鴻志的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和資訊懶人包

幸福三部曲：15位成功讓夢想起飛的實業家

為了解決鴻志的問題，作者陳秀卿等15位CEO 這樣論述：

　　EMBA沒告訴你的成功秘訣，15位EMBA 執行長親傳，成功創業心法！ 　　逆境翻轉，愈翻愈高！本土中小企業創業實務經驗大公開。 　　主動+互動=成功的原動力！充電+願景=成功的鑰匙！ 　　中山管院EMBA全台唯一連續6年入選英國金融時報全球百大EMBA排名 　　中山大學EMBA人才濟濟，在國際教育市場上獲獎無數，根據英國《金融時報》（Financial Times）最新發布2018年高階經營管理碩士全球排行榜，中山大學EMBA穩坐全台龍頭，獲得百大EMBA中第85名，也是連續6年、全台唯一入榜的EMBA；使中山大學成為教育界之表率。 各界權威一致推薦 　　中華企

業倫理教育協進會理事長 許士軍、國立中山大學校長鄭英耀、國立中山大學管理學院院長葉淑娟、、財信傳媒集團董事長謝金河、全國中小企業總會榮譽理事長李成家  強力推薦 　　在這快速變遷的時代，一個企業成功經營的平均壽命只有三十年，相對的，隨著個人平均壽命的增加，一個人的事業生涯可達漫長的五十年。但可以肯定的是，創業精神不會被取代，反而更凸顯其主導地位，仍然是決定一家企業能否因應變化謀求生存的關鍵條件。──中華企業倫理教育協進會理事長、逢甲大學人言講座教授 許士軍 　　欣見中山大學第二十三屆EMBA十五位應屆畢業的企業家，將他們畢生經歷、企業經營理念、從無到有的精采創業故事，詳實記錄下來集結成書。

在本書中，我們看到第一代創業家的堅持與硬頸精神、第二代創業家力圖創新，在老靈魂中注入新DNA，維持企業永續經營。──國立中山大學校長鄭英耀 　　本書十五位CEO，亦充分體現了「用專業創造工作價值，用公益實現企業價值」的理念，行有餘力，則以學文，治業有成，不忘公益；人生與企業的價值，得以暢快淋漓發揮，因此樂於推薦這本書，並藉此勉勵。──中山大學管理學院院長 葉淑娟 　　唯有真正的專業者，在逆境來襲時，才能不被一時的逆境擊倒，而且更生茁壯。這樣的專業重視，也成為這十五位實業家的共同特質。這本CEO的企業成長故事，雋語深長，絕對值得一讀。 ──財信傳媒集團董事長謝金河 　　危機總是怕勇敢面對的

人，因為它注定被你打敗，十五位中小企業創業家的故事，也印證這個不變的生存法則。面對高度競爭的國際市場，企業家必須以更快速的彈性來迎戰，重返校園有系統的學習，將是因應挑戰的最佳方案。──全國中小企業總會榮譽理事長、美吾華懷特生技集團董事長                          

鴻志進入發燒排行的影片

具有綠光雷射結晶多晶矽通道之T型閘薄膜電晶體射頻特性分析

為了解決鴻志的問題，作者葉宇婕 這樣論述：

本論文中，我們研究具有T型閘極、空氣邊襯及矽化閘/源/汲極多晶矽薄膜電晶體的射頻特性。為了提升多晶矽薄膜的晶粒尺寸，我們使用綠光奈秒雷射來製備厚度為50 nm與100 nm的多晶矽薄膜。結果顯示厚度為100 nm的薄膜能得到等效尺寸大於1 μm的晶粒大小，遠優於50 nm厚的多晶矽薄膜。我們於元件製作時採用了新穎的T型閘極技術，不僅降低元件的閘極電阻，也使電晶體具有比微影技術解析極限更小的閘極線寬，使轉導得以大幅提升。我們也分別利用高溫的快速熱退火及低溫的微波退火來活化源汲極雜質。在通道厚度為100 nm並以快速熱退火進行源汲極活化的多晶矽薄膜電晶體中，對最小通道長度達124 nm之元件，截

止頻率可達59.7 GHz，最大震盪頻率亦可達34 GHz。具有相同通道厚度並以微波退火來活化雜質的電晶體中，當通道長度微縮至102 nm，元件的截止頻率更高達63.6 GHz，最大震盪頻率亦可達29.7 GHz。相較過往文獻報導的多晶矽薄膜元件，我們以微波活化源汲極的薄膜電晶體達到了最高的截止頻率。

段祺瑞重要謀士：曾毓雋回憶錄 附《段祺瑞秘史》

為了解決鴻志的問題，作者曾毓雋 這樣論述：

　　本書由兩大部分組成：一為曾毓雋的三部作品：〈憶語隨筆一〉、〈憶語隨筆二〉、〈宦海沉浮錄〉；二為香港《春秋》雜誌於一九二三年在天津對曾毓雋所作之訪談稿。這些內容，多為其所親歷之民初政局變化；以及袁世凱、徐世昌、段祺瑞、張謇等人之事。附錄則為「信史編輯社」於一九二○年所出版之《段祺瑞秘史》原稿，可作為與前文參照之重要史料。此為《曾毓雋回憶錄》首次出版，價值珍貴。研究段祺瑞、甚至北洋軍閥歷史時，曾毓雋的事蹟是不可忽略的。因此其回憶錄雖為薄薄一本，但卻有相當的分量。 本書特色 　　★段祺瑞重要幕僚回憶錄首度公開！ 　　★貼身記錄段祺瑞的決策過程，讓你知道他在想什麼！  

以第一原理量子傳輸理論研究在介面處有取代硫處理之二硫化鎢電晶體

為了解決鴻志的問題，作者陳竑任 這樣論述：

矽基互補式金氧半場效電晶體的持續微縮遭遇短通道效應的限制，此限制從過去到未來的發展導致了一連串的問題。包含汲極引發位障降低(Drain-induced Barrier Lowering, DIBL)、閘極引發漏電(Gate-induced Drain Leakage, GIDL)、擊穿(Punch-Through)、載子遷移率下降等等。在各種可能使電晶體微縮至1nm節點以下的新穎通道材料中，具原子尺度的二維材料不僅直觀上可克服短通道效應，使電晶體更進一步微縮，同時仍保持高載子遷移率。單原子層WS2為一種最常被研究的過渡金屬二硫族化合物(TMD)材料，實驗上已被作為電晶體的通道材料來使用，並展

示出高電流開關比、高載子遷移率及高熱穩定性。發展WS2電晶體最迫切的挑戰在於降低接觸電阻，在本論文中，我們施以第一原理量子傳輸計算來研究Metal/WS2與Metal/WSX/WS2側接觸，試圖以硫族元素之取代來降低蕭特基位障，因此減少接觸電阻。在此該取代使用了五族或七族元素取代單層WS2一側部分區域之硫族元素，產生超材料WSX (X= P, As, F, Cl, Br)的部分。另外，我們進一步比較該取代在界面金屬化與界面鍵結以及其在蕭特基位障的效果。如此之WSX緩衝接觸展示了p型Pt/WSP/WS2側接觸和n型Ti/WSCl/WS2側接觸的接觸電阻分別低至122.4Ω∙μm與97.9Ω∙μm

。此外，我們也利用第一原理分子動力學觀測到室溫下穩定的單層WSX。