晶矽結晶性成為實現三維晶片的重要的課題。在本篇論文中，我們成功製作出側壁鑲嵌式閘極全環繞多晶矽電晶體，並利用改變上層氮化矽厚度施加更大的應力於通道，藉此製作出結晶性更佳的電晶體。我們製作出上層氮化矽為 40 奈米、60 奈米及 80 奈米的多晶矽電晶體，並透過材料分析與電性比較來研究應力與結晶性的關係。研究發現，上層氮化物為 60 奈米之元件因其在結晶時感受到最大的應力，所以結晶速度最慢，最慢的結晶速度能成長出
最大的晶粒與最少的結晶缺陷。透過材料分析與電性量測，我們證實了上層氮化物為 60 奈米之元件有最好的結晶性與電性。此外，我們對不同上層氮化物厚度的側壁鑲嵌式閘極全環繞多晶矽電晶體的溫度穩定性、閘極偏壓可靠度與熱載子可靠度做了深入的研究。上層氮化物為 60 奈米之元件因其結晶性較佳所以有較好的通道與閘極氧化層介面，因此在高溫時有較少的次臨界擺幅衰退；也因其有較佳的結晶性與較少的晶界，晶界導致的電場加強效應較不明顯，因此展現出較佳的閘極偏壓可靠度與熱載子可靠度。此外，因為熱載子造成的碰撞解離相比於閘極偏壓時的主要衰退機制-氧化層電荷捕獲有更低的活化能，因此熱載子可靠度對結晶性有更高的敏感度。總結來
說，調變應力能大幅提升元件電性與可靠度，適合應用於未來三維晶片製程。
Falling Forward: A Guide for Facing Adversity and Planning Your Life
為了解決790 的問題，作者Wollman, Gordon 這樣論述：
以相圖工程優化銀、銦、銅共摻雜硒化錫之熱電性質
為了解決790 的問題，作者何孟圜 這樣論述：
熱電材料在熱電致冷與廢熱回收中有巨大的發展潛力，而熱電材料的轉換效率可由熱電優值(zT)判斷，根據公式zT = (S2σ/κ)T可算出合金之熱電優值，其中σ及S與電性有關，分別為電導係數與賽貝克係數，而κ是熱傳導係數。而SnSe為中溫型熱電材料，其晶體結構為斜方晶且具有異向性，在b軸與c軸方向具有較佳之電性，故在該方向具有較佳之熱電表現。根據以往文獻，不同製程會影響其熱電性質，其中又以長晶法所製作出的SnSe晶體具有最佳的熱電表現，熱電優值在923 K時能達到約2.62，顯示出SnSe本身具有良好的熱電發展潛力。因此本研究冀能透過摻雜，改善SnSe在低溫區間的熱電性質，使其在中低溫區亦具有熱
電發展潛力。本研究主要可分為三個部分: (一) 以布氏長晶法合成SnSe 單晶，及In、Cu摻雜之SnSe熱電合金；(二) 搭配實驗所建構之In-Sn-Se、Cu-Sn-Se之三元熱力學相圖資訊，輔助確認微量摻雜SnSe熱電合金之最佳組成區間，其中以合金Cu0.0025Sn0.9975Se具有最高的熱電優值，在室溫下較未摻雜之SnSe高出200 %，達到0.16，此結果有助於改善SnSe在低溫區間之熱電應用；(三) 進一步探討SnSe之異向性，並作為發展SnSe薄膜熱電材料之基石，本研究以In或Cu摻雜之SnSe晶體作為基材 (matrix)，在其表面濺鍍 (sputtering) Ag鍍層，
藉以觀察Ag/(In, Cu)-SnSe於電流輔助/觸發燒結 (electric current assisted/activated sintering)下之相互擴散反應，研究結果顯示，在In0.002Sn0.998Se及(Cu2Se)0.01(SnSe)0.99的合金組成中，其熱電性質會在Ag濺鍍及電流輔助後提升，可作為提升SnSe於低溫區熱電性質之方法。關鍵字:熱電材料、SnSe、In-Sn-Se三元相圖、布氏長晶法、濺鍍