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國立成功大學 化學工程學系 洪昭南所指導 李超的 P-N型氮化鎵奈米元件之製作與移轉技術 （2015），提出12v 10a電源供應器關鍵因素是什麼，來自於電漿輔助化學氣相沉積法、P-N接面、氮化鎵奈米柱、電子阻擋層、發光二極體、移轉。
而第二篇論文南臺科技大學 電機工程系 蔡明村所指導 方建翔的 寬範圍輸出直流/直流轉換器研製 （2014），提出因為有 寬輸出範圍、交錯控制、降壓式並聯轉換器的重點而找出了 12v 10a電源供應器的解答。
P-N型氮化鎵奈米元件之製作與移轉技術
為了解決12v 10a電源供應器 的問題，作者李超 這樣論述：
氮化鎵一維奈米結構型發光二極體具有高比表面積與低缺陷濃度之特性，其理論發光強度遠高於薄膜型發光二極體，在光電應用領域發展潛力巨大。本研究分為兩部分:第一部分以實驗室自行開發之爐管型電漿輔助化學氣相沉積設備，成長氮化鎵一維奈米結構型發光二極體;第二部分開發元件移轉技術，藉此解決奈米柱底部細小之缺點。 在第一部分研究中，於 n+Si(111)基板上，成長出垂直於基板表面之高品質未摻雜氮化鎵奈米柱。然後以氮化鎂作摻雜成長p型氮化鎵，之後以Cl2輔助成長AlGaN電子阻擋層，進而製作成GaN/AlGaN發光二極體元件。由元件之電流-電壓整流曲線，可證實P-N接面之存在。並且在定電流10
0mA注入時，觀察到有紫色之電致發光現象。同樣以矽摻雜氮化鎵製作之P-N GaN 發光二極體元件，在進行量測時，亦發現電流-電壓曲線具有整流特性，且在正向偏壓達到12伏特時，觀察到有紫色之電致發光現象，其發光亮度隨著電壓上升，由弱變強再變弱。 在第二部分研究中，於沉積有一層300nm SiO2 氧化層的p+Si(111)基板上，成長氮化鎵奈米柱。由於氮化鎵奈米柱底部細小，因而在注入高電流時易過熱而燒壞。故本團隊開發出元件移轉技術，將奈米柱從原有基板分離並轉貼至其他基板，最後製作成元件並進行電性量測。從電流-電壓曲線可以看出，元件移轉至其他基板後，其各界面之接觸良好。
寬範圍輸出直流/直流轉換器研製
為了解決12v 10a電源供應器 的問題，作者方建翔 這樣論述：
本論文主要研究一寬輸出調整範圍的直流/直流轉換器，在規劃的寬輸出電壓範圍內要能做出電壓與電流皆可調。寬範圍輸出的應用有電源供應器、醫療、航太、工業用設備。本研究以兩種方式實現寬輸出電壓的要求，一為以模組化全橋相移轉換器方式做多組的均流控制以降低其輸出電壓漣波；另一為以單組全橋相移轉換器作為第一級的架構實現大功率輸出，但得到的電壓輸出漣波會比較大，因此在其後串聯交錯式降壓型轉換器作為第二級輸出，已得到寬範圍的輸出電壓與低漣波的要求。本文以並聯模組或採用交錯控制方式的目的皆要得到更小的輸出漣波特性，達到更理想的輸出電壓效果。最後以模擬與實驗證明結果理論的正確性，並實作輸出功率為500W，輸出電壓
12V至96V、電流1A至10A可調雛型電路。