類金屬導電度的問題,透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和資訊懶人包

類金屬導電度的問題,我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍,推薦日本NewtonPress寫的 元素大圖鑑:伽利略科學大圖鑑9 和金炳珉的 奇妙的元素週期表圖鑑百科(獨家附贈「週期表發展史典藏海報」):從電子到星星,從鬼火到可樂,透過趣聞歷史與現代應用,探索118個元素與宇宙奧祕都 可以從中找到所需的評價。

這兩本書分別來自人人出版 和美藝學苑社所出版 。

國立陽明交通大學 電子研究所 簡昭欣、鄭兆欽所指導 鍾昀晏的 二維材料於邏輯元件與記憶體內運算應用 (2021),提出類金屬導電度關鍵因素是什麼,來自於二維材料、二硫化鉬、二硫化鎢、二維電晶體、記憶體元件、邏輯閘。

而第二篇論文國立陽明交通大學 電子研究所 荊鳳德所指導 古淯辰的 兼具高可靠性與低變異度的 Cu/GeOxNy/P+-Si 電阻式記憶體 (2021),提出因為有 電阻式記憶體、金屬導電絲、銅、高可靠度、低變異度的重點而找出了 類金屬導電度的解答。

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧:

除了類金屬導電度,大家也想知道這些:

元素大圖鑑:伽利略科學大圖鑑9

為了解決類金屬導電度的問題,作者日本NewtonPress 這樣論述:

★伽利略科學大圖鑑系列第9冊★ 最齊全、最精美的118種元素完全圖解   門得列夫於1869年製作的週期表只列出了63種元素,在那之後人們又陸續發現新元素,至今已有118種元素。同一族的元素通常具有類似的性質,「孤僻的族」難以和其他元素反應,「熱情的族」則會和許多元素結合成多彩多姿的化合物。元素就像人一樣,各自擁有獨特的「個性」。   每種元素名稱的由來也各異其趣,可能源自於某個地名、人名、天體名稱,甚至有些是因為當時對於新元素尚未瞭解透徹,而對其性質有部分誤解,才冠上了一個與現今知識不太相符的名稱。每個元素的背後都有一段故事,也與發現者的背景有關。   元素擁有不同的特徵,以不同的

形式存於世上。有些是電子裝置的重要元素,維繫著我們的日常生活,有些可以作為醫療器材或藥品的重要成分。因為元素間存在錯綜複雜的關係,才能孕育出各式各樣璀璨奪目的物質,也讓我們有機會創造出許多對生活大有裨益的產品。本書深度介紹與元素、週期表有關的深奧化學世界,鉅細靡遺地羅列出其基本性質與生活中常見的應用,歡迎大家一同來探索。 系列特色   1. 日本牛頓出版社獨家授權。   2. 主題明確,解釋清晰。   3. 以關鍵字整合知識,含括範圍廣,拓展學習視野。  

二維材料於邏輯元件與記憶體內運算應用

為了解決類金屬導電度的問題,作者鍾昀晏 這樣論述:

半導體產業在過去半個世紀不斷地發展,塊材材料逐漸面臨電晶體微縮的物理極限,因此我們開始尋找替代方案。由於二維材料天生的原子級材料厚度與其可抑制短通道效應能力,被視為半導體產業極具未來發展性材料。此篇論文為研究二維材料二硫化鉬的N型通道元件之製作技術與其材料的特性與應用。首先,我們使用二階段硫化製程所製備的二硫化鉬沉積高介電材料並使用X-射線能譜儀(XPS)與光致發光譜(PL)進行分析,量測二硫化鉬與四種高介電材料的能帶對準,參考以往製程經驗,可結論二氧化鉿是有潛力介電層材料在二硫化鉬上,並作為我們後續元件的主要閘極介電層。接著使用二階段硫化法製作鈮(Nb)摻雜的二硫化鉬,P型的鈮摻雜可提升載

子摻雜濃度用以降低金半介面的接觸電阻,透過不同製程方式製作頂部接觸和邊緣接觸的兩種金半介面結構,傳輸線模型(TLM)分析顯示出,邊緣接觸結構比頂部接觸結構的接觸電阻率低了兩個數量級以上,並藉由數值疊代方式得知層間電阻率是導致頂部接觸結構有較高接觸電阻率主因,並指出邊緣接觸之金半介面在二維材料元件的潛在優勢。在電晶體研究上,我們使用化學氣相沉積(CVD)合成的二硫化鉬成功製作出單層N型通道元件,將此電晶體與記憶體元件相結合,用雙閘極結構將讀(read)與寫(write)分成上下兩個獨立控制的閘極,並輸入適當脈衝訊號以改變儲存在電荷儲存層的載子量,藉由本體效應(Body effect)獲得足夠大的

記憶區間(Memory window),可擁有高導電度比(GMAX/GMIN = 50)與低非線性度(Non-linearity= -0.8/-0.3)和非對稱性(Asymmetry = 0.5),展示出了二維材料在類神經突觸元件記憶體內運算應用上的可能性。除了與記憶體元件結合外,我們亦展示二維材料電晶體作為邏輯閘的應用,將需要至少兩個傳統矽基元件才可表現的邏輯閘特性,可於單一二維材料電晶體上展現出來,並在兩種邏輯閘(NAND/NOR)特性作切換,二維材料的可折疊特性亦具有潛力於電晶體密度提升。我們進一步使用電子束微影系統製作奈米等級短通道元件,首先使用金屬輔助化學氣相沉積 (Metal-as

sisted CVD)方式合成出高品質的二維材料二硫化鎢 (WS2),並成功製作次臨界擺幅(Subthreshold Swing, S.S.)約為97 mV/dec.且高達106的電流開關比(ION/IOFF ratio)的40奈米通道長度二硫化鎢P型通道電晶體,其電特性與文獻上的二硫化鉬N型通道電晶體可說是相當,可作為互補式場效電晶體。另一方面,深入了解二維材料其材料特性後,可知在厚度縮薄仍可保持極高的機械強度,有潛力作為奈米片電晶體的通道材料。故於論文最後我們針對如何透過對元件製作優化提供了些許建議。

奇妙的元素週期表圖鑑百科(獨家附贈「週期表發展史典藏海報」):從電子到星星,從鬼火到可樂,透過趣聞歷史與現代應用,探索118個元素與宇宙奧祕

為了解決類金屬導電度的問題,作者金炳珉 這樣論述:

  你知道,我們的身體是由碳、氫、氧、氮、硫、磷和鈣等60種元素所組成的嗎?   你能想像,不是只有韓劇「來自星星的你」都教授來自星星,而是世界本身就是從星辰中誕生的嗎?   如果此刻的你、你的孩子、你的學生正在為學習元素週期表而感到頭痛,或就要崩潰了嗎?   「請趕快翻開本書,放下對化學的偏見,一起突破瓶頸,不再迷惘探索!」──阿簡生物筆記‧阿簡老師/國立臺灣大學化學系名譽教授‧陳竹亭/KOL人氣教師‧瘋狂理查,真心推薦!   元素週期表是引導我們了解複雜世界和宇宙的地圖,   每一格週期表都包含著無數動人的豐富故事,   更是數百年來人類在發展及科技應用上最真實的紀錄!   它不只

是存在於實驗室或課本中,也正在影響著我們的生活。   讓我們從今天開始,一起探索「原子」和「元素」吧!   【什麼是元素?】它是萬事萬物的基礎與根本,不只地球,整個宇宙都由元素組成!   【什麼是化學?】它是一門探討「變化」的科學,是讓我們看清這個多變世界的專屬導航!   【什麼是元素週期表?】它是連結科技過去與未來的地圖,同時也是全世界科學家的光榮印記。   誰說化學只有難背到爆炸的元素週期表?跟難解到細胞都死光的化學算式?   本書將最基本的元素/原子的階段與現代跨領域科學緊密地連結在一起,   不僅顛覆你的化學學習經驗與認知,更能讓你明白化學現象背後的科學原理,   對世界與萬物多一

分理解,成功建構出專屬於你自己的化學觀!   為了瞭解元素的起源,本書從觀察星星作為開端,   把各個元素的功能與日常生活的交集,自然地融入書的脈絡中,   輔以視覺化圖素為主的第二部分,可滿足讀完第一部分後所產生的好奇心,   將元素的故事及科學多樣化的領域,寫成讓人容易閱讀的文字,   即使不懂化學,也能毫無負擔的理解每一個化學變化的過程!   ◎在這本書中你可以得到珍貴的回饋:   ‧建立起不用背也能完整理解118個元素的演進原理   ‧建立起對元素有更強大的認同感與好奇心   ‧將本書中提到的概念,無縫銜接與運用到實際生活中   ‧從此與化學相看兩不厭,帶給你免於恐懼的自由   ‧

克服學習化學的無感與無力   ‧即使在理解這個世界的道路上走偏,也能找到自我修正的方法   ◎本書適用對象   ‧希望能幫到自己/孩子/學生,能有好成績的人   ‧希望再也不害怕化學這個科目的人   ‧喜歡學習科普知識的人,不拘年齡大小、不管現在幾歲  本書特色   特色1:入門化學首選!從「原子」、「元素」「宇宙」的概念出發,完整理解週期表形成的過程。   特色2:故事趣聞兼備!詳述元素相關的歷史故事和發現趣聞,讓讀者能在閱讀中得到更多的樂趣。   特色3:全彩解構元素!影響我們的生活的118個元素週期表,以百科方式呈現能隨查隨看。   特色4:典藏海報附贈!獨家附贈「週期表發展史典藏

海報」,讓你一次看懂元素週期表的發展史。 本書好評推薦   「你有沒有好奇過元素週期表為什麼要排成這種不整齊的形狀?這些元素為什麼叫這個名字?   它們之間有什麼相似之處呢?讀完這本書可以讓你不再只是會背元素週期表的口訣!」──阿簡生物筆記/ 阿簡老師     「週期表是外星智慧文明也必須理解的知識。」──國立臺灣大學化學系名譽教授/陳竹亭   「從太空到地球,從生活到科學,從過去到未來,   讀完這本書,你會對這個世界有不同的視野,你會得到一雙科學之眼。」──KOL人氣教師/ 瘋狂理查  

兼具高可靠性與低變異度的 Cu/GeOxNy/P+-Si 電阻式記憶體

為了解決類金屬導電度的問題,作者古淯辰 這樣論述:

記憶體的市場需求越來越大,人工智慧的快速發展讓人類需要兼具大量資料儲存空間與快速讀寫性能的記憶體,目前市面的固態硬碟與DRAM的讀寫速度仍有一段差距,因此需要研究新的記憶體來達成這個目標,電阻式記憶體有著快速的讀寫速度與高密度堆積的潛力,為目前主流新興記憶體的一種,但元件的變異度太大使得電阻式記憶體難以有更大的儲存容量,因此本研究著重於變異度的改善。本篇用銅當作上電極,藉由銅導電絲的形成來轉換阻態,絕緣層則沉積GeOx與GeOxNy來比較性質差異。結果可觀察到GeOxNy元件的特性得到大幅改善,與同製程下的GeOx相比,擁有更低的變異度與更高的可靠度,脈衝操作的耐久性可以超過10^6、資料於

85°C下可保存超過10^4且直流耐久性可超過10^3,CV值則從原本的20-30%降低到10%出頭。