電流不足 影響的問題,透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和資訊懶人包

電流不足 影響的問題,我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍,推薦子陽,殷仲桓寫的 人生,就是要「小題大作」!凡事大而化之可能痛失良機!讓細節觀成就你的大局觀 和科學月刊的 21世紀諾貝爾獎2001-2021(全新夢想版,一套四冊)都 可以從中找到所需的評價。

這兩本書分別來自崧燁文化 和鷹出版所出版 。

國立中央大學 電機工程學系 辛裕明所指導 林峻緯的 複合式通道穿隧式場效電晶體 (2016),提出電流不足 影響關鍵因素是什麼,來自於穿隧式場效電晶體、複合式通道。

而第二篇論文國立中央大學 電機工程學系 辛裕明所指導 陳鴻儒的 銻砷化鎵/砷化銦鎵穿隧式場效電晶體之關閉電流研究 (2015),提出因為有 穿隧式場效電晶體、高台絕緣、複合式通道的重點而找出了 電流不足 影響的解答。

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧:

除了電流不足 影響,大家也想知道這些:

人生,就是要「小題大作」!凡事大而化之可能痛失良機!讓細節觀成就你的大局觀

為了解決電流不足 影響的問題,作者子陽,殷仲桓 這樣論述:

人生龜毛一點,那又怎麼樣?   凡事大而化之的性格,反而容易白白錯失良機! 想要成就一番大事業?「細節觀」比你想的更重要!   無數個微小而瑣碎的事物,最終成就了「大局觀」; 康莊大道的存在,是因為每一塊地磚的完美拼接。 快跟著本書「小題大作」,一起發現百百種成功之路!     【事業顯微鏡】   ──1%的成功,是後面99%成功的基礎   有人因為撿起一個紙團拿到夢寐以求的offer,   有人因為記住客戶名字連連升官平步青雲,   有人因為一個微笑建立起全球商業帝國……   會撿紙團、記得住別人的名字、懂得微笑,   這些機會你同樣可以擁有!   古有西施一顰一笑傾倒一國,現有你舉手投

足邁向事業成功!   跟著事業顯微鏡,發現你從沒看見的成功細節!     【生活放大鏡】   ──人際與習慣的小事,都是生活的大事   林肯對朋友惡作劇竟然讓他差點被劈成兩半?   拉馬克因為看一株植物竟然成為生物學泰斗?   好的朋友帶你上天堂,那該如何維持與朋友的關係呢?   學一點小幽默,找一點小樂趣,生活過得開心自在,   朋友也會越來越多,你的人脈終將成為一條龍脈!   跟著生活放大鏡,找到建構美好生活的每一塊磚!     【愛情點滴分析儀】   ──愛是玫瑰,細節是花刺,別讓刺傷了兩人感情   過了熱戀期,開始平淡沒有激情了嗎?   好情人成了菸酒生和編故事大師?還超愛碎碎唸?  

 覺得一切都變調了嗎?快來分析是哪邊出了問題!   學會用細節打造小浪漫,讓感情始終保持「黏踢踢」!   隨書附上四招愛情保鮮術,讓感情永遠停留在最佳賞味期!     【人生馬賽克】   ──無數個小念頭馬賽克,把人生拼成永垂不朽的鑲嵌畫   不想要將來後悔,就要適時耍點「小心機」!   過度謙遜反而明珠暗投,穿上「金裝」,自我推銷助你百戰百勝。   生活遇到瓶頸怎麼辦?那就打破常規,勇敢「叛逆」一回!   鄉愿只會讓自己活得很累,請拋開人情包袱,學會「打槍」的藝術。   改變看事情的角度,許多問題便能迎刃而解;   懂得欣賞簡單與平淡,會發現生活處處有美好!   本書特色     本書分為四

大主題,從事業、生活、情感、人生的面向著手,以一篇篇輕鬆有趣的情境小故事,深入淺出地帶出能改變未來大方向的小細節。生活中那些容易被忽略、看似微不足道的小事,往往蘊藏了成功的機遇,並在親情、友情、愛情等議題上,給予人重大的啟發。

複合式通道穿隧式場效電晶體

為了解決電流不足 影響的問題,作者林峻緯 這樣論述:

有別於金氧半場效電晶體利用擴散機制,次臨限擺幅受限於kT/q的影響,穿隧式場效電晶體是藉由載子在能帶間穿隧來產生電流,因此在常溫下次臨限擺幅可以突破60 mV/decade的限制。以III-V族材料製作穿隧式場效電晶體相較矽基材料具有較低的材料能隙得以改善導通電流不足的問題,再進一步的利用異質的結構可以在接面處形成更小的等效穿隧能障來獲得更大的導通電流,卻也因為載子更容易的在接面處發生穿隧,導致電晶體在關閉狀態下有漏電流增加的問題。本論文提出一創新複合式通道設計,針對銻砷化鎵/砷化銦鎵穿隧式場效電晶體在靠近汲極端通道的地方加入一層高能隙的銻砷化鎵材料形成一新穎的複合式通道的穿隧式場效電晶體,

改善銻砷化鎵/砷化銦鎵異質結構穿隧式場效電晶體漏電流的問題,並維持相同的導通電流,得到高Ion/Ioff的特性以及更小的次臨限擺幅。所使用的傳統磊晶為p+-i-n+摻雜的銻砷化鎵/砷化銦鎵異質結構,源極為p+銻砷化鎵,摻雜碳元素,電洞濃度大於5 × 1019 cm-3,砷的莫耳比例為51%,銻的莫耳比例為49%;汲極為n+砷化銦鎵,摻雜矽元素,電子濃度大於1 × 1018 cm-3,銦的莫耳比例為53%,鎵的莫耳比例為47%,而複合式通道i層為銻砷化鎵/砷化銦鎵組合,厚度分別為120 / 30 nm。藉由Silvaco Atlas模擬,與傳統銻砷化鎵/砷化銦鎵穿隧式場效電晶體比較,新複合式通道

穿隧式場效電晶體之漏電流可以改善約5個數量級,並將雙極性導通效應和導通電壓之差異從0.110 V提高為0.331 V。在導通的狀態下,由於閘極偏壓下傳輸通道i層能帶下拉的關係,使得發生穿隧的載子不需要跨過高能隙的銻砷化鎵,可以同時得到高的導通電流,進一步得到更高的電流開關比。在無閘極二極體元件模擬結果中,可觀察到以複合式通道結構的二極體有較高的漏電流,必需搭配閘極偏壓控制複合式通道i層才能有效降低漏電流,符合穿隧式場效電晶體之運作。利用MBE成長三種磊晶片,先製作無閘極二極體元件,複合式通道結構的二極體與銻砷化鎵/砷化銦鎵異質磊晶二極體及具砷化銦鎵口袋式銻砷化鎵/砷化銦鎵異質磊晶二極體進行電性

比較。複合式通道結構的二極體之順偏狀態電流相對傳統結構上升約三個數量級,而逆偏狀態電流,下降約一個數量級,趨勢如模擬所呈現。再藉由光學曝光與先乾蝕刻再濕蝕刻的方式成功製作出微米尺寸的複合式通道穿隧式場效電晶體,先乾蝕刻再濕蝕刻的方式主要為了克服溼蝕刻對兩層不同材料的通道層的蝕刻速率不同所導致的通道控制能力不佳的問題。室溫條件下,複合式通道穿隧式場效電晶體的最小關閉電流可達5.43 × 10-6 µA/µm,電流開關比為23.20,最佳次臨限擺幅為190 mV/decade。歸因於複合式通道的設計,元件的關閉電流非常小,可應用於超低功耗的應用。不過導通電流及電流開關比未能如模擬的高值,主要原因是

通道的銻砷化鎵層控制不完全,如要進一步改善斜面蝕刻控制,必須找到對銻砷化鎵及砷化銦鎵複合式通道蝕刻速率相近的蝕刻溶液或是乾蝕刻條件來改善得到最佳的閘極控制。

21世紀諾貝爾獎2001-2021(全新夢想版,一套四冊)

為了解決電流不足 影響的問題,作者科學月刊 這樣論述:

諾貝爾獎是一個引導年輕人願景的方式。 那願景可能是幼稚的,但很重要。讓年輕人將科學當作樂趣,為他們帶來理解的喜悅。 諾貝爾發明了一個夢想機器:一種改變慶祝方式的方法, 激勵年輕人做到的比他們夢想的更多。--牟中原(台大化學系名譽教授)   物理學典範正在轉移,新研究浪潮風起雲湧   大至宇宙,小至粒子,實測與理論並重的諾貝爾物理獎   本世紀諾貝爾獎持續關凝聚態、核物理、天文宇宙學,   乃至於技術突破與材料的創新,與生活息息相關。   無止盡的探索,物理學正不斷朝向知識的邊界前進。   化學獎看起來越來越像生醫獎,又有什麼不可?   近四年來,化學獎女性得主輩出   從塑料的

發展,到尼龍、防水衣服,   再到液晶顯示器,甚至新冠疫苗的研發,生活上的應用無所不在。   化學與生物結合,把研究延伸到複雜的生物系統;   加上與物理的結合,促成物理、化學與生物學的大融通。   最出色的科學家,僅有少數人可以得獎,即使無人知曉一樣很有貢獻。   看懂諾貝爾生醫獎:當研究應用於救命,那喜悅無法衡量。   再生醫學及細胞療法,為遺傳疾病和慢性疾病帶來新希望。   專研開發疫苗、找出新藥,讓病菌不再威脅人類生命。   瞭解神經記憶和辨識機制已成為人工智慧參考的系統,   這些得主,皆為人類福祉做出重大的貢獻。   經濟學是關注「人」的科學,亦是解決人類「互動」難題的哲學,

  看懂經濟思潮,才能洞察世界正面臨的問題。   21世紀後的諾貝爾經濟學獎得主,   長年關注人性偏誤、賽局理論、投資、勞動市場,   乃至於永續經營與貧窮的議題。   他們是「俗世哲學家」,以先驅角色,引介獨到且實用的理論給世人。   每年10月諾貝爾獎頒布之後,都不免在媒體和學界引來話題,話題從獲獎人的國家和背景,學術經歷和奮鬥歷程,到得獎感言和頒獎花絮,諾貝爾獎誠然是全球科學界每年最大的盛事,因為它代表了科學成就的巔峰,也展現了科學發展的最新趨勢。   《21世紀諾貝爾獎2001-2021套書》集結科學月刊每年在諾貝爾物理獎、化學獎、生醫獎、經濟學獎得主公布時,邀請國內該領域的專家

,針對該年各個得主的生平事蹟和得獎領域做深入分析,以深入淺出的文字和說明,讓讀者瞭解最前沿的科學研究現況。從學術發展的潮流到學術傳統的傳承,前瞻性地引導讀者思考科學的前景。   值得一提的是,這些撰稿的台灣科學家當中,有許多和得獎大師有師承關係,讓我們一窺得獎者或特立獨行的研究風格,或平易近人的為人處事一面,更神遊於他們治學的風範和精神,諾貝爾獎,得之不易,但有跡可循。   以科學月刊多年累積的份量,除了三個諾貝爾科學獎像,鷹出版這次再加上諾貝爾經濟科學獎,將以加倍(年份加倍)、超值(增加經濟獎)的內容,宴饗大眾,值得購買珍藏。 名人推薦   曾耀寰(科學月刊社理事長、中研院物理所副技

師)   累積2001年2021年的諾貝爾經濟科學獎,年份加倍、超值的內容,宴饗大眾,值得購買珍藏。   物理學獎導讀:林豐利(台師大天文與重力中心主任)   諾貝爾獎是學術界的桂冠,得獎者將進入史冊,得獎的工作通常是學術研究的里程碑,不只承繼先人的努力,往往也開啟往後的研究途徑。累積2001年至2021年的諾貝爾物理獎,年份加倍、超值的內容,宴饗大眾,值得購買珍藏。   化學獎導讀:牟中原(台大化學系名譽教授)   至2021年,諾貝爾化學已授予187人,其中包括7名女性。7/187 這比例當然是非常低。但值得注意的是7名女性得主當中的4人是在21世紀。尤其是近四年來女性的突出表現實在令

人鼓舞。   生醫獎導讀:羅時成(長庚大學生物醫學系教授)   2022年預測得生理/醫學獎呼聲最高的兩位科學家是卡塔琳(Katalin Kariko)與魏斯曼(Drew Weissman),他們發明mRNA當作預防新冠病毒感染的疫苗,在2020年疫情嚴重期間讓上億的人免於感染或死亡。以mRNA當作藥物是個非常突破性新發明,mRNA不只可以應用在流行性的病毒感染預防上,也可以應用在癌症的治療,我猜測他們未來一定可以獲得諾貝爾獎。   經濟學獎導讀:莊奕琦(政大經濟學系特聘教授)   現代經濟學是一門非常量化的社會科學,本世紀以來,尤其是過去十年間,研究方法論上的突破屢獲肯定,更加強化以科學

的嚴謹態度來研究經濟與社會問題的取向。   推薦文:寒波(盲眼的尼安德塔石器匠部落主、泛科學專欄作者)   科學類諾貝爾獎得主,以地理劃分,大部分位於北美、少數歐洲國家和日本;以族裔區分,多數為白人;以性別區分,絕大部分是男性。諾貝爾獎評選看的是結果,這反映出過往百年的科學研究,全人類只有少數群體參與較多;往積極面想,人類的聰明才智,仍有許多潛能可以挖掘。

銻砷化鎵/砷化銦鎵穿隧式場效電晶體之關閉電流研究

為了解決電流不足 影響的問題,作者陳鴻儒 這樣論述:

穿隧式場效電晶體本身是利用載子在能帶間的穿隧來產生電流,因此在常溫下次臨限擺幅可以突破60 mV/decade的限制,有別於金氧半場效電晶體次臨限擺幅受限於kT/q的影響。然而傳統矽基穿隧式場效電晶體因為矽本身擁有較大的材料能隙,使得元件受限於低的導通電流。由於III-V族材料穿隧式場效電晶體具有較低的材料能隙可以改善導通電流不足的問題,再近一步的利用異質的結構可以在接面處形成更小的等效穿隧能障來獲得更大的導通電流,但也因為載子更容易的在接面處發生穿隧,導致電晶體在關閉狀態下有漏電流增加的問題。本論文著重於改善銻砷化鎵/砷化銦鎵異質結構穿隧式場效電晶體漏電流的問題,並維持相同或者更高的導通電

流,得到高Ion/Ioff的特性以及更小的次臨限擺幅,所使用的磊晶為p+-i-n+摻雜的銻砷化鎵/砷化銦鎵異質結構,源極為p+銻砷化鎵,摻雜碳元素,電洞濃度大於5 × 1019 cm-3,砷的莫耳比例為51%,銻的莫耳比例為49%;汲極為n+砷化銦鎵,摻雜矽元素,電子濃度大於1 × 1018 cm-3,銦的莫耳比例為53%,鎵的莫耳比例為47%,通道i層為砷化銦鎵,厚度為150 nm。論文中主要分為兩種研究方法來改善漏電流的問題,第一種方法為在電晶體的製作過程中加入一道絕緣高台的製程,在第一道製程中利用曝光顯影定義出絕緣高台(Mesa)的圖形,接著使用磷酸溶液進行濕式蝕刻將絕緣高台外的區域移除

掉,在半絕緣的InP基板上形成絕緣高台,達到電晶體與電晶體之間的電性隔離,進而減少金屬探針電極(probe pad)之間偏壓的影響,有效的抑制住關閉狀態下的漏電流。在室溫的條件下,具有絕緣高台的穿隧式場效電晶體其漏電流可由1.19 × 10-1 μA/μm下降至3.26 × 10-3 μA/μm,且可以得到相當於未具有絕緣高台之穿隧式場效電晶體之最大導通電流21.08 μA/μm,最小次臨限擺幅可由358 mV/decade改善至172 mV/decade,藉由加入絕緣高台的製程,成功的抑制住關閉狀態下的漏電流,同時可以得到相同或更佳的導通電流,進一步的提升電流開關比,並提升閘極對通道的控制能

力。第二種研究方法為使用磊晶結構改善的方式,針對銻砷化鎵/砷化銦鎵穿隧式場效電晶體在靠近汲極端通道的地方加入一層高能隙的銻砷化鎵材料形成一新穎的複合式通道的穿隧式場效電晶體。在關閉狀態下,高能隙的銻砷化鎵可以使源極端發生穿隧的載子無法輕易的跨越到達汲極端,並且可以抑制住載子在汲極端的接面處發生穿隧,解決雙極性行為的問題,使得複合式通道穿隧式場效晶體可以得到更小的關閉電流。在室溫且理想的條件下,藉由Silvaco Atlas模擬,漏電流可以改善約5個數量級,在導通的狀態下,由於傳輸通道能帶下拉的關係,使得發生穿隧的載子不需要跨過高能隙的銻砷化鎵,因此可以同時得到相當於銻砷化鎵/砷化銦鎵穿隧式場效

電晶體的最大導通電流,進一步的到更高的電流開關比。